有机电致发光晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机电致发光晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光显示器是一种以有机电致发光材料作为发光体的电流型发光器件。按照驱动方式分类，有机电致发光显示器可以分为无源驱动式有机电致发光显示器和有源驱动式有机电致发光显示器；其中，有源驱动式有机电致发光显示器的驱动电压低，适用于高清晰和大尺寸显示，但其制作工艺复杂，生产成本高。为了解决有源驱动式有机电致发光显示器制作工艺复杂，生产成本高的问题，研宄人员将有机薄膜晶体管和有机发光二极管结合到一个器件结构中，制成了有机电致发光晶体管阵列基板。
[0003]有机电致发光晶体管阵列基板的结构分为传统有机电致发光晶体管阵列基板和垂直结构有机电致发光晶体管阵列基板；其中，垂直结构有机电致发光晶体管阵列基板的源极层表面沉积有一层被称为像素界定层的绝缘材料，像素界定层将源极层隔成若干个与子像素单元对应的源极单元。每个源极单元与漏极层产生的载流子能够在有机电致发光材料中进行复合，从而使有机电致发光材料发光。而有机电致发光材料的发光亮度是通过栅极层调制载流子的传输进行调节的，但源极单元边缘的载流子经常不受栅极层控制，因此，亟需提出一种有机电致发光晶体管阵列基板，以解决垂直结构有机电致发光晶体管阵列基板中源极单元边缘的载流子不受栅极层控制的问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种有机电致发光晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置以解决垂直结构有机电致发光晶体管阵列基板中源极单元边缘的载流子不受栅极层控制的问题。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]一种有机电致发光晶体管阵列基板，包括基底，以及沿所述基底的厚度方向依次形成的栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层、像素界定层、有机电致发光层和漏极层，所述栅极层形成在所述基底上；其中，
[0007]所述源极层包括若干个与子像素单元对应的源极单元，所述像素界定层包括若干个与所述源极单元对应的像素界定单元；且各所述源极单元埋设在对应的所述像素界定单元内；所述有机电致发光层形成在各所述像素界定单元的表面，以及位于相邻所述源极单元之间的所述半导体层暴露部分的表面。
[0008]本发明还提供了一种显示装置，包括上述有机电致发光晶体管阵列基板。
[0009]本发明还提供了一种上述有机电致发光晶体管阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤:
[0010]步骤S1:在所述基底的表面形成栅极层；
[0011]步骤S2:在所述栅极层的表面沉积形成栅极绝缘层；
[0012]步骤S3:在所述栅极绝缘层的表面形成半导体层，然后在所述半导体层的表面形成源极层；接着对所述源极层构图，使所述源极层分成若干个与子像素单元对应的源极单元；在各所述源极单元的表面形成与所述源极单元对应的像素界定单元，使所述源极单元埋设在对应的所述像素界定单元内；
[0013]步骤S4:在各所述像素界定单元的表面，以及位于相邻所述源极单元之间的所述半导体层暴露部分的表面形成有机电致发光层；
[0014]步骤S5:在所述有机电致发光层的表面形成漏极层，得到有机电致发光晶体管阵列基板。
[0015]与现有技术相比，本发明的有益效果在于:
[0016]本发明提供的有机电致发光晶体管阵列基板，工作时，在栅极层和源极层之间加电压，在漏极层和源极层之间加电压，使有机电致发光晶体管阵列基板的源极层产生面电场，在面电场的作用下，使半导体层中的载流子扩散并与漏极层中的载流子在有机电致发光层中相遇并复合成激子，接着激子的能量会转移到有机电致发光层中的发光分子上，使发光分子中的电子被激发，从基态跃迀到激发态，而激发态的电子是不稳定的，会把多余的能量辐射出去以回到稳定的基态，多余的能量会以光的形式被辐射出去。另外，调节栅极层的电压值，将栅极层的电压值变大，半导体层中的载流子扩散的数量增加，半导体层中的载流子与漏极层中的载流子在有机电致发光层中相遇并复合成激子的数量随之增加，使辐射出光的亮度较强；相反当栅极层的电压值变小时，辐射出光的亮度较弱，从而实现栅极层对有机电致发光晶体管阵列基板发光亮度的调节。
[0017]而且，本发明提供的有机电致发光晶体管阵列基板中将各源极单元埋设在对应的像素界定单元内，使像素界定单元在界定了不同源极单元所在的子像素单元的区域的基础上，还避免了相邻源极单元所产生的面电场之间的相互影响，保证了各子像素单元所对应的电场均一，从而使得源极单元边缘的载流子能够被栅极层很好地控制。另外，像素界定单元使源极单元完全与有机电致发光层隔离，可以让载流子更好地扩散到有机电致发光层中。
【附图说明】
[0018]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0019]图1为本发明实施例提供的有机电致发光晶体管阵列基板的剖面图；
[0020]图2为本发明实施例提供的栅格状源极层的俯视图；
[0021]图3为本发明实施例提供的有机电致发光晶体管阵列基板的制作方法流程图。
[0022]附图标记:
[0023]1-基底，2_栅极层，
[0024]21-透明导电薄膜， 22-栅线，
[0025]3-栅极绝缘层，4-半导体层，
[0026]5-源极单元，6-像素界定单元，
[0027]7-有机电致发光层， 8-漏极层，
[0028]9-栅格状图形，10-彩膜基板的像素部分，
[0029]20-黑色矩阵。
【具体实施方式】
[0030]为了进一步说明本发明实施例提供的一种有机电致发光晶体管阵列基板、显示装置及制作方法，下面结合说明书附图进行详细描述。
[0031]请参阅图1，本发明实施例提供的一种有机电致发光晶体管阵列基板，包括基底1，以及沿基底I厚度方向依次形成的栅极层2、栅极绝缘层3、半导体层4、源极层、像素界定层、有机电致发光层7和漏极层8，且栅极层2形成在基底I的表面；其中，
[0032]源极层包括若干个与子像素单元对应的源极单元5，像素界定层包括若干个与源极单元5对应的像素界定单元6 ;且各源极单元5埋设在与源极单元5对应的像素界定单元6内；有机电致发光层7形成在各像素界定单元6的表面，以及位于相邻源极单元5之间的半导体层4暴露部分的表面。
[0033]具体工作时，本发明提供的有机电致发光晶体管阵列基板，在栅极层2和源极层之间加电压，在漏极层8和源极层之间加电压，使有机电致发光晶体管阵列基板的源极层产生面电场，在面电场的作用下，使半导体层4中的载流子扩散并与漏极层8中的载流子在有机电致发光层7中相遇并复合成激子，接着激子的能量会转移到有机电致发光层7中的发光分子上，使发光分子中的电子被激发，从基态跃迀到激发态，而激发态的电子是不稳定的，会把多余的能量辐射出去以回到稳定的基态，多余的能量会以光的形式被辐射出去。另夕卜，调节栅极层2的电压值，将栅极层2的电压值变大