1.一种改进型功率半导体器件，包括多个元胞MOS器件，其特征在于，所述元胞MOS器件的多晶栅具有倾斜的侧壁，所述元胞MOS器件的源区具有元素一次性注入形成的梯度式的浓度分布。
2.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，所述梯度式的浓度分布自源区往器件沟道区方向依次递减。
3.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，自源区往器件沟道区方向，所述梯度式的浓度分布的宽度在0.10～0.25微米的范围内。
4.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，所述元素为第一导电类型元素或者第二导电类型元素。
5.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，所述侧壁的倾斜角在60～80度的范围内。
6.一种改进型功率半导体器件的制备方法，所述改进型功率半导体器件包括多个元胞MOS器件，其特征在于，所述方法在所述元胞MOS器件的源区制备完之后包括下述步骤：
对所述元胞MOS器件的多晶栅侧壁进行刻蚀，使所述多晶栅侧壁为倾斜的侧壁；
对所述元胞MOS器件的源区注入元素，使所述元胞MOS器件的源区具有元素一次性注入形成的梯度式的浓度分布。
7.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述梯度式的浓度分布自源区往器件沟道区方向依次递减。
8.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，自源区往器件沟道区方向，所述梯度式的浓度分布的宽度在0.10～0.25微米的范围内。
9.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述元素为第一导电类型元素或者第二导电类型元素。
10.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述侧壁的倾斜角在60～80度的范围内。