糊进行制作。将该Ag糊涂布于半导体基板1的第一面的防反射膜2上。其后，对 Ag糊在峰值温度600~850°C进行数十秒~数十分钟左右的烧成，进行火焰贯穿。由此，位 于涂布的Ag糊下的防反射层2被突破，使防反射膜2配置于半导体基板1的第一面上的第 一区域le，与相反导电型层la电接触的第一电极3形成于半导体基板1的第一面上的第二 区域If。作为Ag糊的涂布法，可利用丝网印刷法等，优选在将Ag糊涂布W后，W规定的温 度使溶剂蒸腾而干燥。
[00則接着，第二电极4使用例如含有由Ag粉末等构成的金属粉末、有机赋形剂和玻璃 粉的Ag糊进行制作。另外，关于第二电极4的形成所使用的金属粉末、有机赋形剂和玻璃 粉，既可W与第一电极3的形成所使用的材料相同，也可W不同。将该Ag糊按预定形状涂 布于半导体基板1的第二面侧。作为该涂布法，可使用丝网印刷法等。在该涂布W后，优 选W规定的温度使溶剂蒸腾而干燥。然后，通过对半导体基板1在烧成炉内在峰值温度为 600~850°C下进行数十秒~数十分钟左右的烧成，第二电极4形成于半导体基板1的第二 面上。
[0082]如上所述，能够制作太阳能电池元件10。
[008引 实施例
[0084] 下面，对更具体化的实施例对本实施方式进行说明，但本实施方式不局限于此。
[0085] 将厚度为200ym、比电阻为1.5Q.cm的15. 6cmX15. 6cm见方的由多晶娃构成的 娃基板浸溃于化0H溶液中，进行单面lOym蚀刻。其后，边将Cl2气、〇2气和CHFs气W流量 比1 : 6 : 4的比例导入腔17内，边将反应压力设为7Pa，W产生等离子体的RF电力5kW 进行5分钟左右的蚀刻。通过该种RIE法，在娃基板表面形成平均宽度及平均高度分别为 1ym的微细突起，制成纹理构造。
[0086] 接着，使P(磯）扩散，W使娃基板的表面部的薄膜电阻成为80Q/□。然后，在娃 基板的背面侧对A1糊实施丝网印刷，在750°C的温度下进行烧成。该娃基板的背面侧的薄 膜电阻为15Q/ □。其后，用等离子体CVD法，在娃基板的表面侧形成折射率2. 1、膜厚80A 的SiNji，制成防反射膜。
[0087] 另一方面，将原料调合成表1~表3所示的各玻璃的氧化物组成，使用氧化侣相 蜗，在700~1000°C下进行烙融，然后进行空气冷却或骤冷，得到玻璃，将该玻璃粉碎，得到 上述的表所示的平均粒径的蹄系玻璃粉（表1)、铅-饿系玻璃粉（表2)及铅-蹄系玻璃粉 (表3)。表1-表3中的玻璃组成的各成分都W氧化物换算的摩尔％来表示，各玻璃粉的软 化点（°C)也一并表不在同一表中。
[0088] [表1]
[0089]
【主权项】
1. 一种太阳能电池元件表面电极用导电性糊，其用于太阳能电池元件的表面电极的形 成，该太阳能电池元件具备：半导体基板、配置于该半导体基板的一个主面上的第一区域的 防反射膜和配置于所述半导体基板的一个主面上的第二区域的表面电极，其特征在于， 所述导电性糊含有导电性粉末、混合玻璃粉和有机赋形剂，该混合玻璃粉混合含有以 碲、钨及铋为必需成分的碲系玻璃粉和以铅及铋为必需成分且实质上不含碲的铅-铋系玻 璃粉。
2. 根据权利要求1所述的太阳能电池元件表面电极用导电性糊，其特征在于， 所述碲系玻璃粉的软化点比所述铅-铋系玻璃粉的软化点低10~l〇〇°C。
3. 根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件表面电极用导电性糊，其特征在于， 所述混合玻璃粉以质量比4:6~8:2的比例含有所述碲系玻璃粉和所述铅-铋系 玻璃粉。
4. 根据权利要求1~3中的任一项所述的太阳能电池元件表面电极用导电性糊，其特 征在于， 所述碲系玻璃粉是以氧化物换算计含有碲30~80摩尔％、钨10~50摩尔％、铋5~ 25摩尔％的玻璃粉。
5. 根据权利要求1~4中的任一项所述的太阳能电池元件表面电极用导电性糊，其特 征在于， 所述铅-铋系玻璃粉是以氧化物换算计含有铅30~70摩尔％、铋10~40摩尔％、 锌30摩尔％以下（包含0摩尔％ )、硅5~30摩尔％的玻璃粉、或以氧化物换算计含有铅 30~70摩尔％、铋10~40摩尔％、锌30摩尔％以下（包含0摩尔％ )、硼1~25摩尔％ 的玻璃粉。
