本申请要求于2017年10月12日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0132263的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。本文中描述的本发明构思的实施例涉及基板对准装置、基板处理装置和基板处理方法；尤其涉及一种基板对准装置、基板处理装置和基板处理方法，其中，用于对准基板的引导单元旋转以使由与基板的摩擦而引起的磨损最小化，从而增加耐用寿命。
背景技术：
：：执行诸如沉积、光刻、蚀刻和清洁等的各种过程，以制造半导体设备。用于执行一些过程的装置具有多个腔室。基板在任一个腔室中被处理，然后被传送到另一个腔室。例如，用于执行光刻过程的基板处理装置包括涂覆腔室、烘烤腔室和边缘曝光腔室等，涂覆腔室用于使用如光刻胶的光敏材料涂覆基板，烘烤腔室用于在使用光敏材料涂覆基板之前或之后加热或冷却基板，边缘曝光腔室用于在基板的边缘区域上执行曝光过程。基板按预设顺序传送至腔室。基板必须放置于单元上的预定正确位置，该单元在腔室中支承基板。当基板在未对准的状态下被处理时，很可能发生工艺失败。例如，当基板的边缘区域在基板未对准的情况下被处理时，特定的化学制品或清洗溶液可能无意地影响基板的中央部，并因此工艺输出的质量可能不满足参考值。在一些情况下，暴露于化学制品或清洗溶液的基板的中央部和边缘可能会受损。因此，在基板在传送单元上以未对准状态传送或基板未处于在腔室内支承基板的单元上的适当位置的情况下，基板必须对准。通常，基板通过多个引导单元来对准。为了基板的对准，多个引导单元以不变的间隔排布在预设的对准范围中。当对准时，基板放置在引导单元上，以便位于引导单元之间。基板自由下落，并坐落于由引导单元限定的空间中(即，在对准范围中)，且在预期的正确位置上对准。如图1所示，相关技术中的用于对准基板w的引导单元g包括倾斜部s和主体v，倾斜部s与基板w的斜面(bevel)接触以引导基板w朝向对准范围的中央，主体v从倾斜部s向下延伸，并位于垂直于基板w以防止基板w偏离引导单元g。基板w所在的支承表面r设置在主体v的下端部上。为了使基板w位于多个主体v之间，在多个主体v中，彼此面对的两个主体v之间的距离等于基板w的直径和预设间隙的总和。然而，当使用以上配置的引导单元对准基板时，对准基板w会花费很多时间，并且因为主体v的高度大于必要的高度，基板w经常不能下降到支承表面r。图2为示出了与上述引导单元不同类型的引导单元的视图。如图2所示，在引导单元g仅包括倾斜部s的情况下，直至基板w就位的时间短于上述情况中的时间，但是基板w的边缘的一部分经常放置在倾斜部s上，从而使得基板w未对准。技术实现要素：本发明构思的实施例提供了一种基板对准装置、基板处理装置和有效地对准基板的基板处理方法。本发明构思的实施例提供了一种基板对准装置、基板处理装置和基板处理方法，其用于增加基板对准的精度并同时减少在基板对准上花费的时间。本发明构思的方面不限于此，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解在本文中未提及的任何其他方面。根据实施例的一个方面，一种用于对准基板的装置包括支承板和多个引导单元，其连接至所述支承板以对准所述基板的位置。各所述引导单元包括对准销(alignmentpin)，其用于将所述基板对准到适当位置，和固定体，其具有用于支承对准的所述基板的边缘区域的支承表面，所述固定部固定地连接至所述支承板。所述对准销相对于所述固定部的所述支承表面围绕所述对准销的中心轴线为可旋转的。所述对准销可包括倾斜部，其具有朝向底部逐渐增加的横截面的圆锥的或截头圆锥(frusto-conical)的形状，和主体，其从所述倾斜部向下延伸至所述固定部且具有垂直于所述支承板的侧面。当所述基板沿所述倾斜部下落时，所述对准销可旋转。所述主体可具有小于所述基板的厚度的高度。所述主体可具有等于所述基板的厚度的一半的高度。所述主体和所述支承表面中的一个可具有插入突出物(insertionprotrusion)，且另一个可具有所述插入突出物插入到其中的凹槽(recess)。所述插入突出物可具有圆柱形且可具有小于所述凹槽的内径的直径。可将轴承安装在所述插入突出物上或插入所述到凹槽中。所述固定部可包括具有支承表面的支承体和支承轴，其从所述支承体延伸且固定地连接至所述支承板。