技术总结
本发明公开了一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜。所述铜纳米线制备方法的初始原料为水、十八烷基胺、金属铜盐和维生素C，可制备得到直径为40‑100nm、长度为40‑150um、表面光滑的铜纳米线。所述铜纳米线复合透明导电薄膜由上至下依次包括上聚甲基丙烯酸甲酯层、铜纳米线层、下聚甲基丙烯酸甲酯层和透明基底，透光率为40%‑90%，方块电阻值为5‑200Ω/cm2，表面粗糙度为15‑100nm。本发明公开的铜纳米线制备工艺成本低廉、过程简单、可批量生长超长铜纳米线。所述铜纳米线复合透明导电薄膜，采用双层聚甲基丙烯酸甲酯结构，可以提高铜纳米线网格与衬底之间的粘附力，减小铜纳米线网格的表面粗糙度，增加铜纳米线之间接触面积，并且可以将铜纳米线与空气隔绝，防止铜纳米线被氧化，提高薄膜导电性能和稳定性。
技术研发人员：刘萍;王亚雄;曾葆青;刘黎明;杨健君
受保护的技术使用者：电子科技大学中山学院
技术研发日：2017.04.07
技术公布日：2018.10.23