一种晶体发光垂直结构LED封装的制作方法

本实用新型涉及一种LED封装技术领域，特别是关于一种晶体发光垂直结构LED封装。

背景技术：

LED因节能性好、使用寿命长的特点，使得其应用面越来越广泛，现有技术的LED芯片包括正装芯片，倒装芯片和垂直结构的芯片；其中垂直结构芯片在结构上更耐大电流和耐高温而得到大规模应用；现有垂直结构封装都是采用荧光粉混硅胶的方式激发，此方式易导致高温荧光失效，硅胶龟裂从而导致LED失效；荧光粉混硅胶涂布不均匀导致光色分布不均；荧光粉混硅胶，荧光粉沉淀或厚度差异导致批量LED色温一致性难以控制。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型的目的是提供一种晶体发光垂直结构LED封装，其晶体厚度和浓度一致性好，使LED发光颜色一致性好，免分光分色，减少生产工序，提高良率。

为实现上述目的，本实用新型采取以下技术方案：一种晶体发光垂直结构LED封装，其特征在于：它包括基板，以及设置在所述基板上部的基板正面线路层和设置在所述基板下部的基板反面线路层；在所述基板内设置有线路导通柱，所述基板正面线路层与所述基板反面线路层通过所述线路导通柱导通；位于所述基板上部中间位置处设置有共晶层，位于所述共晶层上部设置有LED垂直芯片，且所述LED垂直芯片顶部经金线与所述基板正面线路层连接导通；位于所述LED垂直芯片上部还设置有晶体片；透镜两端与所述基板密封连接，且所述透镜将所述晶体片、LED垂直芯片、共晶层和基板正面线路层密封在所述透镜与所述基板之间。

进一步，所述LED垂直芯片采用共晶回流焊方式固定在所述基板上部。

进一步，所述透镜采用凸字形结构，两端与所述基板密封连接。

进一步，所述金线与所述LED垂直芯片、基板正面线路层之间均采用焊接。

进一步，所述晶体片采用固晶机固定设置在所述LED垂直芯片上部。

本实用新型由于采取以上技术方案，其具有以下优点：1、本实用新型激发层晶体耐高温可在同尺寸芯片基础上可做更高功率LED灯珠，降低成本。2、本实用新型从发光源头--激发层来控制解决，激发层采用晶体替换荧光粉混胶层方式激发，晶体耐高温使垂直结构芯片更加耐大电流，能制做出高能量密度的LED；晶体厚度和浓度一致性好，使LED发光颜色一致性好，去掉LED分光分色工序，提高生产效率，提高良率。

附图说明

图1是本实用新型的整体结构示意图；

图2是本实用新型的制作工艺流程示意图。

具体实施方式

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的描述。

如图1所示，本实用新型提供一种晶体发光垂直结构LED封装，其包括基板1，以及设置在基板1上部的基板正面线路层2和设置在基板1下部的基板反面线路层3。在基板1内设置有线路导通柱4，基板正面线路层2与基板反面线路层3通过线路导通柱4导通。位于基板1上部中间位置处设置有共晶层5，位于共晶层5上部设置有LED垂直芯片6，使LED垂直芯片6以共晶回流焊方式固定在基板1上部；且LED垂直芯片6顶部经金线7与基板正面线路层2连接导通。位于LED垂直芯片6上部还设置有晶体片8。透镜9两端与基板1密封连接，且透镜9将晶体片8、LED垂直芯片6、共晶层5和基板正面线路层2密封在透镜9与基板1之间。

上述实施例中，透镜9采用凸字形结构，两端与基板1密封连接。

上述个实施例中，金线7与LED垂直芯片6、基板正面线路层2之间均采用焊接。

上述各实施例中，晶体片8采用固晶机固定设置在LED垂直芯片6上部。且晶体片8采用授权公告号为CN106270523B中的晶体片结构。

综上所述，如图2所示，本实用新型在制作时，包括以下步骤：

1)根据预先设定要求设置基板线路，基板1两面分别铺设基板正面线路层2和基板反面线路层3，且两面线路通过线路导通柱4导通；线路导通柱4设置在基板1内。

2)通过共晶回流焊方式将LED垂直芯片6固定在基板1上部中间位置处；

3)焊接金线7，使LED垂直芯片6顶部电极与基板正面线路层2一端线路导通；

4)通过固晶机将晶体片8固定在LED垂直芯片6的顶部位置；

5)通过烤箱烘烤固定晶体片8；烘烤温度为160℃，烘烤时间为2小时；

6)通过模具用环氧灌封透镜9；

7)通过烤箱烘烤后离模，完成制备；烘烤温度为150℃，烘烤时间为1.5小时。

上述各实施例仅用于说明本实用新型，各部件的结构、尺寸、设置位置及形状都是可以有所变化的，在本实用新型技术方案的基础上，凡根据本实用新型原理对个别部件进行的改进和等同变换，均不应排除在本实用新型的保护范围之外。