专利名称:第Ⅲ族氮化物半导体发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，该方法的特征在于 P焊盘(pad)电极和η电极的形成方式。
背景技术：
常规的具有面朝上(i^ce-up)构造的第III族氮化物半导体发光器件包括由不同材料组成的P焊盘电极和η电极。在制造这种发光器件时，先形成P焊盘电极然后形成η 电极。
可选地，还有一种同时形成ρ焊盘电极和η电极的方法，在日本未经审查的专利申请公报2007-158262号中公开了该方法。在该方法中在ρ型层和η型层上同时形成由镍 /金组成的金属薄膜；对所产生的结构进行热处理；在该金属薄膜上同时形成由钛/金组成的P焊盘电极和η电极；并且再次对所产生的结构进行热处理。使用该方法，镍被扩散到η 型层内并且因此能够减小η型层与η电极之间的接触电阻。另外，同时形成P焊盘电极和 η电极并且因此能够简化制造步骤。
由于ρ焊盘电极不允许光通过，因此希望将具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件制造为使得活性层(active layer)处于ρ焊盘电极正下方的区域不发光，由此提高发光器件的发光效率。例如日本未经审查的专利申请公报10-2四219号、10-144962 号和2000-1Μ502号公开了用于形成这种区域的技术。
在日本未经审查的专利申请公报10_2四219号所公开的技术中在P型层上形成由金属薄膜构成的透明电极；在该透明电极上形成包含与氮反应的金属的P焊盘电极；对所产生的结构进行热处理，使得包含在P焊盘电极内的金属与P型层内的氮发生反应，由此在P型层内产生氮空缺以形成高电阻区域。P型层中该高电阻区域的出现使得活性层在P 焊盘电极正下方的区域不发光。
可选地，根据日本未经审查的专利申请公报10-144962号所公开的技术，通过在ρ 焊盘电极和P型层之间形成η型层来使得活性层在P焊盘电极正下方的区域不发光；或者根据日本未经审查的专利申请公报2000-1Μ502号所公开的技术，通过在ρ焊盘电极和ρ 型层之间形成诸如SiO2的绝缘薄膜来使得活性层在ρ焊盘电极正下方的区域不发光。
发明内容
然而，在先形成ρ焊盘电极然后形成η电极的情况下存在这样一种情况在对ρ焊盘电极进行图案化(pattern)的过程中所使用的光刻胶没有被充分的剥离而是部分地留在通过刻蚀而暴露出的η型层上。在这种情况下，会导致例如η电极从η型层分离这样的问题。
在日本未经审查的专利申请公报2007-158262号中所公开的同时形成ρ焊盘电极和η电极的方法中，透明电极由金属薄膜形成，并且该金属薄膜用来减小η电极和η型层之间的接触电阻。因此，在由例如ITO(具有Sn(锡)掺杂的氧化铟)的氧化物代替金属薄膜形成透明电极的情况下，不能使用日本未经审查的专利申请公报2007-15拟62号中所公开的方法。可以在将由例如ITO的氧化物形成的透明电极沉积在ρ型层上之后使用日本未经审查的专利申请公报2007-15拟62号中所公开的方法。然而，使用这种由例如ITO的氧化物组成的透明电极是因为它具有比金属薄膜更高的透光率并且因此光可以更高效地穿过透明电极发射出来。因此，在将金属薄膜形成于由例如ITO的氧化物组成的透明电极上的情况下，不能提供使用ITO的优势。
在利用日本未经审查的专利申请公报10-229219号、10-144962号和2000-1M502 号所公开的技术使得活性层位于P焊盘电极下方的区域不发光的情况下，制造步骤变得复杂，由此增加了制造成本。特别地，当如日本未经审查的专利申请公报2000-1M502号所公开的使用绝缘膜时，存在绝缘薄膜破裂的情况，因此使用这种技术制造的器件具有低可靠性。
因此，本发明的一个目的是提供一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中即便对于在P型层上形成由例如ITO的氧化物组成的透明电极的情况，仍然能够同时形成P焊盘电极和η电极。本发明的另一个目的是提供一种第III族氮化物半导体发光器件，其中活性层位于P焊盘电极下方的区域不发光，以及提供一种用于制造这种发光器件的方法。
