三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种封装基板的制作方法和封装芯片的制作方法。
【背景技术】
[0002]随着无线通信、汽车电子和其他消费类电子产品的快速发展，微电子封装技术向着多功能、小型化、便携式、高速度、低功耗和高可靠性的方向发展。其中，系统级封装(System In a Package，简称SIP)是一种新型的封装技术，能够有效减小封装面积。
[0003]三层封装基板是芯片封装过程中经常用到的封装基板，现有的三层基板的制作方法一般是在承载板的双面涂覆临时键合材料再压合ABF树脂之后，使用增层法形成线路，进行三次增层加工后在承载板的双面形成两个三层封装基板，将该两个三层封装基板从所述承载板上揭下来，形成两个三层无芯封装基板，但是，现有技术中所采用的ABF树脂，价格比较昂贵，且所述三层封装基板中相邻两层ABF树脂之间的压合条件不同，从而在相邻两层ABF树脂之间存在内部应力，造成三层封装基板翘曲。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明实施例提供一种三层封装基板的制作方法及封装芯片的制作方法，以降低三层封装基板的制作成本，并且能够避免三层封装基板的翘曲现象。
[0005]第一方面，本发明实施例提供了一种三层封装基板的制作方法，包括:
[0006]制作用于承载至少一个芯片的承载板，所述承载板包括依次层叠于所述承载板第一表面上的第一线路、第一半固化片、第二线路、第二半固化片和第二铜箔，其中，所述第一线路包括第一电极和第一电路，所述第二线路包括第二电极、第三电极和第二电路；
[0007]对所述承载板进行第一次钻孔，以形成具有至少一个第一盲孔的第一盲孔结构，其中，所述第一盲孔贯穿所述第二铜箔、第二半固化片、第二电极和第一半固化片直至所述第一电极；
[0008]对所述第一盲孔结构进行整面镀铜，以填充所述至少一个第一盲孔并在进行第一次钻孔后的第二半固化片和所述承载板中相对于第一表面的第二表面形成第一镀铜层；
[0009]对所述第一镀铜层进行第二次钻孔，以形成具有至少一个第二盲孔的第二盲孔结构，其中，所述第二盲孔贯穿进行第一次钻孔后的第二半固化片表面的第一镀铜层和第二半固化片直至所述第三电极；
[0010]去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层，并在所述第二盲孔结构中具有第一盲孔和第二盲孔的一面形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层，所述第三线路包括第四电极和第三电路，其中，所述第四电极上形成有铜柱；
[0011]刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来，形成三层封装基板。
[0012]进一步地，所述承载板包括金属板材，所述制作用于承载至少一个芯片的承载板包括:
[0013]在所述金属板材的双面形成多层金属层，所述多层金属包括位于所述金属板材第一表面的第一多层金属层和位于所述金属板材第二表面的第二多层金属层，所述第一多层金属层和第二多层金属层分布包括依次层叠的缓冲层、金属层和种子层；
[0014]在第一多层金属层上形成第一线路，其中，所述第一线路包括第一电极和第一电路；
[0015]在所述第一线路上依次低温压合第一半固化片和第一铜箔，并刻蚀所述第一铜箔形成第二线路，其中，所述第二线路包括第二电极、第三电极和第二电路；
[0016]在所述第二线路上依次高温压合第二半固化片和第二铜箔。
[0017]进一步地，对所述承载板进行第一次钻孔之后，对所述第一盲孔结构进行整面镀铜之前，所述方法还包括:
[0018]对所述第一盲孔结构进行第一次化学镀铜，形成第一化学镀铜层。
[0019]进一步地，对所述承载板进行第一次钻孔之后，对所述第一盲孔结构进行整面镀铜之前，以及对所述第一镀铜层进行第二次钻孔之后，去除所述第二盲孔结构表面的所述第一镀铜层之前，所述方法还包括:
[0020]对所述第一盲孔进行除胶渣处理，以及对所述第二盲孔进行除胶渣处理。
[0021]进一步地，去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层，并在所述第二盲孔结构中具有第一盲孔和第二盲孔的一面形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层包括:
[0022]去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层；
[0023]对去除所述第一镀铜层的第二盲孔结构进行第二次化学镀铜，形成第二化学镀铜层；
[0024]在所述第二化学镀铜层上形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层，所述第三线路包括第四电极和第三电路，在所述第四电极上形成铜柱；
[0025]将所述第二化学镀铜层进行闪蚀后形成第三线路。
[0026]进一步地，刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来包括:
[0027]在形成第三线路的第二盲孔结构的双面压合保护膜；
[0028]刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路一面的保护膜，裸露出所述第二盲孔结构中位于承载板第二表面的第二镀铜层；
[0029]刻蚀裸露出的所述第二镀铜层，裸露出所述第二多层金属层；
[0030]刻蚀裸露出的所述第二多层金属层，裸露出所述金属板材；
[0031]刻蚀裸露出的所述金属板材，裸露出所述第一多层金属层；
[0032]刻蚀裸露出的所述第一多层金属层形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来。
[0033]进一步地，刻蚀裸露出的所述第一多层金属层形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来之后，所述方法还包括:
[0034]去除第二盲孔结构中具有第三线路一面上的保护膜；
[0035]对去除保护膜后的第二盲孔结构中具有第三线路一面进行表面处理，其中，所述表面处理为有机保焊膜、化学镍金、化学镍钯金、抗氧化、化学镀纯锡或电镀纯锡中的任意一种方式。
[0036]进一步地，所述方法还包括:
[0037]在所述窗口中裸露出来的第一线路上形成焊球。
[0038]第二方面，本发明实施例还提供了一种封装芯片的制作方法，包括:
[0039]采用第一方面所述的三层封装基板的制作方法制作三层封装基板；
[0040]在所述三层封装基板的所述铜柱上焊装贴合至少一个芯片，并对所述至少一个芯片进行塑封处理，以形成塑封结构；
[0041]对所述塑封结构进行切割，形成封装芯片。
[0042]第三方面，本发明实施例提供了一种三层封装基板，所述三层封装基板采用第一方面所述的三层封装基板的制作方法制得。
[0043]本发明实施例提供的三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板，通过在承载板上制作依次层叠的第一线路、第一半固化片、第二线路、第二半固化片和第二铜箔，对所述承载板进行第一次钻孔后形成第一盲孔结构，对第一盲孔结构进行整面镀铜，以填充所述至少一个第一盲孔并在进行第一次钻孔后的第二铜箔表面和所述承载板中相对于第一表面的第二表面形成第一镀铜层，对第一镀铜层进行第二次钻孔后形成第二盲孔结构，去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层，并在所述第二盲孔结构中具有第一盲孔和第二盲孔的一面形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层，所述第三线路包括第四电极和第三电路，其中，所述第四电极上形成有铜柱，刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来，形成三层封装基板，由于制作第一线路和第二线路时第一半固化片和第二半固化片的固化条件相同，因此在第一半固化片和第二半固化片之间不存在内部应力，从而避免了三层封装基板的翘曲现象，且使用半固化片能够降低封装基板的制作成本。
【附图说明】
[0044]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0045]图1是本发明一个实施例的三层封装基板的制作方法的流程图；
[0046]图1a-图1d为实现图1中步骤11各阶段对应的结构剖面示意图