根据实施例的另一方面，一种用于对准基板的装置包括支承板和多个引导单元，其连接至所述支承板以对准所述基板的位置。各所述引导单元包括对准销，其包括倾斜部，所述倾斜部具有朝向底部逐渐增加的横截面的圆锥的或截头圆锥的形状，和主体，所述主体从所述倾斜部向下延伸至所述固定部，且具有垂直于支承板的侧面。所述主体具有小于基板的厚度的高度。所述主体的高度可等于基板的厚度的一半。根据实施例的又一方面，一种用于处理基板的装置包括支承板和多个引导单元，其连接至所述支承板以对准所述基板的位置。各所述引导单元包括对准销，其包括倾斜部，所述倾斜部具有朝向底部逐渐增加的横截面的圆锥的或截头圆锥的形状，和主体，所述主体从所述倾斜部向下延伸至所述固定部且具有垂直于所述支承板的侧面。所述对准销相对于支承板围绕所述对准销的中心轴线为可旋转的。所述主体可具有从所述主体向下突出的插入突出物。所述支承板可具有将所述插入突出物插入其中的凹槽。所述插入突出物可在凹槽内为可旋转的。所述装置还可包括加热器，其用于加热放置在所述支承板上的所述基板。所述主体的高度可等于所述基板的厚度的一半或小于所述基板的厚度。根据实施例的又一方面，提供了一种使用基板处理设备处理基板的方法，所述基板处理设备包括传送腔室，其具有用于传送所述基板的传送机械手，多个处理腔室，其设置在所述传送腔室的侧面上以处理所述基板，和权利要求1至5中任一项所述的基板对准装置，其设置在传送腔室的侧面上。所述方法包括：通过使用传送机械手从一个所述处理腔室取回基板，测量放置在所述传送机械手上的所述基板的对准状态，当所述对准状态较差时通过所述传送机械手将所述基板传送到所述基板对准装置、对准在所述基板对准装置中的基板的位置，和通过所述传送机械手从所述基板对准装置取回所述基板并随后将所述基板传送至另一个所述处理腔室。所述传送机械手可包括手，其具有放置在其上的所述基板并将所述基板转移到所述处理腔室或所述基板对准装置，测量构件，其包括在手中以确定所述基板的所述对准状态，和控制器，其接收来自所述测量构件的信号并确定所述基板的所述对准状态。当放置在所述手上的所述基板的所述对准状态较差时，所述控制器控制所述传送机械手以将所述基板传送至所述基板对准装置。所述处理腔室可包括液体处理腔室，其通过向所述基板供应液体来处理基板，和加热所述基板的烘烤腔室(bakechamber)。根据本发明构思的实施例，可对准在多个处理腔室之间移动的基板和传送机械手，以便不偏离正确位置和不对其他装置产生负面影响。根据本发明构思的实施例，所述引导单元的所述对准销旋转，从而使基板的动能损失最小化。此外，每次与基板摩擦接触的引导单元的部分都会变化，使得引导单元的磨损最小化并且可以增加耐用寿命。另外，根据本发明构思的实施例，引导单元的主体具有大于基板厚度的一半并小于基板厚度的高度，借此可以优化由于基板和主体之间的接触而导致的基板的动能损失以用于基板的对准，因此可以使定位基板所花费的时间最小化。本发明构思的效果不限于以上描述的效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从说明书和附图中清楚地理解在本文中未提及的任何其他效果。附图说明参照以下附图，上述和其他目的和特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则相同的附图标记在各附图中指代相同的部分，和其中：图1为示出了根据相关技术的引导单元的视图；图2为示出了根据相关技术的引导单元的视图；图3为根据本发明构思的实施例的基板处理设备的从上面观察的视图；图4为示出了当沿a-a方向观察时的图3的基板处理设备的视图；图5为示出了当沿b-b方向观察时的图3的基板处理设备的视图；图6为示出了当沿c-c方向观察时的图3的基板处理设备的视图；图7为示出了安装在图3的涂覆和显影模块中的基板对准装置的截面图；图8为示出了图7的引导单元的立体图；图9为示出了图7的引导单元的截面图；图10为示出了图7的引导单元的截面图；图11a示出了列出根据本发明构思的引导单元和根据相关技术的引导单元的对准结果的表格；图11b示出了列出旋转引导单元和固定引导单元的对准结果的表格；图12为示出了图3的烘烤腔室的截面图；图13为示出了图3的传送机械手的配置的框图；图14为示出了图13的手和测量构件的视图；和图15为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。