层23，所述第三线路21包括第四电极211和第三电路212，其中，所述第四电极211上形成有铜柱24。
[0084]具体地，参见图5a_图5d，图5a_图5d为实现图1中步骤15各阶段的剖面结构示意图，所述步骤15可包括:
[0085]步骤151、去除所述第二盲孔a2结构表面的第一镀铜层19。
[0086]参见图5a，将第二盲孔a2结构中第二半固化片16表面的第一镀铜层19全部去除掉，在此过程中，位于第二半固化片16表面的第一化学镀铜层18也被去除掉，以及位于第二盲孔a2中的部分第一镀铜层19也被刻蚀掉，以及位于所述承载板第二表面的第一镀铜层19和第二多层金属层中的种子层123也被去除掉。
[0087]步骤152、对去除所述第一镀铜层19的第二盲孔a2结构进行第二次化学镀铜，形成第二化学镀铜层20。
[0088]参见图5b，通过第二次化学镀铜，在第二盲孔a2、第二半固化片16表面、第一盲孔al中的第一镀铜层19表面以及所述承载板第二表面的金属层122上形成第二化学镀铜层20，所述第二化学镀铜层20的厚度优选为0.5-1.5um。
[0089]步骤153、在所述第二化学镀铜层20上形成第三线路21以及在所述承载板的第二表面形成第二镀铜层23。
[0090]参见图5c，可先在第二化学镀铜层20上压合干膜并图案化所述干膜形成第三线路掩蔽膜，进行图形电镀后在所述第二化学镀铜层20上形成第三线路21，并在所述承载板第二表面的第二化学镀铜层20上形成第二镀铜层23，之后去除所述第三线路掩蔽膜。
[0091]参见图5d，形成第三线路21后，在所述第三线路21上压合干膜，曝光显影后形成铜柱掩蔽膜，根据所述铜柱掩蔽膜，进行电镀之后，在所述第四电极211上形成铜柱24，之后去除所述铜柱掩蔽膜，所述铜柱24的高度优选为40-80um，在后续工艺中，能够作为芯片与外部电路进行连接的电极。
[0092]步骤154、将所述第二化学镀铜层进行闪蚀后形成第三线路。
[0093]请继续参见图5d，形成第三线路以及铜柱以后，由于在第二半固化片12表面和第三线路之间存在第二化学镀铜层20，可以用闪蚀溶液快速闪蚀掉位于第二半固化片16表面的第二化学镀铜层20，形成第三线路21。
[0094]步骤16、刻蚀所述第二盲孔a2结构中没有第三线路21的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路13裸露出来，形成三层封装基板。
[0095]具体地，参见图6a_图6g，图6a_图6g为实现图1中步骤16各阶段对应的剖面结构示意图，所述刻蚀所述第二盲孔a2结构中没有第三线路21的另一面形成窗口，所述窗口将所述第一线路13裸露出来，形成三层封装基板可包括:
[0096]步骤161、在形成第三线路21的第二盲孔结构的双面压合保护膜A。
[0097]参见图6a，在第三线路21上以及第二镀铜层23上分别压合保护膜A，其中，位于第三线路21上的保护膜A能够防止在形成窗口的过程中腐蚀液对第三线路21造成腐蚀。
[0098]步骤162、刻蚀所述第二盲孔结构中没有第三线路21—面的保护膜A，裸露出所述第二盲孔a2结构中位于承载板第二表面的第二镀铜层23。
[0099]参见图6b，对第二盲孔a2结构中没有第三线路21 一面的保护膜A进行光刻，曝光显影后将位于承载板第二表面的第二镀铜层23裸露出来。
[0100]步骤163、刻蚀裸露出的所述第二镀铜层23，裸露出所述第二多层金属层。
[0101]参见图6c，刻蚀裸露出的第二镀铜层23，裸露出第二多层金属层。
[0102]步骤164、刻蚀裸露出的所述第二多层金属层，裸露出金属板材11。
[0103]参见图6d，由于在去除第一镀铜层19的过程中，第二多层金属层中的种子层123已经被去除掉，因此，裸露出来的是第二多层金属层122中的金属层122和缓冲层121，用金属腐蚀液刻蚀裸露出的金属层122后裸露出缓冲层121，用铜腐蚀液将裸露出的缓冲层121刻蚀掉，裸露出金属板材11。