本发明的第一方面是一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括Ρ型层、包含氧化物并且形成于该P型层上的透明电极、包含镍/金并且形成于该透明电极上以及该发光器件的表面侧的P焊盘电极、以及包含镍/ 金并且形成于该发光器件的该表面侧的η电极；该方法包括同时形成P焊盘电极和η电极的步骤。
术语“第III族氮化物半导体”是指例如GaN, AlGaN, InGaN或AlGaInN0第III 族氮化物半导体由通用分子式AlxG￡^ni_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)表示。η 型掺杂的一个例子是硅。P型掺杂的一个例子是镁。
本发明的第二方面是根据第一方面的方法，还包括步骤在形成ρ焊盘电极和η电极的步骤之后，通过在500°C到650°C进行热处理，在紧挨ρ焊盘电极下方的透明电极中形成高电阻区域，其中高电阻区域对P型层的接触电阻高于透明电极中除高电阻区域之外的区域对P型层的接触电阻。
在热处理温度低于500°C的情况下，透明电极中紧挨ρ焊盘电极下方的区域不具有高接触电阻，这不是优选的。在热处理温度高于650°C的情况下，ρ焊盘电极与η电极会分离，这不是优选的。更为优选地，在550°C到600°C的温度范围内进行热处理。
本发明的第三方面是根据第一或第二方面的方法，其中透明电极包含基于氧化铟的材料。
本发明的第四方面是根据第三方面的方法，其中透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任意一种。ITO为掺杂了 Sn (锡)的氧化铟(In2O3)。ICO为掺杂了 Ce (铈) 的氧化铟(In2O3)。
本发明的第五方面是具有面朝上构造的第III族半导体发光器件，该发光器件包括P型层、包含氧化物并且形成于该P型层上的透明电极、包含含有镍或钛的材料并且形成于该透明电极上以及该发光器件的表面侧的P焊盘电极、以及在该发光器件该表面侧的η电极，其中透明电极包括紧挨ρ焊盘电极下方的高电阻区域，其中该高电阻区域对ρ型层的接触电阻高于透明电极中除该高电阻区域之外的其它区域对P型层的接触电阻。
本发明的第六方面是根据第五方面的第III族氮化物半导体发光器件，其中P焊盘电极包含镍/金。
本发明的第七方面是根据第六方面的第III族氮化物半导体发光器件，其中η电
极包含镍/金。
本发明的第八方面是根据第五到第七方面中任一方面的第III族氮化物半导体发光器件，其中透明电极包含基于氧化铟的材料。
本发明的第九方面是根据第八方面的第III族氮化物半导体发光器件，其中透明电极包含ITO或IC0。
本发明的第十方面是根据第五到第九方面中任一方面的第III族氮化物半导体发光器件，其中P焊盘电极和η电极中任一或两者包括用作延伸电极的布线。
根据第一方面，其中ρ焊盘电极和η电极由镍/金组成，即便是在P型层上形成由氧化物组成的透明电极的情况下，可以在热处理之前建立P焊盘电极和透明电极之间的接触，并且可以在热处理之后建立η电极和η型层之间的接触。因此，可以同时形成P焊盘电极和η电极并且因此可以简化发光器件的制造步骤。
根据第二方面，其中ρ焊盘电极包含镍/金并且在500°C至650°C进行热处理，在紧挨P焊盘电极下方的透明电极中形成高电阻区域，使得该区域对P型层的接触电阻高于该透明电极其它区域对P型层的接触电阻。因此，使得活性层中处于透明电极中形成的具有较高接触电阻的高电阻区域正下方的区域不发光，由此提高了该发光器件的发光效率， 因为电流密度变得更大并且将电流更有效地用于发射。可以通过热处理建立η电极和η型层之间的接触。
根据第三方面，透明电极可以包含基于氧化铟的材料。具体地，根据第四方面，透明电极可以包含ITO或IC0。
