技术特征：
技术总结
本发明提供了具有应变SiGe沟道的半导体和用于制造这种器件的方法。在实施例中，半导体器件包括：衬底，衬底包括至少两个隔离部件；鳍状衬底，位于至少两个隔离部件之间并且位于至少两个隔离部件的上方；以及外延层，位于鳍状衬底的露出部分的上方。根据一方面，外延层可以位于鳍状衬底的顶面和侧面上。根据另一方面，鳍状衬底可以基本上完全位于至少两个隔离部件的上方。
技术研发人员：马克·范·达尔;戈本·多恩伯斯;乔治斯·威廉提斯;李宗霖;袁锋
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2012.03.09
技术公布日：2018.07.13