技术总结
本实用新型涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体管芯，所述半导体管芯包括第一半导体材料和形成于所述第一半导体材料上的第二半导体材料。互连结构包括管芯附接区域。所述半导体管芯设置在所述互连结构的所述管芯附接区域上方。本实用新型所解决的一个技术问题是为超薄半导体管芯提供支撑。本实用新型所实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。
技术研发人员：戈登·M·格里芙尼亚;S·ST·日尔曼
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
技术研发日：2018.02.07
技术公布日：2018.10.30