技术特征：
技术总结
本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN，其中0≦x≦1。第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm‑3的氧与浓度超过5×1017cm‑3的碳的二者至少其中之一。第二氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlyGa1‑yN，其中0≦y≦1。半导体堆叠层设置于第二氮化铝镓缓冲层上。
技术研发人员：方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊
受保护的技术使用者：新世纪光电股份有限公司
技术研发日：2017.09.19
技术公布日：2018.03.27