具体实施方式本发明构思的基板处理设备可用于在诸如半导体晶圆或平板显示器的基板上执行光刻过程。特别地，本发明构思的基板处理设备可连接至光刻机(stepper)，并可在基板上执行涂覆过程和显影过程。在以下描述中，将晶圆用作基板来举例说明。图3至图6为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备1的示意图。图3为基板处理设备1的从上面观察的视图。图4为示出了当沿a-a方向观察时的图3的基板处理设备1的视图。图5为示出了当沿b-b方向观察时的图3的基板处理设备1的视图。图6为示出了当沿c-c方向观察时的图3的基板处理设备1的视图。参照图3至图6，基板处理设备1可包括装载口(loadport)100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块(coatinganddevelopingmodule)400、第二缓冲模块500、前/后曝光处理模块(pre/post-exposureprocessingmodule)600，和接口模块(interfacemodule)700。下文中，第一方向12可指所述装载端口100、所述索引模块200、所述第一缓冲模块300、所述涂覆和显影模块400、所述第二缓冲模块500、所述前/后曝光处理模块600、和所述接口模块700设置的方向。第二方向14可指当从上面观察时垂直于所述第一方向12的方向，和第三方向16可指垂直于所述第一方向12和所述第二方向14的方向。基板w可接收在卡盒(cassettes)20中。卡盒20可具有密封结构。例如，在其前面具有门的前开式晶圆卡盒(frontopenunifiedpods,foups)可用作卡盒20。下文中，将详细描述装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、前/后曝光处理模块600和接口模块700。装载口100可具有安装台(mountingtable)120，在其中接收有基板w的卡盒20放置在安装台120上。安装台120可沿第二方向14排列成一排。图1示出了四个安装台排列成一排的示例。索引模块200可在定位于装载口100的安装台120上的卡盒20和第一缓冲模块300之间传送基板w。索引模块200可包括框架210、索引机械手220和导轨(guiderail)230。框架210可具有矩形平行六面体形状，其内部具有空的空间，且可设置在装载口100和第一缓冲模块300之间。第一缓冲模块300可包括框架310、第一缓冲区(firstbuffer)320、第二缓冲区(secondbuffer)330、冷却腔室(coolingchamber)350和第一缓冲机械手(firstbufferrobot)360。框架310可具有矩形平行六面体形状，其内部具有空的空间，且可设置在索引模块200和涂覆和显影模块400之间。第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却腔室350、和第一缓冲机械手360可位于框架310的内部。第一缓冲区320和第二缓冲区330可暂时存储基板w。第一缓冲机械手360可在第一缓冲区320和第二缓冲区330之间传送基板w。冷却腔室350可用于冷却基板w。涂覆和显影模块400可在曝光过程之前执行用光刻胶涂覆基板w的过程，并且可在曝光过程之后在基板w上执行显影过程。涂覆和显影模块400可具有矩形平行六面体形状。涂覆和显影模块400可包括涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402可设置成彼此垂直分开。根据实施例，涂覆模块401可位于显影模块402的上方。涂覆模块401可执行用诸如光刻胶的光敏材料涂覆基板w的过程，和在光刻胶涂覆过程之前和之后在基板w上的热处理过程，如加热或冷却。涂覆模块401可包括光刻胶涂覆腔室410、烘烤腔室420和传送腔室430。光刻胶涂覆腔室410、传送腔室430和烘烤腔室420可沿第二方向14依序设置。因此，光刻胶涂覆腔室410和烘烤腔室420可在第二方向14上由它们之间的传送腔室430彼此间隔开。光刻胶涂覆腔室410可设置在第一方向12和第三方向16上。附图示出了设置有六个光刻胶涂覆腔室410的示例。