本发明涉及一种复衬底以及一种制造复衬底的方法。
背景技术：
已知在多种应用中制造衬底、特别是具有诸如氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷的陶瓷绝缘或载体层的衬底，这意味着作为复衬底在共同的绝缘和载体层上具有多个单独的应用或单衬底，并且在适当的情况下还为其配备电子电路板，从而，复衬底被分离开或单个化。在具有陶瓷绝缘或载体层的复衬底中，这种单个化尤其是通过沿着限定单衬底的切割线切割、特别是借助于激光器切割和/或通过沿着切割线或预定断裂线的断裂来完成。
例如在de19504378a1和de4444680a1中描述了这种复衬底。
上述陶瓷衬底被用于制造电路、特别是功率电路，并且优选地用在功率半导体模块领域中。例如由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷制成的陶瓷板或陶瓷层在其至少一个表面、例如上侧或下侧上被金属化，从而在至少一个金属化侧中嵌入电路结构，例如诸如借助于刻划工艺产生的导体路径、接触部和/或连接器表面。这种金属化的陶瓷衬底例如被用作功率电子模块的电路载体，其中，它们提供热和机械连接以及电绝缘。
为了经济地制造电路，通常已知将这些电路作为复电路板制造，即特别是结构化金属表面以实现必要的导体路径和/或连接表面等，而且将电子元件放置到复电路板上，然后在完成结构化或放置之后将其分离成各种单衬底。
现有的复衬底通常具有矩形扁平形状，在矩形扁平形状上，多个单衬底以矩阵或棋盘方式布置，并具有相同设计的外轮廓。由于它们的对称形状，存在这样的风险，即在单个化分离之后，具有长方形或者甚至是正方形的外轮廓的单衬底被意外地旋转和/或翻转到它们的背部，这样就不再能仅仅通过它们的外轮廓来识别。
出于这个原因，也已知为单衬底提供成斜切拐角形状的防错结构，以消除正方形或长方形单衬底的对称性。
此外，每个单衬底的所有拐角都可以被斜切，使得当它们被使用且并入到功率电子模块中时，它们将节省空间和/或具有更好的匹配。例如，在de93102999u1中提出了这样的具有斜切拐角的大致矩形的单衬底。在这里，所述单衬底是通过以下方式从包含多个单衬底的复衬底获得的：首先例如通过激光刻划或机械蚀刻来将限界单衬底的预定断裂线嵌入到复衬底中，其中，在陶瓷衬底中产生的与预定断裂线匹配的凹槽的深度通常高达衬底的横截面的约30％至50％。
de9310299u1中描述的复衬底除了具有限界每个单衬底的矩形形状的大致彼此直角相交的长而直的预定断裂线之外，还在每个单衬底的所有拐角处具有倾斜的短直的预定断裂线，其相对于长而直的预定断裂线倾斜地延伸，从而允许稍后的拐角分离。在将所有的预定断裂线刻划到复衬底中之后，可以获得单衬底，使得复衬底首先沿着彼此直角相交的长的预定断裂线断裂，然后每个已经单个化分离出的单衬底的各个拐角沿着倾斜的短的预定断裂线断开。
在每个单衬底的拐角处嵌入相对于长的预定断裂线倾斜的短的预定断裂线常常在这样的复衬底沿着长的预定断裂线断裂时、特别是在每个单衬底的拐角区域中产生不受控制的断裂，这是因为多个倾斜的预定断裂线在拐角处重合。在那种情况下，断裂边缘不再仅沿着直的长的预定断裂线产生，而是出现“毛边”，特别是在拐角区域中(以下也称为不受控制的断裂)，这使得随后去除拐角非常困难和耗时，这是因为例如如果它们低于一定的尺寸，则不能再手动去除它们。
技术实现要素：
在此背景下，本发明的目的是提供一种能消除上述缺点的复衬底和一种制造复衬底的方法。此外，本发明是为了便于更高效和更具成本效益地制造复衬底和待由复衬底获得的单衬底。
上述目的通过一种根据本发明的复衬底和通过一种根据本发明的制造复衬底的方法来实现。
