可以用于高频(例如一或更大Ghz，十或更大Ghz)去親应用。在另一实施例中，第一和第二电介质层中的至少一个包括近似5000或更大的巨介电常数。
[0040]在说明书中和在权利要求中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等等(如果有的话)用于区分类似的要素，而非必然地用于描述特定顺序的或按时间的次序。要理解的是，在适当的情况下，这样使用的术语是可互换的，使得在本文描述的本发明的实施例例如能够以除所图示出或以其它方式在本文描述的那些之外的顺序进行操作。类似地，如果方法在本文被描述为包括一系列步骤，则如本文呈现的这样的步骤的次序不必然地是可以执行这样的步骤的仅有的次序，并且可能地省略某些所陈述的步骤和/或可以可能地将未在本文描述的某些其他步骤添加到方法。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”和其任何变型意图涵盖非排它性包括，使得包括要素列表的过程、方法、制品或装置不必然地限于那些要素，而是可以包括没有明确地列出或者对于这样的过程、方法、制品或装置固有的其他要素。[0041 ] 在说明书中和在权利要求中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“之上”、“之下”等等(如果有的话)用于描述性目的，而非必然地用于描述永久的相对位置。要理解的是，在适当的情况下，这样使用的术语是可互换的，使得在本文描述的本发明的实施例例如能够以除所图示出或以其它方式在本文描述的那些之外的其他取向进行操作。如在本文所使用的术语“耦合”被定义为以电的或非电的方式直接地或间接地连接。在本文被描述为“邻近于”彼此的对象可以彼此物理接触、紧密接近于彼此，或彼此处于相同的通用区或区域中，如对于其中使用短语“邻近于”的上下文适当的。在本文中短语“在一个实施例中”的出现不一定都指的是相同的实施例。
[0042]尽管已经参考特定实施例描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下做出各种改变。因此，本发明的实施例的公开意图说明本发明的范围并且不意图进行限制。意图在于本发明的范围应当仅被限制为所附权利要求所要求的范围。例如，对于本领域普通技术人员而言，将容易显而易见的是，可以以各种实施例来实现在本文讨论的能量储存设备以及相关的结构和方法，并且，对这些实施例中的某些的以上讨论不必然地表示对所有可能的实施例的完整描述。
[0043]此外，已经关于特定实施例描述了益处、其他优点和对问题的解决方案。然而，不把益处、优点、对问题的解决方案以及可以使任何益处、优点，或解决方案出现或变得更显著的任何一个或多个要素解释为是任何或所有权利要求的关键性的、必需的或本质特征或要素。
[0044]而且，如果实施例和/或限制:(1)没有在权利要求中被明确地要求保护；和(2)在等同物的原则之下是或潜在地是权利要求中的表述要素和/或限制的等同物，则在本文公开的实施例和限制不在捐献原则之下捐献给公众。
【主权项】
1.一种能量储存设备，包括: 在衬底内形成的多孔硅层，多孔硅层具有有着小于近似100纳米的平均孔直径的孔； 在多孔硅层上形成的第一导电层； 在第一导电层上形成的第一电介质层；以及 在第一电介质层上形成的第二导电层。
2.权利要求1的能量储存设备，还包括: 在第二导电层上形成的第二电介质层；以及 在第二电介质层上形成的第三导电层。
3.权利要求1的能量储存设备，其中第一导电层、第一电介质层和第二导电层中的至少一个通过原子层沉积形成。
4.权利要求1的能量储存设备，其中第一导电层包括通过使用至少一个气相处理来碳化多孔硅层而形成的碳化硅层或由碳层涂敷的硅层。
5.权利要求1的能量储存设备，其中第一导电层包括通过以小于近似650摄氏度的温度使用至少一个气相处理来碳化多孔硅层形成的烃终止硅层。
6.权利要求2的能量储存设备，其中第一和第二电介质层中的至少一个包括近似5000或更大的巨介电常数。
7.权利要求1的能量储存设备，其中第一电介质层包括可以用于一或更大Ghz的高频去耦应用的大于4的高k介电常数。
8.权利要求1的能量储存设备，其中多孔硅层包括具有小于50纳米的平均孔直径的孔。
9.权利要求1的能量储存设备，其中多孔硅层通过在没有光刻的情况下电化学蚀刻衬底而在衬底内形成。
10.权利要求1的能量储存设备，其中多孔硅层通过电化学蚀刻衬底以形成渐缩孔而在衬底内形成。
11.一种设备，包括: 衬底； 衬底之上的微处理器；以及 与微处理器相关联的能量储存设备，能量储存设备包括在衬底内形成的多孔硅层，多孔硅层具有有着小于近似100纳米的平均孔直径的孔； 在多孔硅层上形成的第一导电层； 在第一导电层上形成的第一电介质层；以及 在第一电介质层上形成的第二导电层。
12.权利要求11的设备，还包括: 在第二导电层上形成的第二电介质层；以及 在第二电介质层上形成的第三导电层。
13.权利要求11的设备，其中能量储存设备向微处理器提供功率。
14.权利要求11的设备，其中第一导电层包括通过使用至少一个气相处理来碳化多孔硅层而形成的碳化硅层或由碳层涂敷的硅层。
15.权利要求11的设备，其中第一导电层包括通过以小于近似650摄氏度的温度使用至少一个气相处理来碳化多孔硅层而形成的烃终止硅层，其中第一电介质层包括大于4的高k介电常数并且允许能量储存设备用于高频去耦应用。
16.权利要求12的设备，其中第一和第二电介质层中的至少一个包括近似5000或更大的巨介电常数。
17.权利要求11的设备，其中多孔硅层包括具有小于50纳米的平均孔直径的孔，其中能量储存设备防止功率供应中的电压下降，其中多孔硅层通过电化学蚀刻衬底以形成渐缩孔而在衬底内形成。
18.—种能量储存设备，包括: 在衬底内形成的多孔硅层，多孔硅层具有有着小于近似100纳米的平均孔直径的孔； 在多孔硅层上形成的电介质层；以及 在电介质层上形成的导电层。
19.权利要求18的能量储存设备，还包括: 在导电层上形成的附加电介质层；以及 在附加电介质层上形成的附加导电层。
20.权利要求18的能量储存设备，其中多孔硅层被掺杂以形成第一电极而导电层形成第二电极。
【专利摘要】在一个实施例中，能量储存设备（例如电容器）可以包括在衬底内形成的多孔硅层。多孔硅层包括具有小于近似100纳米的平均孔直径的孔。在多孔硅层上形成第一导电层并且在第一导电层上形成第一电介质层。在第一电介质层上形成第二导电层以形成电容器。
【IPC分类】H01G4-005
【公开号】CN104798152
【申请号】CN201380062057
【发明人】D.S.贾纳, L.E.莫斯利
【申请人】英特尔公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2013年6月21日
【公告号】US20140183694, WO2014105156A1