烘烤腔室420可在基板w上执行热处理。例如，烘烤腔室420可执行在用光刻胶涂覆基板w之前通过将基板w加热至预定温度来消除基板w上的有机物或水分的预烘烤过程(prebakeprocess)、也可在用光刻胶涂覆基板w之后执行软烘烤过程(softbakeprocess)。此外，烘烤腔室420可在加热过程之后执行冷却基板w的过程。传送腔室430可与第一缓冲模块300的第一缓冲区320并排位于第一方向12上。显影模块402可执行通过向基板w供应显影液以获得基板w上的图案来消除部分光刻胶的显影过程和在显影过程之前或之后的加热或冷却的热处理过程。显影模块402可包括显影腔室460、烘烤腔室470和传送腔室480。显影腔室460、传送腔室480和烘烤腔室470可沿第二方向14依序设置。显影腔室460可具有相同结构。然而，在显影腔室460中使用的显影溶液的类型可以彼此不同。显影腔室460可清除暴露于光的基板w上的光刻胶的区域。此时，暴露于光的保护膜的区域也可被清除。可选地，根据所使用的光刻胶的类型，可以仅去除未暴露于光的光刻胶和保护膜的区域。显影模块402的烘烤腔室470可在基板w上执行热处理。例如，烘烤腔室470可在显影过程之前执行加热基板w的后烘烤过程(postbakeprocess)、在显影过程之后的加热基板w的硬烘烤过程(hardbakeprocess)、以及在烘烤过程之后的冷却加热的基板w的冷却过程。第二缓冲模块500可用作通道，通过该通道基板在涂覆和显影模块400和前/后曝光处理模块600之间运载。此外，第二缓冲模块500可在基板w上执行预定过程，例如冷却过程或边缘曝光过程。第二缓冲模块500可包括框架510、缓冲区520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560。在光刻机执行液体浸没光刻(liquidimmersionlithography)的情况下，前/后曝光处理模块600可在液体浸没光刻期间执行涂覆保护基板w上的光刻胶膜的保护膜的过程。此外，前/后曝光处理模块600可在曝光过程之后执行清洁基板w的过程。此外，在使用化学增幅抗蚀剂(chemicallyamplifiedresist)执行涂覆过程的情况下，前/后曝光处理模块600可执行后曝光烘烤过程。前/后曝光处理模块600可包括前处理模块601和后处理模块602。前处理模块601可在曝光过程之前处理基板w，后处理模块602可在曝光过程之后处理基板w。在前/后曝光处理模块600中，前处理模块601和后处理模块602可彼此完全分离。前处理模块601可包括保护膜涂覆腔室610、烘烤腔室620和传送腔室630。保护膜涂覆腔室610、传送腔室630和烘烤腔室620可沿第二方向14依序设置。因此，保护膜涂覆腔室610和烘烤腔室620可在第二方向14上由它们之间的传送腔室630彼此间隔开。保护膜涂覆腔室610可沿第三方向16垂直设置。可选地，保护膜涂覆腔室610可设置在第一方向12和第三方向16上。烘烤腔室620可沿第三方向16垂直设置。可选地，烘烤腔室620可设置在第一方向12和第三方向16上。后处理模块602可包括清洁腔室660、后曝光烘烤腔室670和传送腔室680。清洁腔室660、传送腔室680和后曝光烘烤腔室670可沿第二方向14依序设置。因此，清洁腔室660和后曝光烘烤腔室670可在第二方向14上由它们之间的传送腔室680彼此间隔开。清洁腔室660可沿第三方向16垂直设置。可选地，清洁腔室660可设置在第一方向12和第三方向16上。后曝光烘烤腔室670可沿第三方向16垂直设置。可选地，后曝光烘烤腔室670可设置在第一方向12和第三方向16上。接口模块700可在前处理模块601和后处理模块602之间传送基板w。接口模块700可包括框架710、第一缓冲区720、第二缓冲区730、和接口机械手740。第一缓冲区720、第二缓冲区730、和接口机械手740可位于框架710的内部。第一缓冲区720和第二缓冲区730可以预定距离彼此垂直间隔开。第一缓冲区720可设置在高于第二缓冲区730的位置上。第一缓冲区720可位于对应于前处理模块601的高度处，且第二缓冲区730可设置在对应于后处理模块602的高度处。当从上面观察时，第一缓冲区720可沿第一方向12与前处理模块601的传送腔室630对准，且第二缓冲区730可沿第一方向12与后处理模块602的传送腔室680对准。