应该注意的是，以下描述中提及的各个特征可以以任何技术上可行的方式彼此组合以形成本发明的其它实施例。特别地，该描述还结合附图表征和具体说明了本发明。
还应当指出的是，下面描述的本发明可以用于任何种类的脆性断裂衬底，例如用于诸如aln(氮化铝)、si3n4(氮化硅)、al2o3(氧化铝)等的陶瓷衬底，而且也适用于所有其它脆性断裂物质用作载体材料的衬底、诸如玻璃衬底。通常，与延性材料不同，本发明中所定义的用于衬底的脆性断裂材料被定义为一种在它的弹性极限附近断裂而没有或仅具有边缘塑性变形的材料。在下文中，术语“衬底”一词被用作所有这种类型的衬底的同义词。
根据本发明，复衬底包括诸如陶瓷或玻璃板的脆性断裂板或者诸如陶瓷或玻璃层的脆性断裂层，其形成彼此一体邻接的至少两个邻接的单衬底。所述至少两个单衬底通过设置在脆性断裂层中的至少一条预定断裂线彼此邻接。预定断裂线被定义为这样一种线：在后续的单个化分离步骤中复衬底能够沿着所述线断裂，以使得单衬底的材料分离、即单个化分离开复衬底。为了确保在单个化分离的过程中复衬底可以沿着预定断裂线以受控的方式断裂，预定断裂线优选以凹槽的形式嵌入到脆性断裂层中。这可以例如通过激光刻划或机械蚀刻来产生，其中，凹槽优选地具有衬底的横截面或厚度的大约30％至60％的深度。或者，本领域技术人员公知的其它类型的沿着预定断裂线的弱化也可以用于产生沿着预定断裂线脆性破裂的沟槽。
本发明还提供了：至少一个缺口邻近预定断裂线被嵌入到脆性断裂层中，并且完全穿透脆性断裂层，而且将经由预定断裂线彼此邻接的单衬底彼此材料上分离开。所述缺口与预定断裂线的不同之处在于，缺口完全穿透脆性断裂层、即穿透横截面的100％，而预定断裂线的深度仅优选为衬底的横截面或衬底厚度的
与预定断裂线邻接的缺口降低了在复衬底的单个化分离期间沿着预定断裂线、特别是在缺口的区域中不受控制断裂的风险，这是因为与预定断裂线邻接的缺口使得应力集中于预定断裂线的凹槽中到缺口的过渡处(缺口效应)。因此，与预定断裂线邻接的所述至少一个缺口可以优选地布置在复衬底的这些区域中：在该区域中，由于预定断裂线的特定路线和/或与一个或多个预定断裂线重叠而没有至少一个缺口，在复衬底的单个化分离期间将非常可能发生不受控制的断裂。由于本发明设置了至少一个与预定断裂线邻接的缺口，所以在复衬底的单个化分离期间复衬底的不受控制断裂的可能性大大降低，进而使得复衬底及其单衬底的更高效和更具成本效益的制造成为可能。
此外，与预定断裂线邻接的所述至少一个缺口有利地降低了将复衬底沿着预定断裂线断裂所需的弯折力，因为弯折力与预定断裂线的长度成比例，所述预定断裂线在它的路线中被所述至少一个缺口中断，即与没有与这样的缺口邻接的预定断裂线相比长度得到了缩短。
本发明的一个有利实施例提供了：在复衬底上设置至少两条彼此相交的预定断裂线，并且在这两条预定断裂线的交点处设置至少一个缺口。以特殊的方式，预定断裂线的交点在单个化分离复衬底期间不受控制的断裂方面构成了一个关键区域，尤其还在预定断裂线不是以直角相交的情况下，这例如在单衬底的至少一个斜切拐角可例如形成防错结构时的上述情况下会发生。通过精确地在该区域中设置缺口，可以显著降低在复衬底的单个化分离期间在两条预定断裂线的交点处不受控制断裂的可能性。因此，所述至少一个缺口可以有利地也用于在每个单衬底处提供防错结构，例如使本为矩形的单衬底具有斜切拐角或圆拐角的形式。当然，也可以借助于适当设计的缺口斜切或圆化本为矩形的单衬底的每个拐角或者除了一个拐角之外的所有拐角。
由于脆性断裂层的这种缺口已经设置在复衬底中的两条预定断裂线的相交处，即设置在单衬底的拐角处，并且不必像上述现有技术中的情况那样仅在复衬底的单个化分离期间以额外的工序断裂，因此可以这样在复衬底中设置具有特别小的尺寸的缺口，否则复衬底不能断裂，尤其是不能手动断裂。
