技术特征：
技术总结
本发明公开了一种自限制精确刻蚀硅的方法及其专用装置，包括以下步骤：1）Si表面自我限制氧化层Si‑Br的形成；2）多余Br基气氛去除；3）传到高温台去除Si‑HBr；4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。本发明的自限制精确刻蚀硅的方法及其专用装置，既具有原子层级的自我限制能力，又可以实现三维（横向与纵向加工）加工，还对设备本身控制能力不需要现有技术方案那么高。
技术研发人员：许开东
受保护的技术使用者：江苏鲁汶仪器有限公司
技术研发日：2017.06.23
技术公布日：2017.11.07