根据第五方面，当ρ焊盘电极包含含有镍或钛的材料时，形成透明电极内紧邻P焊盘电极下方的高电阻区域，使得该区域对P型层的接触电阻高于该透明电极其它区域的接触电阻。因此，可以使得活性层中处于所形成的具有较高接触电阻的高电阻区域下方的区域不发光，由此提高该发光器件的发光效率。具体地，根据地六方面，P焊盘电极可以包含镍/金。根据第七方面，当η电极包含镍/金而P焊盘电极也包含镍/金时，可以同时形成 P焊盘电极和η电极。
根据第八方面，透明电极可以包含基于氧化铟的材料。具体地，根据第九方面，透明电极可以包含ITO和IC0。
根据第十方面，其中提供作为延伸电极的布线，可以在平面方向以更高等级扩散电流。
图1为示出根据第一实施例的第III族氮化物半导体发光器件构造的截面图；
图2为根据第一实施例的第III族氮化物半导体发光器件的构造的俯视图；
图3为示出为ρ焊盘电极提供延伸电极的变型的俯视图；[0032]图4A至图4D示出根据第一实施例的第III族氮化物半导体发光器件的制造步骤；
图5A至图5D为根据第一实施例的第III族氮化物半导体发光器件的发光模式的照片；
图6为示出根据第二实施例的第III族氮化物半导体发光器件的构造的截面图；
图7为根据第二实施例的第III族氮化物半导体发光器件的构造的俯视图；以及
图8示出根据第二实施例的第III族氮化物半导体发光器件的发光模式的照片。
具体实施方式
此后，参考附图描述本发明的实施例。然而，本发明不局限于这些实施例。
第一实施例
图1为示出根据第一实施例的具有面朝上构造的第III氮化物半导体发光器件的构造的截面图。该第III族氮化物半导体发光器件按照自下而上的次序包括由蓝宝石组成的生长基底10 ；缓冲层；由第III族氮化物半导体组成的η型层11、活性层12和P型层13 ；由ITO组成的透明电极14 ；以及ρ焊盘电极15。该发光器件还包括在η型层11的方形部分上形成的η电极16，通过刻蚀活性层12和ρ型层13的相应部分来暴露该方形部分。透明电极14紧挨ρ焊盘电极15下方的区域17对ρ型层13的接触电阻高于透明电极 14的其它区域对ρ型层13的接触电阻。该发光器件还包括由S^2组成的保护膜18，其目的是抑制电流泄漏和短路电流。保护薄膜18覆盖发光器件结构的上表面中除ρ焊盘电极 15的上表面区域和η电极16的上表面区域之外的部分。
除了蓝宝石基底，生长基底10可以是由不同于第III族氮化物的材料如SiC组成的基底，或者是由例如GaN的第III族氮化物组成的半导体基底。
η型层11、活性层12和ρ型层13可以具有各种已知的结构。具体地，η型层11 和P型层13可以是单层或多层，或者可以包括超晶格层。例如，η型层11可以由η型接触层Ii+-GaN和包括AlGaN/n-GaN的超晶格结构的η型复层(Clad layer)构成；而ρ型层 13可以由包括超晶格结构的ρ型复层和ρ型接触层P-GaN构成，其中该超晶格结构包括多个p-hGaN/p-AWaN的堆叠。活性层12可以具有包括多个hGaN/GaN的堆叠的多量子阱 (MQff)结构、单量子阱(SQW)结构等。
透明电极14形成于除ρ型层13的边缘之外的几乎整个ρ型层13之上。透明电极14允许电流在发光器件的平面方向扩散而不妨碍发光。
ρ焊盘电极15和η电极16都由镍/金/铝组成，其中镍层具有50nm的厚度，金层具有1500nm的厚度而铝层具有IOnm的厚度。形成铝层以提高ρ焊盘电极15和η电极16 对保护膜18的附着程度。然而，并非必须形成铝层，也可以在金层上形成其它金属层。
透明电极14的高电阻区域17紧挨ρ焊盘电极15下方。作为热处理的结果，高电阻区域17具有与透明电极14的其它区域不同的组成。因此，高电阻区域17对ρ型层13 的接触电阻高于透明电极14的其它区域的接触电阻。由于区域17的存在，电流不流向紧挨P焊盘电极15下方的区域17，而是从ρ焊盘电极15的周边沿平面方向向透明电极14流动和扩散。结果，活性层12处于ρ焊盘电极15正下方的区域1 不发光，并且因此活性层 12其它区域的电流密度增大，并且也防止了由于ρ焊盘电极15的存在而导致的发光效率的降低。因此，提高了该发光器件的发光效率。