[0104]步骤165、刻蚀裸露出的所述金属板材11，裸露出所述第一多层金属层。
[0105]参见图6e，采用金属刻蚀液将裸露出的金属板材11进行刻蚀，裸露出位于金属板材11第一表面的多层金属层。
[0106]步骤166、刻蚀裸露出的所述第一多层金属层形成窗口，所述窗口将所述第一线路13裸露出来。
[0107]参见图6f、分别用铜腐蚀液刻蚀第一多层金属层中的缓冲层121，用金属腐蚀液刻蚀第一多层金属层中的金属层122，用铜腐蚀液刻蚀第一多层金属层的种子层123，在此过程中，由于种子层123的厚度比较薄，只有lum-2um，为了避免对位于种子层123上的第一线路13造成腐蚀，优选采用闪蚀药水将第一多层金属层中的种子层123快速蚀刻掉，尽量减少闪蚀药水对第一线路13的腐蚀。之后去除所述保护膜A，形成一个无芯三层封装基板，这种三层无芯封装基板本身带有较厚的金属支撑框架。使用时将带有金属支撑框架的基板上进行封装加工，操作比较方便。
[0108]优选的，刻蚀裸露出的所述第一多层金属层122形成窗口，所述窗口将所述第一线路13裸露出来之后，所述方法还包括:
[0109]步骤167、去除第二盲孔结构中具有第三线路21 —面上的保护膜A。
[0110]在窗口形成之后，去除位于第三线路21 —面上的保护膜A。
[0111]步骤168、对去除保护膜A后的第二盲孔结构中具有第三线路21 —面进行表面处理，其中，所述表面处理为有机保焊膜、化学镍金、化学镍钯金、抗氧化、化学镀纯锡或电镀纯锡中的任意一种方式。
[0112]为了提高本发明封装基板的质量，在去除保护膜A之后对第二盲孔结构中具有第三线路21—面进行表面处理，其中，所述表面处理为有机保焊膜(OSP)、化学镍金(ENIG)、化学镍钯金(ENEPIG)、抗氧化、化学镀纯锡或电镀纯锡中的任意一种方式。
[0113]优选的，在步骤168之后，所述方法还包括:
[0114]步骤169、在所述窗口中裸露出来的第一线路13上形成焊球25。
[0115]参见图6g，在窗口中裸露出来的第一线路13上形成焊球25。
[0116]本发明实施例还提供了一种三层封装基板，所述三层封装基板采用上述实施例提供的三层封装基板的制作方法制得。
[0117]本发明实施例提供的三层封装基板的制作方法和三层封装基板，所述封装基板中第一半固化片和第二半固化片采用一次高温压合进行固化，相邻两层半固化片之间不存在内部应力，因此不会出现基板翘曲现象，采用金属板材作为承载板，三层基板制作完成后，带有金属支撑框架，金属支撑框架具有较高的刚性使得超薄的三层无芯封装基板使用方便、易于拿持，第一线路、第二线路和第三线路通过盲孔与外部电路连接，与承载板无电气连接，此外，采用半固化片能够降低封装基板的制作成本。
[0118]图7是本发明另一实施例的封装芯片的制作方法的流程图，该实施例以上述实施例中的封装基板的制作方法为基础，参见图7，所述方法包括:
[0119]步骤21、制作用于承载至少一个芯片的承载板，所述承载板包括依次层叠于所述承载板第一表面上的第一线路、第一半固化片、第二线路、第二半固化片和第二铜箔，其中，所述第一线路包括第一电极和第一电路，所述第二线路包括第二电极、第三电极和第二电路。
[0120]步骤22、对所述承载板进行第一次钻孔，以形成具有至少一个第一盲孔的第一盲孔结构，其中，所述第一盲孔贯穿所述第二铜箔、第二半固化片、第二电极和第一半固化片直至所述第一电极。
[0121]步骤23、对所述第一盲孔结构进行整面镀铜，以填充所述至少一个第一盲孔并在进行第一次钻孔后的第二半固化片和所述承载板中相对于第一表面的第二表面形成第一镀铜层。
[0122]步骤24、对所述第一镀铜层进行第二次钻孔，以形成具有至少一个第二盲孔的第二盲孔结构，其中，所述第二盲孔贯穿进行第一次钻孔后的第二半固化片表面的第一镀铜层和第二半固化片直至所述第三电极。
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