根据本发明构思的一实施例，以上配置的基板处理设备可包括安装在涂覆和显影模块400中的基板对准装置800。如图7至图10所示，基板对准装置800可包括腔室810、支承板820和引导单元830。腔室810可具有开口，通过该开口基板传送进或传送出腔室810。腔室810可安装在涂覆模块401和显影模块402中。支承板820可位于腔室810的内部。引导单元830可安装在支承板820上。引导单元830可彼此结合以形成在其间放置有基板w的空间。各引导单元830可包括对准销831和固定体832。对准销831可使基板w对准到适当位置。固定体832可具有支承对准的基板w的边缘的支承表面832a。固定体832可固定地连接至支承板820。对准销831可相对于支承表面832a围绕其轴线旋转。对准销831可包括倾斜部831a和主体831b。倾斜部831a可具有圆锥的或截头圆锥的形状，该形状具有朝其底部逐渐增加的横截面。当基板w沿倾斜部831a下降时，对准销831可绕其轴线旋转。主体831b可从倾斜部831a向下延伸至固定部832，且可具有垂直于支承板820的侧面。主体831b的高度h2可小于基板w的厚度h1。根据实施例，主体831b的高度h2可不小于基板w的厚度h1的一半。例如，主体831b的高度h2可等于基板w的厚度h1的一半。主体831b可具有插入突出物b，且支承表面832a可具有凹槽o，凹槽o中插入有插入突出物b。可选地，主体831b可具有凹槽o，且支承表面832a可具有插入突出物b。插入突出物b可具有直径小于凹槽o的内径的圆柱形状。根据实施例，如图10所示，可将轴承e安装在插入突出物b上或插入到凹槽o中。固定部832可包括支承体832b和支承轴832c。支承体832b可具有圆柱形形状，且支承表面832a可位于支承体832b的顶部上。支承轴832c可从支承体832b延伸，且可固定地连接至支承板820。当放置在引导单元830之间时，基板w可沿倾斜部831a下降。此时，对准销831可旋转以使基板w反弹，从而使与基板w的摩擦最小化。基板w的位置可由主体831b限定。由于主体831b的高度h2大于基板w的厚度h1的一半并小于基板w的厚度h1，由于基板w和主体831b之间的接触而引起的基板w的动能损失可以被优化以用于基板w的对准。因此，引导单元830可比相关技术中的引导单元使基板w更快速地对准到适当位置。图11a示出了列出用如图1所示的传统引导单元g(下文中，称为i型引导单元)、如图2所示的传统引导单元g(下文中，称为ii型引导单元)和本发明构思的引导单元830在0.8mm厚的基板w上多次执行对准测试所获得的结果的表格。定位时间指的是基板w落到引导单元g和引导单元830上并停留在支承表面r和支承表面832a上所花费的时间量。对准误差指的是基板w偏离用于基板w的对准设定的正确位置的距离。i型引导单元的主体v具有比基板w的高度大1mm的高度。用i型引导单元在基板w上的对准测试显示最小定位时间为1.29秒，但是存在基板w未定位的情况。最大对准误差为660微米。如上所述，ii型引导单元未设置主体v。也就是说，ii型引导单元的主体v具有0mm的高度。用ii型引导单元在基板w上的对准测试显示定位时间最短为0.05秒，但是基板w经常未对准，基板w的边缘的一部分放置在了倾斜部s上。最大对准误差为880微米。为了与i型引导单元和ii型引导单元进行比较，本发明构思的引导单元830未旋转。本发明构思的引导单元830的主体831b具有比基板w的厚度小0.5mm的高度。用本发明构思的引导单元830在基板w上的对准测试显示定位时间为0.2秒，且最大对准误差为100微米。在主体831b的高度小于基板w的厚度的情况下，即使引导单元830未旋转，引导单元830也具有比i型引导单元和ii型引导单元更小的对准误差和更短的定位时间。图11b示出了列出用旋转的引导单元和固定的引导单元在0.8mm厚的基板w上多次执行对准测试所获得的结果的表格。定位时间指的是基板w落到引导单元830上并停留在支承表面832a上所花费的时间量。对准误差指的是基板w偏离用于基板w的对准设定的正确位置的距离。对于旋转的引导单元和固定的引导单元，主体831b具有比基板w的厚度小0.5mm的高度。在旋转的引导单元的情况下，定位时间很短，为0.11秒，且最大对准误差为100微米，显示出非常稳定的基板对准结果。