特别优选地，缺口沿着预定断裂线的最大延伸长度对应于由经由那些预定断裂线彼此邻接的单衬底的预定断裂线确定的边缘的长度的一半。更优选的是，缺口沿着预定断裂线的尺度是相应的单衬底的由预定断裂线确定的边缘的长度的显著较短的几分之一部分，例如仅十分之一。这种尺寸的缺口可以例如有利地用在例如本为矩形的单衬底的每个拐角上。
本发明的另一个有利实施例提供了：复衬底包括至少一组单衬底，每组单衬底包括至少四个单衬底，所述单衬底具有由至少两条相交的预定断裂线形成的共同的交点，其中，该组的所有单衬底彼此邻接，从而每组仅具有在共同的交点处设置的一个缺口。例如，复衬底可以仅具有一组单衬底，每组单衬底包括至少四个围绕共同的交点布置的单衬底，从而，该组仅具有设置在共同的交点处的一个缺口。如果例如复衬底具有多个彼此邻接的这样的组，则这样的每组单衬底仅具有在其相应的共同的交点处设置的一个缺口。复衬底的该实施例的特殊优点在于，属于单个组的所述至少四个单衬底围绕它们彼此邻接的共同的交点布置，每组单衬底可以仅借助于单个缺口设有防错结构。
在本发明的另一有利实施例中，至少一条预定断裂线与形成所述复衬底的脆性断裂层的至少一个外边缘相交，从而，在这种情况下，缺口被布置在预定断裂线与所述外边缘之间的交点处。在这种情况下，所述外边缘被定义为限界复衬底中的脆性衬底的外衬底边缘。
另外，根据本发明的至少一个另外的缺口、即完全穿透复衬底的脆性断裂层的缺口也可以布置在脆性断裂层的两个相交的外边缘的交点处。
因此，至少一个缺口也可以设置成与脆性断裂层的外边缘邻接，从而具有与上文针对与至少一个预定断裂线邻接的缺口的布置所解释的相同的优点。通过相同的方式，至少一个这样的缺口也可以布置在复衬底的两个相交的外边缘处。
根据本发明的又一个有利实施例，所述缺口至少部分地通过横断线(traverse)和/或曲线限界。在这种情况下，可以有利地根据需要影响施加到预定断裂线的凹槽和/或脆性断裂层的外边缘的缺口效应，使得在单个化分离期间复衬底在缺口区域不受控制断裂的风险显着降低或甚至完全被消除。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造具有诸如陶瓷或玻璃板的脆性断裂板或诸如陶瓷或玻璃层的脆性断裂层的复衬底的方法。所述方法涉及将至少一条预定断裂线嵌入到脆性断裂层中，至少两个单衬底经由所述至少一条预定断裂线彼此连接。此外，与预定断裂线邻接的至少一个缺口被嵌入到脆性断裂层中并完全穿透脆性断裂层，而且将单衬底彼此材料上分离开。
关于这种方法的术语、优点和效果的阐述，可以参考上面对装置的描述，这也相应地适用于制造方法。
本发明的一个有利实施例提供了：预定断裂线和缺口借助于单个激光器、例如co2激光器被嵌入到脆性断裂层中，所述激光器在用于嵌入预定断裂线的刻划模式和用于将缺口嵌入到脆性断裂层中的切割模式之间变换。通过这种方式，可以显著降低制造多层的成本，并且可以使制造更高效，这特别是使得成本降低。
然而，替代性地，也可以用两个不同的激光器制造复衬底，在这种情况下，第一激光器被提供用于将所述至少一条预定断裂线刻划到脆性断裂层中，第二激光器被提供用于将所述至少一个缺口嵌入到脆性断裂层中。
本发明的另一有利实施例提供了：至少两条相交的预定断裂线被嵌入到脆性断裂层中，并且所述缺口在预定断裂线的交点处被嵌入到脆性断裂层中。
此外，在本发明的又一个有利实施例中，至少一条相交的预定断裂线可以通过切割嵌入到脆性断裂层的外边缘中，缺口在与外边缘的交点处被嵌入到脆性断裂层中。
此外，根据本发明的另一个缺口、即完全穿透复衬底的脆性断裂层的缺口可以在脆性断裂层的两个相交的外边缘的交点处被嵌入到脆性断裂层中。
根据本发明的另一个有利实施例，缺口可以至少部分地通过横断线和/或曲线形成。
附图说明
