去除部分硬掩膜层结构23’时可以选择磷酸溶液作为腐蚀溶液。
[0055]S103、横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分251。
[0056]参见图2d，横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分251。需要说明的是，所述“横向”在图2d中为与衬垫氧化层22和硬掩膜层23形成的方向相垂直的方向。并且用位于浅沟槽隔离的第一部分251两侧的虚线包围的部分表示横向去掉的部分。
[0057]可选地，横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分251所用的腐蚀溶液可以为稀氢氟酸。如上所述，浅沟槽隔离25的材料可以为二氧化硅，因此，在横向去除部分浅沟槽隔离的第一部分251时，可以采用稀氢氟酸作为腐蚀溶液。
[0058]通过在步骤S102的基础上，横向去除部分浅沟槽隔离的第一部分251，可可以使后续形成在浅沟槽隔离25间的第一沟槽A的开口增大，并可以使其深宽比比现有技术的相应的沟槽的深宽比减小，有效地增大了制程的能力范围，这样可以防止在第一沟槽A中形成浮栅时出现空洞，从而可以提高ETOX结构的闪存的良品率。
[0059]S104、去除剩余部分硬掩膜层结构23’。
[0060]参见图2e，去除剩余部分硬掩膜层结构23’。可选地，去除剩余部分硬掩膜层结构23’所用的腐蚀溶液可以为磷酸溶液。
[0061]需要说明的是，在步骤S103中，由于浅沟槽隔离25的材料也可以为二氧化硅，因此，可以采用稀氢氟酸作为腐蚀溶液横向去除部分浅沟槽隔离的第一部分251。又由于衬垫氧化层结构22’的材料可以为二氧化硅，因此，为了防止稀氢氟酸对衬垫氧化层结构22’的腐蚀，甚至对有源区24造成腐蚀，将可以采用氮化硅作为材料且不易被稀氢氟酸腐蚀的硬掩膜层结构23’分两次进行去除，第一次去除是在S102步骤中去除部分硬掩膜层结构23’，而剩余部分硬掩膜层结构23’在进行步骤S103时可以对衬垫氧化层结构22’起到保护作用，在步骤S103执行完后，再进行第二次去除，即在本步骤中去除剩余部分硬掩膜层结构23，。
[0062]S105、在有源区21中形成阱区26，然后去除衬垫氧化层结构22’，得到浅沟槽隔离25间的第一沟槽A。
[0063]参见图2f，在有源区21中形成阱区26，然后去除衬垫氧化层结构22’，得到浅沟槽隔离25间的第一沟槽A。进一步地，所述阱区26包括深N型阱区261和P型阱区262，其中，所述P型阱区262形成在所述深N型阱区261上；所述深N型阱区261和所述P型阱区262可以通过对所述有源区21进行掺杂来依次形成。
[0064]由于衬垫氧化层结构22’的材料可以为二氧化硅，因此，去除衬垫氧化层结构22’可以采用稀氢氟酸作为腐蚀溶液。
[0065]S106、在第一沟槽A内依次形成隧道氧化层27以及浮栅28’。
[0066]参见图2g，在第一沟槽A内依次形成隧道氧化层27以及浮栅28’。其中，隧道氧化层27的材料可以为二氧化硅；浮栅28’的材料可以为多晶硅。隧道氧化层27可以通过对阱区26表面进行氧化来形成。浮栅28’可以利用本领域公知的沉积或者外延生长等技术形成，其中，沉积包括但不限于物理气相沉积(PVD)或者化学气相沉积(CVD)。
[0067]图4a_图4b是实现图1中步骤S106的各阶段的结构剖面示意图。可选地，参见图4a-图4b，在所述第一沟槽A内依次形成隧道氧化层27以及浮栅28’，具体可以包括:在所述第一沟槽A内依次形成隧道氧化层27和浮栅层28，参见图4a ;对所述浮栅层28进行平坦化至所述浅沟槽隔离25表面，并得到所述浮栅28’。其中，所述平坦化可以采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing,简称 CMP)工艺技术。
[0068]可选地，参见图2h，在第一沟槽A内依次形成隧道氧化层27以及浮栅28’之后，包括:沿纵向对所述浅沟槽隔离25进行刻蚀，形成第三沟槽C ;在所述第三沟槽C内壁和所述浮栅28’表面上形成电介质层29 ;在所述电介质29层上形成控制栅210。需要说明的是，所述“纵向”在图2h中为从浮栅28’到隧道氧化层27并与浮栅28’表面垂直的方向。优选地，沿纵向将浅沟槽隔离25刻蚀至高出隧道氧化层27的表面100埃到200埃的位置处。
[0069]所述控制栅210的材料可以为多晶硅；所述电介质层29用来分隔浮栅28’和控制栅210,它可以由氧化物-氮化物-氧化物(Oxide-Nitride-Oxide,简称0N0)来形成,例如二氧化硅-氮化硅-二氧化硅等。所述电介质层29和控制栅210可以利用本领域公知的沉积或者外延生长等技术形成，其中，沉积包括但不限于物理气相沉积(PVD)或者化学气相沉积(CVD)。
[0070]通过在步骤S106之后形成电介质层29和控制栅210，就形成了 ETOX结构的闪存。
[0071]上述的ETOX结构的闪存的浮栅的制作方法，使形成在浅沟槽隔离25间的第一沟槽A的开口增大，并可以使其深宽比减小，这样不仅可以降低第一沟槽A的深宽比对形成浮栅的影响，还可以增加浮栅与控制栅间的耦合面积。该制作方法可以适用于65nm以及以下节点的闪存的制作工艺，甚至更适用于45nm节点的闪存的制作工艺。