图2为从生长基底10的上表面侧观察的第III族氮化物半导体发光器件的俯视图。第III族氮化物半导体发光器件在俯视图中具有方形的形状。ρ焊盘电极15和η电极 16形成于该第III族氮化物半导体发光器件的相同的表面侧。ρ焊盘电极15在俯视图中具有圆形的形状。η电极16在俯视图中具有方形的形状。
然而，ρ焊盘电极15和η电极16在俯视图中的形状并不限于这些。为了增强平面方向的电流扩散，可以从P焊盘电极15和/或η电极16延伸出作为延伸电极的具有L形、 U形、鸡冠形或相似形状的布线。例如，图3是一个变型，其中为ρ焊盘电极15提供U形延伸电极19。与ρ焊盘电极15和η电极16相同，这种延伸电极可以由镍/金/铝组成。可选地，可以用与P焊盘电极15和η电极16的材料不同的材料组成延伸电极。在在透明电极14上提供由镍/金/铝组成的延伸电极的情况下，还可以在透明电极14紧挨延伸电极下方的区域形成高阻区域17。
下面参考图4描述用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法按照自下而上的顺序在生长基底10上形成缓冲层、η型层11、活性层12和ρ型层13 (图4Α)。在这种情况下，使用下列源气体 TMG(三甲基镓)作为镓源、TMA(三甲基铝)作为铝源、TMI (三甲基铟)作为铟源、氨作为氮源、硅烷作为硅源用作η型掺杂物以及Cp2Mg( 二茂镁)作为镁源用作ρ型掺杂物。
随后通过气相沉积在ρ型层13上形成透明电极14。然后，在透明电极14和ρ型层13上除要形成η电极16的区域之外的区域形成掩膜。对ρ型层13和活性层12进行干刻蚀，直到在该区域露出η型层11。然后，将掩膜剥离(图4Β)。可选地，可以在通过干刻蚀使η型层11暴露之后形成透明电极14。
然后，通过剥离(liftoff)处理同时形成ρ焊盘电极15和η电极16 (图4C)。在透明电极14的特定区域上形成由镍/金/铝组成的ρ焊盘电极15。在η型层11的特定区域上形成同样由镍/金/铝组成的η电极16。因此，能够在ρ焊盘电极15和透明电极14 之间建立良好的接触。
随后将所产生的结构在降低压力的氧气氛围中在570°C热处理5分钟。结果，形成了透明电极14紧挨ρ焊盘电极15下方的高电阻区域17 ；透明电极14其它区域的电阻减小；并且使P焊盘电极15和η电极16合金化以具有减小的接触电阻(图4D)。
热处理的温度不只限于570°C。应该在500°C至650°C的温度范围内进行热处理。 在热处理温度低于500°C的情况下，不形成高电阻区域17，这不是优选的。在热处理温度高于650°C的情况下，ρ焊盘电极15和η电极16中的镍会扩散而降低ρ焊盘电极15和η电极16分别对透明电极14和η型层11的粘合度。结果，ρ焊盘电极15和η电极16能够分别从透明电极14和η型层11分离，这不是优选的。更优选地，在550°C至600°C的温度范围内进行热处理。在通过在500°C至550°C的温度范围内进行热处理而制造的发光器件中， 小电流流向紧挨P焊盘电极15下方的区域，因此活性层12处于ρ焊盘电极15正下方的区域1 发射一定量的光。相比之下，在通过在550°C或更高的温度范围内进行热处理而制造的发光器件中，区域17的接触电阻进一步增大并且因此能够使得区域1 不发光。
优选地，将热处理进行1至60分钟。在热处理少于一分钟的情况下，可能出现高电阻区域17未形成以及热处理的效果不具有稳定性的情况，这不是优选的。超过60分钟的热处理不适于批量生产。另外，超过60分钟的热处理不是优选的，因为这与超过650°C的热处理一样，会造成例如ρ焊盘电极15以及η电极16的分离这样的缺点。
热处理不是必须在氧气氛围下进行，而可以在不包含氧气的氛围下进行。
在热处理之后，在所产生的结构上除ρ焊盘电极15的区域和η电极16的区域之外的区域形成保护膜18。这样，图1所示的第III族氮化物半导体发光器件被制作完成。