6. 根据权利要求1~5中的任一项所述的太阳能电池元件表面电极用导电性糊，其特 征在于， 所述混合玻璃粉还包含以铅及碲为必需成分的铅-碲系玻璃粉。
7. 根据权利要求1~6中的任一项所述的太阳能电池元件表面电极用导电性糊，其特 征在于， 所述导电性糊含有锡、氧化锡（II)、及氧化锡（IV)中的至少任一种作为添加剂。
8. -种太阳能电池元件的制造方法，该太阳能电池元件具备：半导体基板、配置于该 半导体基板的一个主面上的第一区域的防反射膜和配置于所述半导体基板的一个主面上 的第二区域的表面电极，该方法具有： 第一工序，在所述半导体基板的一个主面上形成所述防反射膜； 第二工序，将导电性糊印刷在所述防反射膜上，该导电性糊含有导电性粉末、混合玻璃 粉和有机赋形剂，该混合玻璃粉混合含有以碲、钨及铋为必需成分的碲系玻璃粉和以铅及 铋为必需成分且实质上不含碲的铅-铋系玻璃粉；和 第三工序，通过对所述导电性糊进行烧成而去除位于所述导电性糊下的所述防反射 膜，使所述防反射膜配置于所述半导体基板的所述第一区域，在所述半导体基板的所述第 二区域形成所述表面电极。
9. 根据权利要求8所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于， 所述碲系玻璃粉的软化点比所述铅-铋系玻璃粉的软化点低10~l〇〇°C。
10. 根据权利要求8或9所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于， 所述混合玻璃粉以质量比4:6~8:2的比例含有所述碲系玻璃粉和所述铅-铋系 玻璃粉。
11. 根据权利要求8~10中的任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于， 所述碲系玻璃粉是以氧化物换算计含有碲30~80摩尔％、钨10~50摩尔％、铋5~ 25摩尔％的玻璃粉。
12. 根据权利要求8~11中的任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于， 所述铅-铋系玻璃粉是以氧化物换算计含有铅30~70摩尔％、铋10~40摩尔％、 锌30摩尔％以下（包含0摩尔％ )、硅5~30摩尔％的玻璃粉、或以氧化物换算计含有铅 30~70摩尔％、铋10~40摩尔％、锌30摩尔％以下（包含0摩尔％ )、硼1~25摩尔％ 的玻璃粉。
13. 根据权利要求8~12中的任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于， 所述混合玻璃粉还包含以铅及碲为必需成分的铅-碲系玻璃粉。
14. 根据权利要求8~13中的任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于， 所述导电性糊含有锡、氧化锡（II)、及氧化锡（IV)中的至少任一种作为添加剂。
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种形成接触电阻低且拉伸强度强的太阳能电池元件表面电极的导电性糊及其制造方法。该太阳能电池元件表面电极用导电性糊用于太阳能电池元件的所述表面电极的形成，该太阳能电池元件具备：半导体基板、配置于该半导体基板的一个主面上的第一区域的防反射膜和配置于所述半导体基板的一个主面上的第二区域的表面电极，其特征在于，所述导电性糊含有导电性粉末、混合玻璃粉和有机赋形剂，该混合玻璃粉混合含有以碲、钨及铋为必需成分的碲系玻璃粉、和以铅及铋为必需成分且实质上不含碲的铅-铋系玻璃粉。
【IPC分类】H01L31-0224, H01B1-22
【公开号】CN104838505
【申请号】CN201480003448
【发明人】秋本裕二, 金作整, 西村浩辅, 三浦好雄
【申请人】昭荣化学工业株式会社
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2014年3月20日
【公告号】CA2889645A1, WO2014156964A1