具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板的制作方法
【专利说明】
[000。 相关申请的引用
[0002] 本申请要求于2013年11月7日提交的标题为"具有嵌入式电容器的低温共同烧 制的陶瓷基板"的韩国专利申请号10-2013-0135056的权益，通过引用将其全部内容结合于 本申请中。
技术领域
[0003] 本发明涉及具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，并且更具体地涉及包 括含有Ag或Ag合金的电极的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板。
【背景技术】
[0004] 响应于针对具有高频率和小尺寸的电子装置的需求，通过在印刷电路板中嵌入而 不是在表面上安装表面安装芯片式组件可W减少整个产品的体积并且增加集成度的技术 备受关注。
[0005] 当通过分层形成（例如，电容器）通过将安装在基板上的芯片式组件嵌入基板而 将其替换时，可W减小整个产品的体积。此外，与芯片式电容器相比，分层式电容器具有更 好的RF特性（较小的寄生电感）。因此，正在开展关于将芯片嵌入基板的大量研发。
[0006] 相关技术是KR公开号2002-0042698。
【发明内容】
[0007] 本发明的目的是提供包括含有Ag或Ag合金的电极的具有嵌入式电容器的低温共 同烧制的陶瓷基板。
[0008] 根据本发明的一方面，提供具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中， 第一电极层压在多个印刷陶瓷生片上并且在基板中形成空腔，基板包括；多层陶瓷电容器， 设置成与空腔内部的陶瓷生片间隔开并且包括第二电极，第二电极电连接至第一电极，其 中，第一电极包括95-lOOwt %的Ag,并且其中，第二电极包括65-90wt %的Ag和具有比Ag 更高烙点的金属。
[0009] 在本发明的实施方式中，第一电极可W进一步包括选自Au、化、Pt W及它们的合 金的至少一种。
[0010] 在本发明的实施方式中，第一电极可W包括通过陶瓷生片的通孔电极，和与第二 电极电连接的连接电极。
[0011] 在本发明的实施方式中，第一电极可进一步包括在通孔电极和连接电极之间的衬 垫电极。
[0012] 在本发明的实施方式中，第二电极可W包括65-90wt%的Ag ;并且包括选自Au、 化、Pt W及它们的合金的至少一种金属。
[0013] 在本发明的实施方式中，可W增加70-90wt%的Ag。
[0014] 在本发明的实施方式中，第一电极可进一步包括0. 5-5wt %的基于 CaO-BaO-Si02-B203 的玻璃。
[0015] 在本发明的实施方式中，玻璃的玻璃化转变温度可W是600至85(TC。
[0016] 在本发明的实施方式中，玻璃的组成配方可W是2(X：a0-25Ba0-50Si化-5B2O3或 20Ca〇-20Ba〇-55Si〇2-5B2〇3。
[0017] 在本发明的实施方式中，具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板的烧制温 度可W是800至950°C。
[0018] 根据本发明的实施方式，具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板能够通过 控制包括在基板中的各种金属的组成比率来防止在低温烧制之后电极的扩散、剥落或损 失，从而导致陶瓷基板和电容器之间良好的附着。
【附图说明】
[0019] 图1是示出根据本发明的实施方式具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基 板的截面图。
【具体实施方式】
[0020] 本文定义了某些术语W更好地理解本发明。除非本发明另外定义，本发明使用的 科技术语将具有本领域技术人员通常所理解的含义。除非另外明确地使用，否则，单数形式 的表述包括复数含义而复数形式的表述包括单数含义。
[0021] 下面将参考附图更详细地描述根据本发明的某些实施方式的具有嵌入式电容器 的低温共同烧制的陶瓷基板。应当理解到，在不偏离由所附权利要求及其等效物限定的本 文的实施方式的精神和范围的情况下，本领域的技术人员可W做出各种改变和修改。
[0022] 图1是示出根据本发明的实施方式具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基 板（在下文称为"LTCC")的截面图。
[0023] 通过实施组分W在主要由玻璃-陶瓷材料构成的多个陶瓷生片层111至116上形 成希望的电路，通过丝网印刷；层压生片层W形成陶瓷元件110 ;并且共同烧制陶瓷和导电 金属来制备根据本发明的LTCC基板。因为陶瓷和金属可W共同烧制，所W LTCC基板允许 在模块中结合组件，从而可W提供具有更高密度和更轻重量的装置。
[0024] 在本发明的实施方式中，陶瓷生片111至116可W包括陶瓷填料和玻璃组分。陶 瓷填料是可W控制LTCC基板的特性（诸如强度和热膨胀）的填料。填料的实例可W是氧 化铅、娃石、二氧化铁、镇橄揽石、Zr〇2、堇青石或它们的组合，尤其是氧化铅或娃石，但是不 限于此。另外，只要通过烧结玻璃组分可W使填料致密，那么填料可W是任何材料。
[0025] 在本发明的实施方式中，可W通过在溶剂中混合陶瓷填料、玻璃组分和粘合剂来 制备陶瓷生片111至116。可W通过进一步包括分散剂W提高物理性能来制备陶瓷片。
[0026] 在本发明的实施方式中，可W在根据本发明的LTCC基板中形成空腔（或空间）和 设置与陶瓷元件110间隔开的多层陶瓷电容器（在下文称为"MLCC")。
[0027] 该里，形成内部连接模式W与外部端子连接从而在与空腔150内部的陶瓷元件 110间隔开的MLCC140上与外部交换信号。该种内部连接模式可W是通过电极的连接并且 可W通过LTCC基板内部的电极进行连接。此外，电极可W在多个生片层111至116中的任 何层中选择性地存在。
[002引例如，MLCC140可W包括多个电介质层和在每个电介质层之间形成的多个电容器 内部电极，并且多个电容器内部电极可W与电连接至第一电极120的第二电极130电连接。
[0029] 更具体地，第一电极120可W印刷在层压的多个陶瓷生片111至116中。第一电 极120可W是电连接在陶瓷生片111至116之间，电连接在陶瓷元件110和MLCC140之间， 和连接在具有嵌入式电容器的LTCC基板和外部电源之间的电极。该里，通过在印刷在陶瓷 生片上的第一电极120中在暴露于外侧的区域上形成外部电极，可W使连接在具有嵌入式 电容器的LTCC基板和外部电源之间的电极与外部电源连接。
[0030] 在本发明的实施方式中，第一电极120可W包括通过陶瓷生片的通孔电极121，和 与第二电极130电连接的连接电极123。在本发明的另一个实施方式中，第一电极120可进 一步包括在通孔电极121和连接电极123之间的衬垫电极122。
[0031] 可W通过使层压的多个陶瓷生片111至116中的至少一层通过来形成通孔电极 121。通孔电极121通过连接电极123电连接至第二电极130,并且第二电极130与MLCC140 电连接。可W将衬垫电极122选择性地放在通孔电极121和连接电极123之间。
[0032] 例如，当通过使用包