技术总结
本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种改进型功率半导体器件及其制备方法。改进型功率半导体器件包括多个元胞MOS器件，元胞MOS器件的多晶栅具有倾斜的侧壁，元胞MOS器件的源区具有梯度式的浓度分布；通过多晶栅侧壁的倾斜使得多晶栅上角与源区金属的距离增加，减少了栅、源短路失效率以及多晶栅下的阱区横向电阻，提高了器件的抗闩锁能力；同时，通过元素一次性注入源区形成的梯度式的浓度分布，工艺简单化的同时减少了空穴电流在源区与阱区耗尽区拐角处形成电流拥挤的现象，避免了由于电流集中而导致器件损坏的情况发生。
技术研发人员：黄国华;蔡荣怀;陈孟邦;曹进伟;乔世成
受保护的技术使用者：宗仁科技（平潭）有限公司
文档号码：201710007826
技术研发日：2017.01.05
技术公布日：2017.05.31