本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种集成电路封装结构及其加工方法。
背景技术：
现在的集成电路如EMSOP8的封装结构，为了实现很好的散热，其基岛01的背面是裸露在空气中，基岛01的正面和侧面则被树脂02包封，其中，存放芯片03的基岛正面全镀银，形成有镀银层04，镀银的目的是为了焊接地线，不可缺少。
实践发现，封装结构中的树脂和银表面的结合力不是很好，就造成基岛的正面和树脂结合不紧密，容易造成水汽侵入。而且，在镀银层表面会做防导电胶扩散化学处理，该处理层如果在包封前的生产的高温过程中没有挥发完，会更进一步降低树脂和银表面的结合力。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种集成电路封装结构及其加工方法，用于提高其中基岛与封装材料之间的结合力，避免水汽侵入，提高封装结构的可靠性。
采用的技术方案为：
一方面，提供一种集成电路封装结构，包括基岛、芯片和封装材料，所述基岛的正面形成有银环，所述银环内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区。
另一方面，提供一种如上所述的集成电路封装结构的加工方法，包括：制作引线框，所述引线框包括基岛和外引脚；在所述引线框的表面镀铜，形成一厚度介于0.125至0.25微米之间的镀铜层；在所述基岛的正面环镀银，形成一银环，所述银环的内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区，所述隔离区的宽度不小于10微米；在所述安置区利用装片胶固定芯片，在所述芯片和所述外引脚之间焊接引线，用封装材料封装所述芯片和所述外引脚以及引线，形成规定的外形。
从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：
在基岛正面电镀形成银环，用于地线焊接，而基岛正面其他区域仍为基岛本身的铜材质，这样封装结构中的封装材料例如树脂和基岛接触部分只有极少部分是镀银的，大部分是和铜表面接触，而铜和树脂的结合力要好于银和树脂的结合，因此，可以避免水汽侵入，提高封装结构的可靠性。
可以理解，如果银环的外沿、基岛的侧面以及空气重合，则由于树脂和银接触的结合力不好，那么边缘部位会成为水汽侵入点，直至遇到树脂和基岛的铜表面接触的区域时，才会降低向里面推进的速度，但是水汽还是已经进入封装结构内，只是进去以后才减慢向内扩散的速度，仍然不能较好的解决水汽入侵问题。
而本发明技术方案中，在银环外沿与基岛边沿之间形成隔离区，而隔离区仍为铜材质，和树脂封装材料具有较好的结合力，可以严防水汽从基岛的边缘侵入，这样就从源头上解决了水汽入侵的问题，确保封装结构的高可靠性。
可见，本发明技术方案，一方面，通过在基岛正面设银环取代全表面镀银，减少银和封装材料的接触面积，增加基岛本身的铜材质与封装材料的接触面积，来减少水汽的入侵，提高可靠性；另一方面，将银环设在基岛正面边沿靠内的区域，与基岛边沿之间留出一隔离区，利用该隔离区的铜材质与封装材料的紧密结合，严防水汽入侵，从源头上解决了水汽入侵的问题；从而，实现了提高基岛与封装材料结合力，避免水汽侵入，提高封装结构可靠性的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是现有的EMSOP8集成电路封装结构的示意图；
图2是本发明实施例提供的一种集成电路封装结构的示意图；
图3是本发明实施例提供的一种集成电路封装结构的加工方法的流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面通过具体实施例，分别进行详细的说明。
请参考图2，本发明实施例提供一种集成电路封装结构，包括基岛11、芯片12和封装材料13。特别的，所述基岛11的正面形成有银环17，所述银环17内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区21，所述银环17的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区22。
需要说明的是，芯片12安置在基岛11的正面，封装材料13用于包裹封装基岛11和芯片12，基岛11的正面和侧面被包封在封装材料13内部，但基岛11的背面显露于封装材料13的外部。该集成电路封装结构还包括外引脚14，外引脚14和基岛11共同构成本领域所谓的引线框，或者说引线框架。外引脚14和芯片12可通过焊接引线15实现电连接，芯片12可通过地线16连接到基岛11上的银环17的正面实现接地。其中，引线框，包括基岛11和外引脚14一般为铜材质，封装材料13一般可选用树脂，芯片12一般为半导体芯片。引线15和地线16可为银线或铜线或其它金属丝。芯片12可通过银胶18固定在基岛11的正面。
其中，在基岛11正面形成银环17的目的在于焊接地线16，在芯片12的接地端和银环17之间焊接地线，是必不可少的。但是，银与封装材料如树脂之间的结合力不是很好，两者之间容易被水汽侵入；而银和铜的结合力则较好，两者之间不会被水汽侵入。因此，本发明方案中，对于银环的宽度可给予限定，以达到较好的平衡。一方面，为了确保焊接需要，优选所述银环的宽度a1不小于100微米。另一方面，为了提高与封装材料的结合力，应减小银环的面积，优选所述银环a1的宽度不大于300微米。