在第一实施例的制作方法中，同时形成ρ焊盘电极15和η电极16，因此简化了该方法的制作步骤。P焊盘电极15和η电极16由镍/金/铝组成，因此，作为热处理的结果， 可以在P焊盘电极15和由ITO组成的透明电极14之间、以及在η电极16和η型层11之间建立良好的接触。可以通过用于将P焊盘电极15和η电极16合金化的热处理来形成区域17。结果，可以使得活性层12处于ρ焊盘电极15下方的区域1 不发光，以在没有任何额外制作步骤的情况下提高发光器件的发光效率。
图5A至图5D示出在20mA下操作的第III族氮化物半导体发光器件的发光模式的照片。这些发光器件是通过在形成P焊盘电极15和η电极16之后在不同温度下进行热处理而制作出来的。这些照片是从生长基底10的后表面侧，即与图2所示的那一侧相反的表面侧拍摄的。图5Α对应没有进行热处理的情况。图5Β对应在300°C下进行热处理的情况。图5C对应在500°C下进行热处理的情况。图5D对应在570°C下进行热处理的情况。在图5A和图5B中，除了被刻蚀以用来形成η电极16的区域之外的几乎整个表面发光。相比之下，在图5C中，形成ρ焊盘电极15的区域发射较弱的光。在图5D中，形成ρ焊盘电极15 的区域基本上不发光。
在由ITO组成的透明电极14上形成由镍/金组成的ρ焊盘电极15，并且对所产生的结构进行热处理，由此在紧挨P焊盘电极15下方形成高电阻区域17，该区域17具有比透明电极14的其它区域的接触电阻更高的接触电阻。据推测这是由于镍倾向于俘获氧并且易于被氧化。在热处理期间镍从紧挨P焊盘电极15下方的透明电极14俘获氧，由此形成具有与原本的透明电极14不同组成的区域17。由于与透明电极14不同的组成，区域 17具有比透明电极14其它区域的接触电阻更高的接触电阻。热处理还导致镍的氧化从而在透明电极14和ρ焊盘电极15之间的界面处产生氧化镍。据推测这是区域17具有增大的接触电阻的另一个原因。
因此，如ρ焊盘电极15由镍/金组成的情况，通过使用包含易于被氧化的金属元素的材料形成P焊盘电极15，这据推测能够形成紧挨P焊盘电极15下方的具有较高接触电阻的高电阻区域17。
第二实施例
图6为示出根据第二实施例的具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的构造的截面图。该第III族氮化物半导体发光器件按照从下向上的顺序包括由蓝宝石组成的生长基底10 ；缓冲层；η型层11 ；由第III族氮化物半导体组成的活性层12和P型层13 ；由ICO (掺杂了铈的氧化铟)组成的透明电极M ；以及ρ焊盘电极15。该发光器件还包括在η型层11的方形部分上形成的η电极16，通过刻蚀ρ型层13的相应部分来暴露该方形部分。使用第一实施例的第III族氮化物半导体发光器件中的相似的附图标记指示第二实施例的发光器件中的相似单元。透明电极M紧挨P焊盘电极15下方的高电阻区域 27对ρ型层13的接触电阻高于透明电极M的其它区域对ρ型层13的接触电阻。[0062]图7为从生长基底10的上表面侧观看的第二实施例的第III族氮化物半导体发光器件的俯视图。在该第III族氮化物半导体发光器件的相同表面侧形成P焊盘电极15 和η电极16。在俯视图中该第III族氮化物半导体发光器件具有矩形的形状，该矩形的纵向方向为P焊盘电极15和η电极16的连线方向。
用与第一实施例的第III族氮化物半导体发光器件的高电阻区域17相同的形成方式形成高电阻区域27。透明电极M的区域27紧挨ρ焊盘电极15下方。作为热处理的结果，区域27具有与透明电极M的其它区域不同的组成。因此，区域27对ρ型层13的接触电阻高于透明电极M的其它区域的接触电阻。因此，活性层12中位于区域27下方的区域1 不发光，由此提高了该发光器件的发光效率。
可以通过与第一实施例的第III族氮化物半导体发光器件的制造步骤相似的制造步骤制造第二实施例的第III族氮化物半导体发光器件。第二实施例的发光器件能够提供与第一实施例的发光器件相似的优点。具体地，在第二实施例的制造步骤中，能够同时形成P焊盘电极15和η电极16。这是因为P焊盘电极15和η电极16由镍/金/铝组成，因此，作为热处理的结果，能够在P焊盘电极15和由ICO组成的透明电极M之间、以及在η 电极16和η型层11之间建立良好的接触。能够通过该热处理形成高电阻区域27。结果， 能够在没有任何额外制造步骤的情况下提高该发光器件的发光效率。
