半导体检测结构的制作方法

本实用新型涉及半导体检测领域，尤其涉及一种以积体电路为基板进行半导体检测的半导体检测结构。

背景技术：

半导体芯片在检测时，由于检测电极在半导体基板的内部，需要对检测电极进行布线引出信号接入点，对精度以及工艺要求比较高，导致半导体芯片研发的周期较长，成本较高。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种方便的引出半导体电极进行检测的半导体检测结构。

为实现上述目的，本实用新型提供的半导体检测结构，包括：

基材，具有多层半导体材料；

多个电极，设置在所述基材内；

接触孔，从所述基材表面延伸至至少一个所述电极；导电桥墩，填充在所述接触孔内，与所述电极电导通；

所述导电桥墩的材料为导电材料。

进一步的，所述基材包括导电层、半导体层以及绝缘层。

进一步的，所述接触孔与所述导电桥墩之间还设置有沉积层，所述沉积层为绝缘材料。

进一步的，所述导电桥墩通过金属导线或导电粘稠材料与检测设备形成导电通道。

本实用新型首先确认需要检测的电极位置，并通过在基材表面开挖一个到该电极位置的接触孔内填充导电材料形成导电桥墩，从而将该电极的电信号通过导电桥墩引出至外部检测设备，该结构克服了半导体检测时电极信号难引出的问题，减小了半导体的研发周期，相对极大的降低了成本。

附图说明

下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为本实用新型半导体检测结构示意图；

图2至图6为本实用新型半导体检测结构的另外的实施方式示意图。

附图标号说明：

100、基材；200、电极；300、接触孔；400、导电桥墩；500、外部检测设备；600、电路；700、沉积层；80、外部检测设备。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1，本实用新型提供的半导体检测结构，主要包括基材100，在基材100内设置的多个电极200，以及一个电极200到基材100表面开挖的接触孔300，并在接触孔300内填充导电材料形成的导电桥墩400。

其中，所述基材100为具有多层的半导体材料，包括导电层、半导体层或绝缘层中的至少一个或者多个的组合。其中，所述电极200并不局限于设置在导电层中。

所述接触孔300是通过聚焦离子束或者镭射的方式将半导体基材除去，直至裸露出所需要检测的电极200；优选的采用的离子束为镓离子束。

所述导电桥墩400是通过聚焦离子束或者镭射的方式将导电材料填充，直至填充至基板100的表面，其中，所述导电材料为铂、钨、铜、银中一种或多种的组合物与二氧化硅的混合。

在本实施方式中，首先确认需要检测的电极200位置，并通过在基材100表面开挖一个到该电极200位置的接触孔300内填充导电材料形成导电桥墩400，从而将该电极200的电信号通过导电桥墩400引出至外部检测设备或外部电路结构，该结构克服了半导体检测时电极信号难引出的问题，减小了半导体的研发周期，相对极大的降低了成本。

请参阅图2，在本实用新型的其他实施方式中，当需要检测的电极200具有多个时，也可以通过上述结构分别对多个电极200的电信号导出。如图2中，导出了两个电极信号，并将两个电极200相导通。当然在有需求的情况下，可以对导出的电极200之间或者导出的电极200的导电桥墩400上设置电路600，从而达到对半导体电路结构的改变的目的，如图3。这样的半导体结构的改变相较于传统的需要对半导体整个电路布图进行重新规划来说，成本极低，有效的降低了半导体芯片开发、检测的成本。

请参阅图4或图5，在本实用新型的其他实施方式中，所述接触孔300与所述导电桥墩400之间还可以设置绝缘的沉积层700，该沉积层700能够减少所述导电桥墩400引出之电信号与基板100中其他电极的短路或者串扰，提高检测的可靠性。

请参阅图6，其中利用导金属导线或者导电粘稠材料与导电桥墩400导通，并将金属导线或者导电粘稠材料延伸并电连接至外接检测设备80，从而可以快速方便的对半导体的电极200上信号进行检测，极大的降低了检测的成本。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。