1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体管芯，所述半导体管芯包括第一半导体材料和形成于所述第一半导体材料上的第二半导体材料；以及
互连结构，所述互连结构包括管芯附接区域，其中所述半导体管芯设置在所述互连结构的所述管芯附接区域上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料包括硅。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二半导体材料包括氮化镓或氮化铝镓。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括底部填充材料，所述底部填充材料沉积在所述半导体管芯和所述互连结构的所述管芯附接区域之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述互连结构包括有源器件。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述互连结构包括引线框。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括有源器件，所述有源器件设置在与所述半导体管芯相邻的所述互连结构上方。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述有源器件和所述半导体管芯成共源共栅构型。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括导电通孔，所述导电通孔穿过所述半导体管芯下方的所述互连结构形成。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：
附接到所述互连结构的线夹；和
附接到所述互连结构的焊丝。