技术特征：
技术总结
一种功率半导体器件，本发明涉及一种功率半导体器件，特别是功率场效应管(Power MOSFET)的设计。为解决现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管所存在的器件导电面积浪费的问题，本发明提供的功率半导体器件，内设第一类有源沟槽和第二类有源沟槽，两者通过水平沟槽连接，所述第一类有源沟槽内的栅电极与栅极金属板相连，所述第二类有源沟槽内的栅电极通过所述水平沟槽内填充的导电材料连接至第一类有源沟槽内的栅电极、再与栅极金属板连接。本发明的有益效果在于：本发明的设计方案可以有效增大屏蔽栅极沟槽场效应管的芯片导电面积利用率，从而可以在实现比通常的屏蔽栅极沟槽场效应管更低的导通电阻及更低的能量损失。
技术研发人员：单建安;伍震威;冯浩;梁嘉进
受保护的技术使用者：中山汉臣电子科技有限公司
技术研发日：2017.05.25
技术公布日：2017.08.29