一种适用于倒装键合芯片的引线框架的制作方法

本实用新型属于半导体封装领域，尤其涉及一种适用于倒装键合芯片的引线框架。

背景技术：

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合介质实现芯片内部电路引出端与外引脚的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，大部分集成电路封装形式中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础元件。

现有技术中，如图1 所示，为引线框架局部单元结构，为一种用于柱状晶振配合芯片封装的引线框架，包括多个键合引脚和载片台，载片台一侧的键合引脚为晶振引脚焊接处，载片台用以放置芯片和晶振，载片台的两边为金线键合引脚。

如图2 所示，为现有技术的引线框架加工示意图，用于柱状晶振封装的引线框架的加工，包括晶体、芯片及键合金线；每个键合点需要进行芯片端、引脚端两次键合，其中引脚端键合步骤较易使部分处于悬空状态的引线框架发生翘曲，导致后道工序加工困难。

现有工艺中，使用金线键合，由于两次键合间金线的弧度，导致封装体厚度较大，应用领域受限，并且，加工过程中金线弧形较为脆弱，工序间的传递和位移都要经过特殊处理，效率较低。同时，使用金线键合成本较高，金线约占整体封装成本的30%以上。在焊接晶体后，引线框架会发生轻微形变，芯片在载片台粘片工程中，由于粘片胶只能在载片台区域内平面流动，固化后会导致芯片与引线框架平面再次发生形变，上述形变叠加后，对于金线键合工艺无明显影响，但倒装键合工艺会由此造成较大的良率损失和键合虚焊隐患。

技术实现要素：

针对现有技术存在的不足，本实用新型提出了一种适用于倒装芯片键合的引线框架。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下的技术方案：

一种引线框架，包括键合引脚、载片台和晶体引脚焊接区域，其中，所述键合引脚延伸至芯片区域内，且与待键合芯片内压点一一对应；

所述载片台上均匀分布有栏状通孔，且该栏状通孔用于增强芯片与引线框架的粘结强度，并减小引线框架固化时产生的形变。

优选地，所述引线框架中， 所述载片台位于引线框架中心位置，面积为5.5mm×1.5mm，表面进行镀银处理，与各键合引脚绝缘。

优选地，所述的引线框架中，所述栏状通孔为三个以上，每个栏状通孔面积为0.1mm×0.8mm，且栏状通孔间距离为0.5mm，栏状通孔缝隙与载片台长边成垂直排列，栏状通孔边缘间距为0.5mm。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型通过改变载片台面积、增加载片台栏状通孔以及键合引脚位置、形状，适用于倒装键合芯片封装，避免使用金线键合，减少了每个键合引脚的焊接次数，从而避免引线框架发生型变的良率损失。同时减小了封装体的厚度，使得应用领域更广，生产效率更高，成本更低。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1 为现有技术的用于柱状晶振封装的引线框架整体结构图。

图2 为现有技术的用于柱状晶振封装的引线框架生产示意图。

图3 为本实用新型引线框架整体结构图。

图4 为本实用新型引线框架的生产示意图。

具体实施方式

如图3 所示，为本实用新型引线框架的整体结构图；包括多个键合引脚和载片台，载片台均匀分布有栏状通孔，载片台一侧的键合引脚为晶振引脚焊接区域，载片台用以放置芯片和晶振，载片台的两边为键合引脚。键合引脚通过焊锡或点压碰焊的方式完成晶振与引线框架的电连接，通过金球键合的方式完成芯片与引线框架的电连接，并且芯片和晶振也是通过引线框架与外部电路电连接。

如图4 所示，为本实用新型引线框架的生产示意图；其中，键合引脚延展至芯片区域内与芯片内压点一一对应，使用金球进行倒装封装，每个键合点仅需一次键合即可，且金球处于芯片与引线框架之间，高度几乎可以忽略，封装体厚度大大降低。倒装键合所用金球较金线键合降低很多，封装成本较原有工艺下降15%。

本实用新型所含载片台，中间均匀分布通孔，可以在载片台面积减小的情况下加大粘片胶接触面积，提升粘片强度。同时使粘片胶可以通过通孔流动，固化后芯片平整度变化较小，从而避免倒装键合点受损。引线框架可以采用导电的铁镍合金和高铜合金制备，本具体实施中采用的是性价比高、导电导热性能优良的C194 铜合金。

上述仅为本实用新型的具体实施例，本领域普通技术人员在不脱离本实用新型技术思路的基础上能有许多变形和变化，这些显而易见形成的技术方案也包含在本实用新型保护的技术范围内。