本发明的其它特征和优点可以由以下对本发明的不应解释为排他性的实施例的描述获得，下面将参考示意性附图详细解释这些实施例，其中
图1示出了根据本发明的复衬底的第一实施例的俯视图。
图2示出了根据本发明的复衬底的第二实施例的俯视图。
图3示出了根据本发明的复衬底的第三实施例的俯视图。
图4示出了根据本发明的复衬底的第四实施例的俯视图。
在不同的附图中，具有相同功能的部件总是以相同附图标记表示，这意味着它们通常只被描述一次。
具体实施方式
图1示出了大致矩形的本发明的复衬底1的第一实施例的俯视图。复衬底1包括诸如陶瓷或玻璃板的脆性断裂板或诸如陶瓷或玻璃层的脆性断裂层2，其在所示的示例中形成一体地彼此邻接的总共九个单衬底3，其中，邻近的单衬底3经由设置在脆性断裂层2中的预定断裂线4彼此邻接。总共四条预定断裂线4嵌入到图1所示的复衬底1中。预定断裂线4被示为虚线。在所示的复衬底1的实施例中，所有预定断裂线4都是直的，其中，图1中的两条预定断裂线4水平地并且彼此平行地延伸，而另两条预定断裂线4竖直地并且彼此平行地延伸。水平的预定断裂线4与竖直的预定断裂线4直角相交于相应的交点5处。因此，图1所示的大致矩形的复衬底1总共具有九个也为大致矩形的单衬底3。
此外，图1所示的复衬底1在上、下以及左、右被总共四个外边缘6限界。两条水平的预定断裂线4在交点7处与在左、右限界复衬底1的外边缘6直角相交。两条竖直的预定断裂线4与在上、下限界复衬底1的外边缘6相交。上外边缘6在另外的交点8处与左、右外边缘6直角相交，下外边缘6也在交点8处与左、右外边缘6直角相交。复衬底1的上外边缘6与右外边缘6的交点8(图1中的右上角)仅在相应的外边缘6的延伸段将会相交的位置处通过附图标记8表示。
优选地，复衬底1的预定断裂线4以凹槽的形式嵌入到脆性断裂层2中。它可以例如通过对脆性断裂层2进行激光刻划或机械蚀刻来产生，其中，凹槽优选具有为衬底横截面或厚度的约30％至60％的深度。优选地，co2激光器用于激光刻划。
在图1中还可以看到与相应的预定断裂线4邻接并且完全穿透脆性断裂层2的缺口9，所述缺口9与至少一条预定断裂线4邻接。每个缺口9材料上分离开通过相应的预定断裂线4彼此连接的单衬底3。在复衬底1的上外边缘6和右外边缘6的交点8处设置了另一个缺口10，所述缺口10在设计和尺寸方面与邻接相应的预定断裂线4的缺口9没有明显不同，但是仅与复衬底1的两个外边缘6邻接。
图1还示出了每个缺口9和10沿每条预定断裂线4或外边缘6的最大延伸长度明显小于由预定断裂线4确定的边缘或者经由这些预定断裂线彼此邻接的单衬底3的外边缘6的长度的一半。
此外，图1示出了已经为复衬底1的所示实施例的每个单衬底3分配恰好一个缺口9或10，目的是斜切每个单衬底3的右上拐角。缺口9和10总完全通过横断线来限界；在本实施例中，它被示为三角形横断线。这种形式的缺口9或10代表消除每个单衬底3的对称性的防错结构，使得每个单衬底3的层、即前后侧和旋转可以在其从复衬底1单个化分离以用于单衬底3的后续处理步骤之后被清楚和简单地被识别。
与相应的预定断裂线4邻接的缺口9以期望方式降低了复衬底1在其单个化分离期间沿预定断裂线4的不受控断裂的风险。由于缺口效应，缺口9在从预定断裂线4到相应缺口9的过渡位置处向每个相应的预定断裂线4的相应凹槽施加局部应力集中，从而，减小或者甚至完全消除了在斜切每个单衬底3的相应拐角的缺口9的区域中的不受控断裂的可能性。此外，缺口9或10的尺寸已可通过将它们嵌入复衬底1中而保持为小，这是因为单衬底3的如此被斜切的拐角不会像上述的现有技术中的情况那样在单个化分离之后必须手工断裂。