本发明方案中，所述银环17的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区22，是为了防止在基岛的边缘形成水汽入侵点，为确保该目的的实现，所述隔离区的宽度a2不小于10微米为宜。优选的，所述隔离区的宽度a2介于10微米至200微米之间。
为了进一步增加树脂封装材料和铜表面的结合力，优选的，所述基岛的正面，包括所述安置区21和所述隔离区22以及银环17的底部的表面，具有电化学方法形成的镀铜层。进一步的，所述镀铜层的厚度介于0.125至0.25微米之间。更进一步的，所述镀铜层已经过防铜剥离化学液处理，以进一步提高结合力。
如上所述，本发明方案在基岛正面形成用于焊线的银环，且距离基岛的边缘10微米以上，但不超过同方向基岛宽度的一半，典型的是10微米到200微米左右；镀银环的宽度在100微米以上，典型的为100微米到300微米之间，但不超过同方向基岛宽度的一半；以确保：银环具有足够的宽度用于焊接，银环环绕区域具有足够的面积用于安置芯片，且银环面积尽量小从而避免降低与封装材料的结合力。为了进一步增加树脂封装材料和铜表面的结合力，在铜表面再用电化学的方法镀一层铜，厚度在0.125um∽0.25um，使铜表面更平整，然后再进行防铜剥离化学液处理，增加了和后面银环的结合力力，同时增加树脂和基岛正面的结合力。
如此，本发明就可以从源头上减少水汽侵入集成电路封装结构。
请参考图3，本发明实施例还提供一种如上文所述的集成电路封装结构的加工方法，所述方法包括：
31、制作引线框，所述引线框包括基岛和外引脚；
32、在所述引线框的表面镀铜，形成一厚度介于0.125至0.25微米之间的镀铜层；
33、在所述基岛的正面环镀银，形成一银环，所述银环的内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区，所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区，所述隔离区的宽度不小于10微米；
34、在所述安置区利用装片胶固定芯片，在所述芯片和所述外引脚之间焊接引线，用封装材料封装所述芯片和所述外引脚以及引线，形成规定的外形。
可选的，步骤32之后，步骤33之前，还包括：对所述镀铜层进行防铜剥离化学液处理。
如上所述，一些实施例中，本实施例方法的具体实施方案可以是：
a)用机械模具方法，生成机构中的引线框基岛和引线框外引脚构造等；
b)在机构表面镀一层铜，厚度在0.125um∽0.25um，使铜表面更平整，然后再进行防铜剥离化学液处理，增加了和后面银环的结合，同时增加树脂和基岛正面结合力；
c)在离基岛边缘电镀10微米以上的地方进行环镀银，由于该银环只用来焊接连线，不和导电胶接触，因此，去掉常用的防装片胶扩散化学处理；d)在基岛正面点装片胶；
e）将半导体芯片压放在装片胶上，并在高温烘箱里进行胶的铰链反应；
f）在半导体芯片和引线脚之间进行金属引线焊接；
g）在模具里面用树脂将基岛、芯片、外引脚封装起来；
h)用模具等使机构成规定的外形。
由于基岛必须要焊接接地的引线即地线，而地线焊接的地方必须是镀银的，但结构的中的树脂和镀银表面的结合力不大，容易水汽侵入，造成树脂和基岛表面分层，严重的话分层会扩散到芯片表面，在电路工作时，分层的水汽会膨胀，一方面造成产品焊接点断开；另一方面在封装结构中产生压力，使电路的工作电压发生变化。而封装结构中的树脂和基岛铜的表面结合力要好于和银表面的结合力。因此，在满足焊接的条件下，一是尽量减少银的面积，增大铜表面的面积；二是在机构中树脂、空气、金属基岛之间的界面处尽量不出现银镀层，增加界面的结合力，从而在源头上控制水汽的侵入。
综上，本发明实施例公开了一种集成电路封装结构及其加工方法，通过采用上述技术方案，取得了以下技术效果：
在基岛正面电镀形成银环，用于地线焊接，而基岛正面其他区域仍为基岛本身的铜材质，这样封装结构中的封装材料例如树脂和基岛接触部分只有极少部分是镀银的，大部分是和铜表面接触，而铜和树脂的结合力要好于银和树脂的结合，因此，可以避免水汽侵入，提高封装结构的可靠性。
可以理解，如果银环的外沿、基岛的侧面以及空气重合，则由于树脂和银接触的结合力不好，那么边缘部位会成为水汽侵入点，直至遇到树脂和基岛的铜表面接触的区域时，才会降低向里面推进的速度，但是水汽还是已经进入封装结构内，只是进去以后才减慢向内扩散的速度，仍然不能较好的解决水汽入侵问题。
而本发明技术方案中，在银环外沿与基岛边沿之间形成隔离区，而隔离区仍为铜材质，和树脂封装材料具有较好的结合力，可以严防水汽从基岛的边缘侵入，这样就从源头上解决了水汽入侵的问题，确保封装结构的高可靠性。
可见，本发明技术方案，一方面，通过在基岛正面设银环取代全表面镀银，减少银和封装材料的接触面积，增加基岛本身的铜材质与封装材料的接触面积，来减少水汽的入侵，提高可靠性；另一方面，将银环设在基岛正面边沿靠内的区域，与基岛边沿之间留出一隔离区，利用该隔离区的铜材质与封装材料的紧密结合，严防水汽入侵，从源头上解决了水汽入侵的问题；从而，实现了提高基岛与封装材料结合力，避免水汽侵入，提高封装结构可靠性的技术问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
上述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对上述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。