括大量的粘合剂和用于连接电极的高黏度的糊剂来印刷衬垫 电极122时，在烧制之后，难W在衬垫电极122和连接电极123之间进行区分。当在烧制之 后可W将通孔电极121直接连接或者电连接至连接电极123或者第二电极130时，可W选 择性地包括衬垫电极122。
[0033] 在本发明的实施方式中，当包括衬垫电极122时，衬垫电极122和连接电极123应 该共同烧制并且在烧制之后，其应该可W与通孔电极121和第二电极130保持良好的电连 接。
[0034] 根据本发明的实施方式具有嵌入式MLCC的LTCC基板能够通过控制包括在电极中 的各种金属的种类和量来防止在低温烧制之后电极的扩散、剥落或损失。
[00巧]在本发明的实施方式中，第一电极120包括95-lOOwt%的Ag，并且在另一个实施 方式中，第一电极120可W进一步包括选自Au、化、Pt W及它们的合金的至少一种。
[0036] 当第一电极120中Ag的量少于95wt%时，可朗尋除了 Ag之外的其他组分定位在 种类彼此不同的电极之间的界面上，从而导致电极之间的较差的连接或者附着。它还进一 步导致该些电极之间的不足够的结合强度。在另一方面，当第一电极120中Ag的量高于 95wt%时，粘附区域充分地紧固在种类彼此不同的电极之间的界面处，从而导致第一电极 120和第二电极130之间良好的附着。
[0037] 此外，在本发明的实施方式中，第一电极120可W进一步包括玻璃W促进Ag在不 同类型电极之间的界面处的扩散从而引起Ag-Ag键形成。在本发明的实施方式中，玻璃的 量可W是0. 5-5wt%。当相对于第一电极120,玻璃的量大于5wt%时，玻璃可W定位在不同 类型电极之间的界面处，该进一步导致防止Ag-Ag键形成和较差的结合强度。
[0038] 在本发明的实施方式中，玻璃可W是测娃酸盐玻璃、娃酸饿玻璃、娃酸锋玻璃 或者它们的组合，但是不限于此。玻璃的实例包括基于化〇-Ba〇-Si〇2-B2〇3的玻璃，优选 20Ca〇-25Ba〇-50Si〇2-5B2〇3 或 20Ca〇-20Ba〇-55Si〇2-5B2〇3。玻璃的玻璃化转变温度可 W是 600 至 850 〇C。
[0039] 在另一个实施方式中，第一电极120在不影响与第二电极130电连接的范围内可 W进一步包括无机氧化物。
[0040] 在本发明的实施方式中，提供了具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板， 其中，第二电极130包括65-90wt% (优选70-90wt%)的Ag和具有比Ag更高烙点的金属。 该里，具有比Ag更高烙点的金属优选地可W包括选自Au、化、PtW及它们的合金的至少一 种。
[0041] 例如，可W通过嵌入在LTCC的陶瓷元件110中的空腔150中在约120(TC下烧制 的MLCC并且在约90(TC的相对低温下烧制来巧IJ备根据本发明的具有嵌入式MLCC的LTCC基 板。当LTCC的烧制温度高于包括在电极中的金属的烙点时，包括在电极中的金属可W融化 和扩散，该导致电极的扩散、剥落或损失。
[0042] 因此，应理解，第二电极130包括可W与Ag形成合金并且具有比Ag更高烙点的金 属，使得其可W具有与第一电极120的足够的粘合界面并且还与MLCC140保持良好的附着。 [004引当第二电极130中的Ag的量少于65wt %时，在与第一电极120的界面处没有足 够的Ag-Ag键形成，从而导致电极之间较差的粘着强度。在另一方面，当第二电极130中的 Ag的量高于90wt%时，Ag可W融化并且扩散，因此导致与MLCC140的粘着区域变窄并且形 成细孔。
[0044] 在下文中，虽然通过实例给出更加具体的说明，但该些仅用于解释，而并不旨在限 制本发明。
[0045] 连施例
[0046] 根据第一电极（衬垫电极和连接电极）和第二电极的组成来确定第二电极的剥 落、损失面积比、结合强度和剥落类型。
[0047] 在表1中示出第一电极（衬垫电极和连接电极）和第二电极的组成。
[0048] 表 1
[0049]
【主权项】
1. 一种具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，第一电极层压在多个印 刷陶瓷生片上并且在所述基板中形成空腔，所述基板包括： 多层陶瓷电容器，设置为与所述空腔内部的所述陶瓷生片间隔开并且包括第二电极， 所述第二电极电连接至所述第一电极， 其中，所述第一电极包括95-lOOwt%的Ag，W及 其中，所述第二电极包括65-90wt%的Ag和具有比Ag更高烙点的金属。
2. 根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 所述第一电极进一步包括选自由Au、化、PtW及它们的合金组成的组中的至少一种。
3. 根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 第一电极包括通过所述陶瓷生片的通孔电极和与所述第二电极电连接的连接电极。
4. 根据权利要求3所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 第一电极进一步包括在所述通孔电极和所述连接电极之间的衬垫电极。
5. 根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 第二电极包括65-90wt %的Ag ;并且包括选自由Au、化、Pt W及它们的合金组成的组中的 至少一种金属。
6. 根据权利要求5所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，Ag增 加了 70-90wt%。
7. 根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 第一电极进一步包括0. 5-5wt%的基于Ca〇-Ba〇-Si〇2-B2〇3的玻璃。
8. 根据权利要求7所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 玻璃的玻璃化转变温度是600至85(TC。
9. 根据权利要求8所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 玻璃的组分配方是 20Ca〇-25Ba〇-50Si〇2-5B2〇3 或 20Ca〇-20Ba〇-55Si〇2-5B2〇3。
10. 根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述 具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板的烧制温度是800至95(TC。
【专利摘要】本发明涉及具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板。根据本发明的实施方式，具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板能够通过控制包括在基板中的各种金属的组成比率来防止在低温烧制之后电极的扩散、剥落或损失，从而导致陶瓷基板和电容器之间良好的附着。
【IPC分类】H01G4-008, H01G2-06, H01G4-232
【公开号】CN104637674
【申请号】CN201410337839
【发明人】罗智星, 赵范俊, 崔重购, 朴胤辉, 吴光宰, 秋昊成, 申知桓
【申请人】三星电机株式会社
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2014年7月16日
【公告号】US20150122536