图8示出在ImA下操作的第III族氮化物半导体发光器件的发光模式的照片。在形成P焊盘电极15和η电极16之后，在进行热处理之前和之后拍摄这些照片。从生长基底10的后表面侧，即与图7所示的一侧相反的表面侧拍摄这些照片。图8(a)和图8(b)对应透明电极M中的铈含量为5% (重量百分比)的情况。图8(a)为热处理之前拍摄的照片而图8(b)为热处理之后拍摄的照片。图8(c)和图8(d)对应透明电极M中的铈含量为 10% (重量百分比)的情况。图8 (c)为热处理之前拍摄的照片而图8(d)为热处理之后拍摄的照片。图8(e)和图8(f)对应透明电极M中的铈含量为20% (重量百分比)的情况。 图8(e)为热处理之前拍摄的照片而图8(f)为热处理之后拍摄的照片。为了比较，还示出了除了用由ITO组成的透明电极代替由ICO组成的透明电极M之外具有同样构造的第III 族氮化物半导体发光器件的发光模式。图8(g)为热处理之前拍摄的照片而图8(h)为热处理之后拍摄的照片。
如图8所示，在热处理之前，除了形成η电极16的区域之外的几乎整个表面发光， 而热处理之后，形成P焊盘电极15的区域基本不发光。铈含量的变化不会导致热处理之后的发光模式的显著变化。使用ICO情况下热处理之后的发光模式与使用ITO情况下热处理之后的发光模式没有明显区别。因此，在使用基于氧化铟的材料形成透明电极的情况下，据推测可以在热处理之后获得与使用ITO的情况相似的发光模式。据推测由于氧与ρ焊盘电极15的材料反应以改变如上所述的透明电极的组成而形成具有高接触电阻的区域17和 27。由于这个原因，当使用具有足够高的透明度和导电性的氧化物作为透明电极的材料时， 据推测可以得到与P焊盘电极15相应的区域不发光的发光模式。
在第一和第二实施例中，同时形成ρ焊盘电极和η电极。可选地，在使用不同材料且不同时形成ρ焊盘电极和η电极的情况下，可以通过使用镍/金形成P焊盘电极并在 500°C至650°C进行热处理来使得透明电极紧挨ρ焊盘电极下方的区域如该实施例中的情况具有增大的接触电阻。在使用除镍/金之外的材料形成η电极的情况下，例如可以使用钒/铝。
在第一和第二实施例中，用镍/金形成ρ焊盘电极15。可选地，在使用含有钛的材料如钛/金形成P焊盘电极的情况下，通过进行热处理可以使得透明电极紧挨P焊盘电极下方的区域具有比透明电极其它区域更高的接触电阻。应注意，即便对钛/金进行热处理也不能提供钛/金与η型层11之间的良好接触。由于这一原因，应该使用除钛/金之外的材料形成η电极，并且应该分别形成ρ焊盘电极和η电极。
根据本发明的第III族氮化物半导体发光器件可以用作显示设备和照明设备的光源。
权利要求
1.一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述发光器件包括P型层、包含氧化物并且形成于所述P型层上的透明电极、包含镍/金并且形成于所述透明电极上以及所述发光器件的表面侧的ρ焊盘电极、以及包含镍/金并且形成于所述发光器件的所述表面侧的η电极；所述方法包括同时形成所述ρ焊盘电极和所述η电极的步骤。
2.根据权利要求
1所述的方法，还包括步骤在形成所述ρ焊盘电极和所述η电极的步骤之后，通过在500°C至650°C进行的热处理，在所述透明电极中紧挨所述ρ焊盘电极下方形成高电阻区域，其中所述高电阻区域对所述P型层的接触电阻高于所述透明电极中除所述高电阻区域之外的区域对所述P型层的接触电阻。
3.根据权利要求
1所述的方法，其中所述透明电极包含基于氧化铟的材料。
4.根据权利要求
2所述的方法，其中所述透明电极包含基于氧化铟的材料。
5.根据权利要求
3所述的方法，其中所述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任何一种。