在固定的引导单元的情况下，定位时间为0.14秒，与旋转的引导单元的定位时间略有不同，最大对准误差为160微米，显示出非常稳定的基板对准结果。因此，可以看出，基板w在引导件830旋转时比在引导件830不旋转时更快地对准。尽管未在图11b中示出，但是即使主体831b的高度比基板w的厚度大0.9mm，当引导单元830旋转时，基板w也非常稳定地对准。以上关于图11a和图11b描述的内容可以总结如下。当主体831b的高度小于基板w的厚度时，基板w在更短的时间段内稳定地对准。此外，基板w在引导件830旋转时比在引导件830不旋转时更快地对准。图12为示出了根据本发明构思的实施例的烘烤腔室420的视图。烘烤腔室420可包括腔室、支承板820和冷却板820a。腔室可形成烘烤腔室420的外部并可具有在其内处理基板w的空间。支承板820可加热传送到烘烤腔室420中的基板w。用于对准基板w的多个引导单元830安装在支承板820上。冷却板820a可冷却传送到烘烤腔室420中的或是待传送出烘烤腔室420的基板w，从而防止周围装置因基板w的温度而受损。传送到烘烤腔室420中的基板w可开始与支承板820紧密接触以接收来自支承板820的热量。因此，引导单元830中包括的对准销831可直接安装在支承板820上。此外，加热器t可安装在支承板820中以将热量传递至基板w。为了使对准销831在与基板w接触时旋转，支承板820可具有凹槽o，且对准销831可具有分别插入到凹槽o中的插入突出物b。各对准销831的主体831b可具有小于基板w的厚度h1且大于基板w的厚度h1的一半的高度h2。用于冷却基板w的冷却板820a可设置在支承板820的侧面上。在传送经过烘烤处理的基板w进行后处理之前，冷却板820a可降低基板w的温度，从而防止包括传送单元的其他装置因基板w的热量而受损。传送腔室430和480中的传送机械手900可在基板对准装置800、涂覆腔室410、烘烤腔室420和470、以及显影腔室460之间传送基板w。如图13和图14所示，传送机械手900可包括在传送腔室430中。传送机械手900可包括手910、测量构件920和控制器930。手910可将基板w转移至处理腔室或基板对准装置800。测量构件920可设置在手910上。测量构件920可测量基板w的对准状态。控制器930接收来自测量构件920的信号并可确定基板w的对准状态。当坐落在手910上的基板w未对准时，控制器930可控制传送机械手900以将基板w传送至基板对准装置800。下面将参照图15描述使用以上配置的基板处理设备的基板处理方法。传送机械手900可从涂覆和显影模块400中的一个工艺腔室取回基板w。传送机械手900的手910上的测量构件920可测量基板w的对准状态。当确定坐落在手910上的基板w未对准时，传送机械手900可将基板w传送至基板对准装置800。基板w的位置可在基板对准装置800中对准。传送机械手900可从基板对准装置800取回基板w并可将基板w传送至另一个处理腔室。根据本发明构思的实施例，当基板w沿引导单元830的倾斜部831a滑动时，对准销831旋转，从而减小基板w的动能损耗。由于主体831b的高度h2大于基板w的厚度h1的一半且小于基板w的厚度h1，因此，可以使由于基板w和主体831b之间的接触而导致的基板w的动能损失最小化，并由此减少了对准基板w所花费的时间。此外，可以使定位基板w的成功的概率最大化和增加引导单元830的耐用寿命和维护周期。此外，可以减少在更换引导单元830上所花费的费用。在上述实施例中，引导单元830绕其轴线旋转，且引导单元830的主体831b具有小于基板w的厚度的高度。然而，尽管引导单元830绕其轴线旋转，但是主体831b的高度可不小于基板w的厚度。可选地，引导单元830的主体831b的高度可小于基板w的厚度，且引导单元830可不旋转地固定至支承板820。虽然上面已经描述了基板对准装置、基板处理装置和基板处理方法，但是本发明构思不限于上述实施例，并且可以应用于所有用于处理基板的装置。特别地，引导单元830可应用于通过向基板供应液体处理基板的液体处理腔室和用于加热基板烘烤腔室。虽然已经参照实施例描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精髓和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，上述实施例不是限制性的，而是说明性的。当前第1页12当前第1页12