0中之后，可以在载体100之上形成覆盖层802 ;覆盖层102可以完全覆盖多孔结构804。根据各种实施例，形成在载体100的表面之上的覆盖层102可以包括硅，其中载体100也可以包括硅，因此，隐埋多孔结构804可以形成在载体100内，如图SB中图示的。根据各种实施例，覆盖层102可以被认为提供载体100的表面区域102的一部分。
[0156]类似地如之前描述的，在多孔结构804已被形成在载体100中之后，支撑结构108可以形成到载体100中。支撑结构108可以形成为通过多孔结构804，使得多孔结构804可以横向地围绕支撑结构108。备选地，可以在形成多孔结构804之前形成支撑结构108，其中可以紧挨着支撑结构108形成多孔结构804。
[0157]随后，根据各种实施例，可以执行热处理(退火)，使得可以通过多孔结构804形成空心室104。说明性地，在含氢气氛中执行热处理期间，多孔结构804的材料(硅)可以迀移和/或扩散，从而形成空心室104。根据各种实施例，热处理(退火)可以包括在从约900°C到约1100°C的范围内的温度下对多孔结构804进行退火(比照venetia工艺)。根据各种实施例，多孔结构804的小孔804h可以在热处理期间生长在一起，使得可以形成单个空心室104，如图8C中示出的。如已经描述的，图8C中图示的载体100可以被进一步处理，例如可以形成沟槽结构106和/或一个或多个部件122。
[0158]根据各种实施例，通过在区域802r中以及在载体100的围绕该区域的部分中提供不同类型的掺杂，可以选择载体100中的限定多孔结构804尺寸的区域802r，这是因为通过掺杂载体可以影响多孔结构804的形成。
[0159]根据各种实施例，支撑结构108可以被设计成通过在载体100的第一区域102a上(在帽区域上)施加机械力而容易被破坏，例如以用于执行所谓的Pick，Crack&Place?工艺，以从载体100空间上分离和/或移除载体100的第一区域102a(SON结构或者SOI结构)。
[0160]根据各种实施例，如已经描述的，例如在电子部件122可以已被形成在载体100的第一区域102a中之后，可以从载体100移除(空间上移除或脱离)载体100的第一区域102ao
[0161]备选地，可以利用载体100的第一区域102a制造包括SON结构或者SOI结构的电子器件，例如以使第一电子部件与第二电子部件电分离。
[0162]根据各种实施例，载体可以包括:横向地延伸在载体内、从而提供与载体竖直地分离的载体的第一区域的腔(空心室)；以及竖直地延伸在腔内、从而连接载体的第一区域与下面的载体的支撑结构，其中支撑结构的表面的至少一部分与空心室的内表面间隔开，并且其中支撑结构包括电绝缘氧化物。
[0163]根据各种实施例，用于制造载体的方法可以包括:形成支撑结构到载体中；形成凹部结构到载体中，凹部结构围绕支撑结构；以及执行退火工艺，使得通过凹部结构在载体内形成腔，该腔使在腔上方的帽区域与在腔之下的剩余载体分离，其中支撑结构保持在腔内，将剩余载体与第一区域连接。
[0164]根据各种实施例，用于制造载体的方法可以包括:形成具有第一深度的第一凹部结构到载体中；用电绝缘氧化物至少部分地填充第一凹部结构，从而形成支撑结构；形成具有第二深度的第二凹部结构到载体中，第二凹部结构围绕支撑结构，其中第二凹部结构的第二深度小于第一凹部结构的第一深度；执行退火工艺，使得通过第二凹部结构在载体内形成腔，腔使在腔上方的第一区域与在腔之下的剩余载体分离；其中支撑结构保持在腔内将剩余载体与第一区域连接。
[0165]根据各种实施例，载体可以包括:与载体的表面间隔开的腔(空心室)；在腔内的至少一个支撑结构，该至少一个支撑结构连接设置在腔之上的载体的第一区域与设置在腔之下的载体的第二区域，其中至少一个支撑结构的表面的至少一部分与空心室的内表面间隔开，并且其中至少一个支撑结构包括电绝缘材料。
[0166]根据各种实施例，电绝缘材料可以包括来自以下材料的组的至少一种材料，该组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成。
[0167]根据各种实施例，电绝缘材料可以包括来自以下材料的组的至少一种材料，该组由氧化物、氧化硅、金属氧化物、氮化物、氮化硅、金属氮化物、氮氧化物、氮氧化硅、金属氮氧化物组成。
[0168]根据各种实施例，至少一个支撑结构可以包括核心区域以及至少横向地围绕核心区域的衬垫结构，核心区域包括电绝缘材料。
[0169]根据各种实施例，至少一个支撑结构可以包括核心区域以及至少横向地围绕核心区域的衬垫结构，衬垫结构包括电绝缘材料。
[0170]根据各种实施例，至少一个支撑结构可以包括核心区域以及至少横向地围绕核心区域的衬垫结构，衬垫结构包括氮化物并且核心区域包括氧化物。
[0171]根据各种实施例，至少一个支撑结构可以包括或者可以被配置作为至少一个支柱，例如至少一个氧化物支柱。
[0172]根据各种实施例，至少一个支撑结构(例如支柱，例如氧化物支柱)可以具有圆柱形和棱柱形中的至少一个，并且可以在腔内从载体的第一区域延伸到载体的第二区域。
[0173]根据各种实施例，载体可以进一步包括:从载体的表面延伸到腔的沟槽结构，其中沟槽结构横向地围绕载体的第一区域的至少一部分。
[0174]根据各种实施例，载体可以进一步包括设置在载体的第一区域中和第一区域之上中的至少一个的电子电路。