6.根据权利要求
4所述的方法，其中所述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任何一种。
7.一种具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件包括Φ型层、包含氧化物并且形成于所述P型层上的透明电极、包含含有从由镍和钛构成的组中选择的任何一种的材料并且形成于所述透明电极上以及所述发光器件的表面侧的P焊盘电极、以及在所述发光器件的所述表面侧的η电极，其中所述透明电极包括紧挨所述P焊盘电极下方的高电阻区域，所述高电阻区域对所述P型层的接触电阻高于所述透明电极中除所述高电阻区域之外的区域对所述P型层的接触电阻。
8.根据权利要求
7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述ρ焊盘电极包含镍/ 金。
9.根据权利要求
8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述η电极包含镍/金。
10.根据权利要求
7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述透明电极包含基于氧化铟的材料。
11.根据权利要求
8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述透明电极包含基于氧化铟的材料。
12.根据权利要求
9所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述透明电极包含基于氧化铟的材料。
13.根据权利要求
10所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任意一种。
14.根据权利要求
11所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任意一种。
15.根据权利要求
12所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任意一种。
16.根据权利要求
7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述ρ焊盘电极和所述η电极中的任意一个或两者都包括用作延伸电极的布线。
17.根据权利要求
9所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述P焊盘电极和所述η电极中的任意一个或两者都包括用作延伸电极的布线。
专利摘要
提供一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括p型层和由ITO组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的p焊盘电极和n型层上的n电极。p焊盘电极和n电极由镍/金组成。将所产生的结构在570℃进行热处理从而能够在p焊盘电极和n电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨p焊盘电极下方的区域，该区域与p型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与p型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。
文档编号H01L33/00GKCN101714599 B发布类型授权 专利申请号CN 200910175610
公开日2012年1月18日 申请日期2009年9月24日
发明者破田野贵司, 神谷真央 申请人:丰田合成株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan专利引用 (3),