0123]步骤25、去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层，并在所述第二盲孔结构中具有第一盲孔和第二盲孔的一面形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层，所述第三线路包括第四电极和第三电路，其中，所述第四电极上形成有铜柱。
[0124]步骤26、刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来，形成三层封装基板。
[0125]步骤27、在所述三层封装基板的所述铜柱上焊装贴合至少一个芯片，并对所述至少一个芯片进行塑封处理，以形成塑封结构。
[0126]步骤28、对所述塑封结构进行切割，形成封装芯片。
[0127]在本实施例中，步骤21至步骤26分别与上述实施例中的步骤11至步骤16相同，在此不再赘述。
[0128]请参见图8，图8是实现图7中步骤27对应的剖面结构示意图，在铜柱24上贴合至少一个芯片26，在所述至少一个芯片26上形成塑封材料27后用聚四氟乙烯平板或涂覆聚四氟乙烯的金属平板对所述塑封材料进行压合，形成塑封结构。
[0129]请参见图9，图9是实现图7中步骤28对应的剖面结构示意图，对所述塑封结构进行切割，切除三层封装基板中的金属框架后形成封装芯片26。
[0130]本发明实施例提供的封装芯片的制作方法，通过在封装基板的铜柱24上贴合至少一个芯片，并进行塑封处理后形成塑封结构，对所述塑封结构进行切割，形成封装芯片，其中，所述封装基板为三层无芯封装基板，由于封装基板中相邻两层半固化片采用一次高温压合进行固化，因此不会出现封装基板翘曲的现象，从而提高了封装芯片的可靠性。
[0131]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种三层封装基板的制作方法，其特征在于，包括: 制作用于承载至少一个芯片的承载板，所述承载板包括依次层叠于所述承载板第一表面上的第一线路、第一半固化片、第二线路、第二半固化片和第二铜箔，其中，所述第一线路包括第一电极和第一电路，所述第二线路包括第二电极、第三电极和第二电路； 对所述承载板进行第一次钻孔，以形成具有至少一个第一盲孔的第一盲孔结构，其中，所述第一盲孔贯穿所述第二铜箔、第二半固化片、第二电极和第一半固化片直至所述第一电极； 对所述第一盲孔结构进行整面镀铜，以填充所述至少一个第一盲孔并在进行第一次钻孔后的第二半固化片和所述承载板中相对于第一表面的第二表面形成第一镀铜层； 对所述第一镀铜层进行第二次钻孔，以形成具有至少一个第二盲孔的第二盲孔结构，其中，所述第二盲孔贯穿进行第一次钻孔后的第二半固化片表面的第一镀铜层和第二半固化片直至所述第三电极； 去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层，并在所述第二盲孔结构中具有第一盲孔和第二盲孔的一面形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层，所述第三线路包括第四电极和第三电路，其中，所述第四电极上形成有铜柱； 刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来，形成三层封装基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述承载板包括金属板材，所述制作用于承载至少一个芯片的承载板包括: 在所述金属板材的双面形成多层金属层，所述多层金属包括位于所述金属板材第一表面的第一多层金属层和位于所述金属板材第二表面的第二多层金属层，所述第一多层金属层和第二多层金属层分布包括依次层叠的缓冲层、金属层和种子层； 在第一多层金属层上形成第一线路，其中，所述第一线路包括第一电极和第一电路； 在所述第一线路上依次低温压合第一半固化片和第一铜箔，并刻蚀所述第一铜箔形成第二线路，其中，所述第二线路包括第二电极、第三电极和第二电路； 在所述第二线路上依次高温压合第二半固化片和第二铜箔。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述承载板进行第一次钻孔之后，对所述第一盲孔结构进行整面镀铜之前，所述方法还包括: 对所述第一盲孔结构进行第一次化学镀铜，形成第一化学镀铜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述承载板进行第一次钻孔之后，对所述第一盲孔结构进行整面镀铜之前，以及对所述第一镀铜层进行第二次钻孔之后，去除所述第二盲孔结构表面的所述第一镀铜层之前，所述方法还包括: 对所述第一盲孔进行除胶渣处理，以及对所述第二盲孔进行除胶渣处理。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层，并在所述第二盲孔结构中具有第一盲孔和第二盲孔的一面形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层包括: 去除所述第二盲孔结构表面的第一镀铜层； 对去除所述第一镀铜层的第二盲孔结构进行第二次化学镀铜，形成第二化学镀铜层； 在所述第二化学镀铜层上形成第三线路以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层，所述第三线路包括第四电极和第三电路，在所述第四电极上形成铜柱； 将所述第二化学镀铜层进行闪蚀后形成第三线路。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来包括: 在形成第三线路的第二盲孔结构的双面压合保护膜； 刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路一面的保护膜，裸露出所述第二盲孔结构中位于承载板第二表面的第二镀铜层； 刻蚀裸露出的所述第二镀铜层，裸露出所述第二多层金属层； 刻蚀裸露出的所述第二多层金属层，裸露出所述金属板材； 刻蚀裸露出的所述金属板材，裸露出所述第一多层金属层； 刻蚀裸露出的所述第一多层金属层形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来。
7.根据权利6所述的方法，其特征在于，刻蚀裸露出的所述第一多层金属层形成窗口，所述窗口将所述第一线路裸露出来之后，所述方法还包括: 去除第二盲孔结构中具有第三线路一面上的保护膜； 对去除保护膜后的第二盲孔结构中具有第三线路一面进行表面处理，其中，所述表面处理为有机保焊膜、化学镍金、化学镍钯金、抗氧化、化学镀纯锡或电镀纯锡中的任意一种方式。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 在所述窗口中裸露出来的第一线路上形成焊球。
9.一种封装芯片的制作方法，其特征在于，包括: 采用权利要求1-8任一项所述的三层封装基板的制作方法制作三层封装基板； 在所述三层封装基板的所述铜柱上焊装贴合至少一个芯片，并对所述至少一个芯片进行塑封处理，以形成塑封结构； 对所述塑封结构进行切割，形成封装芯片。
10.一种三层封装基板，其特征在于，所述三层封装基板采用权利要求1-8任一项所述的三层封装基板的制作方法制得。
【专利摘要】本发明公开了一种三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板。所述三层封装基板的制作方法包括在承载板的第一表面依次形成第一线路、第一半固化片、第二线路、第二半固化片和第二铜箔，第一次钻孔后形成贯穿第二铜箔直至第一电极的第一盲孔，整面镀铜后填充第一盲孔并形成第一镀铜层，进行第二次钻孔形成贯穿第一镀铜层直至第三电极的第二盲孔，去除第二盲孔表面的第一镀铜层，并在第二盲孔的一面形成第三线路以及在承载板的第二表面形成第二镀铜层，第三线路上形成有铜柱；刻蚀没有第三线路的另一面形成窗口，将第一线路裸露出来，形成三层封装基板。本发明的三层封装基板能够避免基板翘曲现象，且能降低制作成本。
【IPC分类】H01L21-48, H01L23-498, H01L21-60
【公开号】CN104538314
【申请号】CN201410837931
【发明人】于中尧, 孙瑜, 郭学平, 方志丹
【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月29日