[0175]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以包括:在载体中形成一个或多个第一开口 ；用填充材料至少部分地填充一个或多个第一开口以形成至少一个支撑结构；在载体中形成开口结构，开口结构至少部分地横向地围绕至少一个支撑结构；以及执行退火工艺以通过开口结构形成腔和覆盖腔的帽区域，腔和帽区域至少部分地横向地围绕至少一个支撑结构，其中帽区域连接至至少一个支撑结构。
[0176]根据各种实施例，形成开口结构可以包括形成一个或多个第二开口。
[0177]根据各种实施例，一个或多个第一开口可以包括第一深度；并且其中一个或多个第二开口可以包括第二深度，其中第二深度小于第一深度。
[0178]根据各种实施例，用填充材料至少部分地填充一个或多个第一开口可以包括:用来自以下材料的组中的至少一种材料至少部分地填充一个或多个第一开口，该组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成。
[0179]根据各种实施例，用填充材料至少部分地填充一个或多个第一开口可以包括:用从以下材料的组选择的第一材料至少部分地覆盖一个或多个第一开口的内侧壁，该组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成；以及随后用第二材料至少部分地填充一个或多个第一开口。
[0180]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以进一步包括在帽区域之上形成材料层(例如外延娃层)。
[0181]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以进一步包括形成从帽区域的表面延伸到腔的沟槽结构，沟槽结构横向地围绕帽区域的至少一部分。
[0182]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以进一步包括在帽区域中和帽区域之上中的至少一个形成电子电路。
[0183]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以进一步包括从载体空间上分离和/或移除帽区域，例如执行所谓的Pick，Crack&Place?工艺。
[0184]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以进一步包括从载体空间上移除帽区域；例如执行所谓的Pick, Crack&Place?工艺。
[0185]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以进一步包括使帽区域脱离载体。
[0186]根据各种实施例，用于处理载体的方法可以包括:在载体中形成一个或多个第一开口 ；用填充材料至少部分地填充一个或多个第一开口以形成至少一个支撑结构；在载体中形成多孔结构，多孔结构横向地围绕至少一个支撑结构；执行退火工艺以通过多孔结构形成腔和覆盖腔的帽区域，腔和帽区域横向地围绕至少一个支撑结构，其中帽区域连接至至少一个支撑结构。
[0187]根据各种实施例，用填充材料至少部分地填充一个或多个第一开口可以包括:用来自以下材料的组的至少一种材料至少部分地填充一个或多个第一开口，该组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成。
[0188]根据各种实施例，用填充材料至少部分地填充一个或多个第一开口可以包括:用从以下材料的组选择的第一材料至少部分地覆盖一个或多个第一开口的内侧壁，该组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成；以及随后，用第二材料至少部分地填充一个或多个第一开口。
[0189]虽然已经参照特定实施例具体示出和描述了本发明，应当由本领域技术人员理解的是，可以在其中做出在形式和细节上的各种改变，而不脱离如由所附权利要求限定的本发明的精神和范围。因而，本发明的范围由所附权利要求指示，并且因此旨在包含在权利要求的等效物的含义和范围内的所有改变。
【主权项】
1.一种载体，包括: 空心室，其与所述载体的表面间隔开；以及 在所述空心室内的至少一个支撑结构，所述至少一个支撑结构连接设置在所述空心室之上的所述载体的第一区域与设置在所述空心室之下的所述载体的第二区域，其中所述至少一个支撑结构的表面的至少一部分与所述空心室的内表面间隔开，并且其中所述至少一个支撑结构包括电绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的载体， 其中所述电绝缘材料包括来自以下材料的组中的至少一种材料，所述组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成。
3.根据权利要求1所述的载体， 其中所述至少一个支撑结构包括核心区域以及至少横向地围绕所述核心区域的衬垫结构，所述核心区域包括所述电绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的载体， 其中所述至少一个支撑结构包括核心区域以及至少横向地围绕所述核心区域的衬垫结构，所述衬垫结构包括所述电绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的载体， 其中所述至少一个支撑结构包括核心区域以及至少横向地围绕所述核心区域的衬垫结构，所述衬垫结构包括氮化物并且所述核心区域包括氧化物。