[0072]本发明实施例还提供一种ETOX结构的闪存的浮栅。该ETOX结构的闪存的浮栅可以由上述的ETOX结构的闪存的浮栅的制作方法制得。
[0073]本发明实施例提供的ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法，通过在有源区和浅沟槽隔离形成后，将有源区上的硬掩膜层结构分两步去除，且在两步之间对露出的浅沟槽隔离的第一部分沿横向部分去除，这样可以使后续形成在浅沟槽隔离间的第一沟槽的开口增大并可以使其深宽比减小，因而可以防止在第一沟槽中形成浮栅时出现空洞，从而可以提高ETOX结构的闪存的良品率。
[0074]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种ETOX结构的闪存的浮栅的制作方法，其特征在于，包括: 形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离； 去除部分硬掩膜层结构，露出所述浅沟槽隔离的第一部分； 横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分； 去除剩余部分硬掩膜层结构； 在所述有源区中形成阱区，然后去除所述衬垫氧化层结构，得到所述浅沟槽隔离间的第一沟槽； 在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离之前，包括: 在衬底上依次形成衬垫氧化层、硬掩膜层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离，包括: 在所述硬掩膜层上形成光刻胶层； 对所述光刻胶层进行光刻，露出部分所述硬掩膜层； 刻蚀露出的硬掩膜层、衬垫氧化层以及部分衬底，刻蚀掉的部分形成第二沟槽，未被刻蚀掉的硬掩膜层、衬垫氧化层以及衬底分别形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构以及有源区；去除所述光刻胶层； 填充所述第二沟槽，并得到所述浅沟槽隔离。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，去除部分硬掩膜层结构和去除剩余部分硬掩膜层结构所用的腐蚀溶液均为磷酸溶液。6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离的材料为二氧化硅。7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分所用的腐蚀溶液为稀氢氟酸。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阱区包括深N型阱区和P型阱区，其中，所述P型阱区形成在所述深N型阱区上； 所述深N型阱区和所述P型阱区通过对所述有源区进行掺杂来依次形成。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅，包括: 在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层和浮栅层； 对所述浮栅层进行平坦化至所述浅沟槽隔离表面，并得到所述浮栅。10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅之后，包括: 沿纵向对所述浅沟槽隔离进行刻蚀，形成第三沟槽； 在所述第三沟槽内壁和所述浮栅表面上形成电介质层； 在所述电介质层上形成控制栅。11.一种ETOX结构的闪存的浮栅，其特征在于，所述ETOX结构的闪存的浮栅由权利要求1-10中任一项所述的ETOX结构的闪存的浮栅的制作方法制得。
【专利摘要】本发明公开了一种ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法，其中，所述制作方法包括：形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离；去除部分硬掩膜层结构，露出所述浅沟槽隔离的第一部分；横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分；去除剩余部分硬掩膜层结构；在所述有源区中形成阱区，然后去除所述衬垫氧化层结构，得到所述浅沟槽隔离间的第一沟槽；在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅。本发明可以使形成在浅沟槽隔离间的第一沟槽的开口增大并可以使其深宽比减小，因而可以防止在第一沟槽中形成浮栅时出现空洞，从而可以提高ETOX结构的闪存的良品率。
【IPC分类】H01L21/762, H01L21/28
【公开号】CN104979172
【申请号】CN201410129491
【发明人】冯骏, 舒清明
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2014年4月1日