图2示出了根据本发明的复衬底11的第二实施例的俯视图。在大致矩形的复衬底11的脆性断裂层2上，九个单衬底12也通过使这些单衬底12彼此限界开的预定断裂线4一体地邻接，所述大致矩形的复衬底11与图1所示的复衬底1的实施例实质上仅不同在于，在这种情况下大致矩形的单衬底12的每个拐角都被缺口13或10斜切。相比而言，在图1所示的复衬底1中，每个单衬底3的仅一个拐角被缺口9或10斜切。这里，缺口13与四条预定断裂线4中的至少一个邻接，而缺口10与复衬底11的四个外边缘6中的两个邻接。
如图2所示，如同图1中，附图标记5也表示两条预定断裂线4的交点，附图标记7也表示预定断裂线4与外边缘6之间的交点；附图标记8也表示复衬底11的两个外边缘6的交点。这些交点5、7和8从相应的预定断裂线4和外边缘6的想象的延伸段得出，未在图2中示出，以表明由于围绕这些交点布置的缺口13或10而在交点5、7和8处没有脆性断裂层2的材料。
如图2清楚地示出，围绕交点5布置的每个缺口13可被看作是单个菱形缺口。然而，它也可以被看作是四个邻接的如图1所示的三角形缺口9。以类似的方式，围绕交点7布置的每个缺口13可以被看作是单个三角形缺口或被看作是两个邻接的如图1所示的三角形缺口9。在图2中所示的复衬底11的脆性断裂层2中的围绕交点8布置的缺口10相当于图1中所示的复衬底的缺口10。
在任何情况下，在图2所示的复衬底11的实施例中，缺口13和10完全通过横断线来限界。
图3示出了根据本发明的复衬底14的第三实施例的俯视图。在也为大致矩形的复衬底14的脆性断裂层2上，九个单衬底15也一体地邻接，通过预定断裂线4彼此限界开，本质上与图2中所示的复衬底11的实施例的不同之处仅在于，与预定断裂线4中的至少一个邻接的缺口16以及与复衬底14的两个外边缘6邻接的缺口17完全通过曲线限界。
此外，在图3所示的复衬底14的实施例中，围绕交点5布置的每个缺口16可以被看作是单个整圆形的缺口。然而，它也可以被看作是四个彼此邻接的四分之一圆形的缺口，其中，每个四分之一圆形的缺口被分配为分别相应地位于在这个交点5处邻接的四个单衬底15的不同拐角处。以类似的方式，围绕交点7布置的每个缺口16可以被看作是单个半圆形的缺口或彼此邻接的两个四分之一圆形的缺口，每个所述四分之一圆形的缺口被分配为分别相应地位于在这个交点7处彼此邻接的两个单衬底15的不同拐角处。在图3所示的复衬底14的脆性断裂层2中的围绕交点8布置的缺口17全部是四分之一圆形的。
因此，图3中所示的复衬底14的本为大致矩形的单衬底15的每个拐角是凹形的，即，向每个单衬底15的内部弯曲的圆弧形。
类似于图1所示的复衬底1的实施例，复衬底的每个本为大致矩形的单衬底的仅单个拐角(未示出)可以设有例如类似于图3中所示的缺口17的起着防错结构的四分之一圆形的缺口，即，与如图1所示的复衬底1的仅通过横断线限界的缺口9不同的至少部分地通过曲线限界的缺口。
图4示出了根据本发明的复衬底18的第四实施例的俯视图。复衬底18由诸如陶瓷或玻璃板的大致矩形的脆性断裂板或者由诸如陶瓷或玻璃层的脆性断裂层2形成，其在图4所示的实施例中形成一组四个彼此一体邻接的单衬底19，其中，邻接的单衬底19通过设置在脆性断裂层2中的预定断裂线4彼此邻接。总共两条预定断裂线4嵌入到图4所示的复衬底18的脆性断裂层2中。预定断裂线4以虚线示出；在图4所示的复衬底18的实施例中，它们直线延伸，其中，图4所示的一条预定断裂线4水平延伸，另一条预定断裂线4竖直延伸。水平的预定断裂线4在交点5以直角与竖直的预定断裂线4相交。因此，图4所示的大致矩形的复衬底18总共具有四个也为大致矩形且围绕它们共同的交点5以星形形式布置的单衬底19。
还如图4所示，缺口20围绕与两条预定断裂线4均邻接的共同交点5布置，并且完全穿透脆性断裂层2。在所示的实施例中，缺口20完全通过横断线限界。然而，缺口20也可以通过曲线限界，例如大致呈图3中的缺口16所具有的形状，即，例如整圆的形状。