6.根据权利要求1所述的载体， 其中所述至少一个支撑结构具有圆柱形和棱柱形中的至少一个，并且所述至少一个支撑结构在所述空心室内从所述载体的所述第一区域延伸到所述载体的所述第二区域。
7.根据权利要求1所述的载体，进一步包括: 从所述载体的所述表面延伸到所述空心室的沟槽结构，其中所述沟槽结构横向地围绕所述载体的所述第一区域的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的载体，进一步包括: 设置在所述载体的所述第一区域中和在所述第一区域之上中的至少一种的电子电路。
9.一种用于处理载体的方法，所述方法包括: 在所述载体中形成一个或多个第一开口； 用填充材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口，以形成至少一个支撑结构； 在所述载体中形成开口结构，所述开口结构至少部分地横向地围绕所述至少一个支撑结构；以及 执行退火工艺，以通过所述开口结构形成空心室和覆盖所述空心室的帽区域，所述空心室和所述帽区域至少部分地横向地围绕所述至少一个支撑结构，其中所述帽区域连接至所述至少一个支撑结构。
10.根据权利要求9所述的方法， 其中形成所述开口结构包括形成一个或多个第二开口。
11.根据权利要求10所述的方法， 其中所述一个或多个第一开口被形成为包括第一深度；并且其中所述一个或多个第二开口被形成为包括第二深度，其中所述第二深度小于所述第一深度。
12.根据权利要求9所述的方法， 其中用所述填充材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口包括: 用来自以下材料的组中的至少一种材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口，所述组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成。
13.根据权利要求9所述的方法， 其中用所述填充材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口包括: 用从以下材料的组中选择的第一材料至少部分地覆盖所述一个或多个第一开口的内侧壁，所述组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成，以及 随后用第二材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口。
14.根据权利要求9所述的方法，进一步包括: 在所述帽区域之上形成材料层。
15.根据权利要求9所述的方法，进一步包括: 形成从所述帽区域的所述表面延伸到所述空心室的沟槽结构，所述沟槽结构横向地围绕所述帽区域的至少一部分。
16.根据权利要求9所述的方法，进一步包括: 在所述帽区域中和在所述帽区域之上中的至少一种形成电子电路。
17.根据权利要求9所述的方法，进一步包括: 使所述帽区域脱离所述载体。
18.一种用于处理载体的方法，所述方法包括: 在所述载体中形成一个或多个第一开口；用填充材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口，以形成至少一个支撑结构；在所述载体中形成多孔结构，所述多孔结构横向地围绕所述至少一个支撑结构；以及执行退火工艺，以通过所述多孔结构形成空心室和覆盖所述空心室的帽区域，所述空心室和所述帽区域横向地围绕所述至少一个支撑结构，其中所述帽区域连接至所述至少一个支撑结构。
19.根据权利要求18所述的方法， 其中用填充材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口包括: 用来自以下材料的组中的至少一种材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口，所述组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成。
20.根据权利要求18所述的方法， 其中用填充材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口包括: 用从以下材料的组中选择的第一材料至少部分地覆盖所述一个或多个第一开口的内侧壁，所述组由氧化物、氮化物、氮氧化物组成；以及 随后，用第二材料至少部分地填充所述一个或多个第一开口。
【专利摘要】根据各种实施例，一种载体可以包括：与载体的表面间隔开的空心室；以及在空心室内的至少一个支撑结构，该至少一个支撑结构连接设置在空心室之上的载体的第一区域与设置在空心室之下的载体的第二区域，其中至少一个支撑结构的表面的至少一部分与空心室的内表面间隔开，并且其中至少一个支撑结构包括电绝缘材料。
【IPC分类】H01L21-762, H01L27-12
【公开号】CN104701325
【申请号】CN201410737979
【发明人】S·比塞尔特
【申请人】英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年12月5日
【公告号】DE102014117966A1, US20150162254