如已经参照图2和图3所描述的那样，在图4所示的情况下，围绕交点5布置的缺口20也可以被看作是单个菱形缺口或者被看作是四个单独的彼此邻接的如图1所示的三角形缺口9，其中，每个三角形缺口被分别相应地分配给每个单衬底19的不同拐角，如图4所示，每个拐角被斜切。
图4中所示的复衬底18的实施例的特殊优点在于，在交点5处邻接的四个单衬底19可以仅设有一个缺口20，每个都类似于图1所示情况具有一个防错结构，而对于图1所示的复衬底1，为了给每个单衬底3设置防错结构，每个单衬底3必需设有缺口9或10。
这里必须注意的是，在图4所示的复衬底18的俯视图中，看到的是左上单衬底19的前部，而看到的是右上单衬底19的后部，这是因为它是例如在左上单衬底19绕着竖直的预定断裂线4翻转之后的情况；看到的是左下单衬底19的后部，这是因为它是例如在左上单衬底19绕着水平的预定断裂线4翻转之后的情况；以及看到的是右下单衬底19的前部，这是因为它是例如在左上单衬底19绕着垂直于图面并且通过交点5的高轴线旋转180°之后的情况。
换句话说，在图4所示的复衬底18被单个化分离之后，首先将左下单衬底19和右下单衬底19翻转到图4所示的左上单衬底19的位置，例如以便能够使得从复衬底18获得的四个单衬底19可以以一致的方式被进一步处理。
当然，图中未示出的复衬底也可以由任意数量的图4所示的复衬底18的一体连接布置形成，使得这种复衬底根据相继组的数量具有整数倍个上述形式或者具有例如图4所示的彼此一体邻接的四个单衬底19。在这种情况下，每一组如图4所示的围绕共同的交点5星形布置的单衬底19仅具有一个缺口20，例如如图4所示。
这里在图1-4中描述和示出的如示例性复衬底1、11、14和18的复衬底的制造实质上可以通过以下方式实现：将预定断裂线4嵌入每个诸如陶瓷或玻璃板的脆性断裂板或诸如陶瓷或玻璃层的脆性断裂层2来形成相应的复衬底1、11、14和18、例如通过对脆性断裂层2进行激光刻划或机械蚀刻，以便于单衬底3、12、15或19在相应的复衬底1、11、14或18上彼此一体邻接，并且以便于通过沿着预定断裂线4将复衬底断裂而将复衬底1、11、14和18单个化分离成单衬底3、12、15或19。此外，将与相应的预定断裂线4邻接并且完全穿透脆性断裂层2的至少一个缺口9、13、16、20嵌入到复衬底1、11、14和18中。另外，可以在相应的复衬底1、11、14或18的每两个外边缘的相交处分别将一个缺口10或17嵌入到脆性断裂层2中。
特别优选的是，借助于单个激光器将预定断裂线4和缺口9、10、13、16、17和20嵌入到脆性断裂层2中，其中，激光器在用于嵌入预定断裂线4的刻划模式与用于嵌入缺口9、10、13、16、17或20的切割模式之间变换。
上述本发明的复衬底及它们的制造方法不限于这里公开的实施例，而是还可包括具有相同功能的其它实施例。特别地，图1-3中所示的复衬底1、11、14不限于图1-3中所示的单衬底，而是显然也可以包含任何数量的单衬底，即多于九个或少于九个的单衬底。另外，图4所示的复衬底18不仅限于4个单衬底，而是也可以包括数量为4的任意整数倍的单衬底。
在一个优选实施例中，本发明的复衬底、特别是复陶瓷或玻璃衬底被用于制造电子半导体、特别是功率电路或led玻璃窗中。
附图表记列表
1.复衬底
2.脆性断裂层
3.单衬底
4.预定断裂线
5.两条预定断裂线的交点
6.外边缘
7.预定断裂线与外边缘的交点
8.两个外边缘的交点
9.与至少一条预定断裂线邻接的缺口
10.与两个外边缘邻接的缺口
11.复衬底
12.单衬底
13.与至少一条预定断裂线邻接的缺口
14.复衬底
15.单衬底
16.与至少一条预定断裂线邻接的缺口
17.与两个外边缘邻接的缺口
18.复衬底
19.单衬底
20.与两条预定断裂线邻接的缺口