定值的具体数值。可以理解的是，相较于非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)而言，本发明各实施例中的第一预定值显然具有更小的数值，因而可以实现上述画面显示面积的扩大、装置尺寸的缩小和显示分辨率的提尚。
[0071]在上述任意一种阵列基板的基础之上，本发明实施例提供一种包括上述任意一种的阵列基板的显示装置。需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为:显示面板，电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。可以理解的是，本发明实施例的显示装置同样可以实现扫描驱动电路与数据驱动电路在基板上的整合制作，并可以进一步地缩小显示区外的面积、增加画面显示面积，还可以保障电路性能和像素数目不变的情况下缩小装置尺寸，有利于提高显示装置的显示分辨率。
[0072]作为一种具体的示例，图7是本发明一个实施例中一种显示装置的剖面结构图。参见图7，在图5所示的阵列基板的结构的基础上，本发明实施例的显示装置还包括覆盖在平坦化层25和阳极金属层13上的像素定义层31。同时，该像素定义层31中还形成有将像素区域PO内的阳极金属层13暴露出来的开口区域，以及一侧在该开口区域中与阳极金属层13相接触的有机发光层32。另外，在有机发光层32的另一侧，形成有与有机发光层32相接触的透明的阴极导电层33。
[0073]可以理解的是，在每一像素区域PO内，阳极金属层13可以向有机发光层32提供驱动电流，而阴极导电层33可以提供一相应的偏置电位，以使有机发光层32根据驱动电流的大小发出相应亮度的光线。由于阳极金属层13还可以反射来自有机发光层32的光线，因此大部分有机发光层32发出的光线都可以经由透明的阴极导电层33出射，以形成顶发射式的OLED显示。
[0074]当然，本发明实施例中的显示装置还可以包括未在附图中示出的其他结构，例如起到支撑、连接以及保护作用的封装结构，或者用于供电的电源电路等，本发明对此不做限制。
[0075]而针对上述任意一种的阵列基板，图8是本发明一个实施例中一种阵列基板的制造方法的步骤流程示意图。参见图8，该方法包括:
[0076]步骤101:在单晶硅基板内形成若干个晶体管的有源区；
[0077]步骤102:在单晶硅基板上形成阵列电路层；
[0078]步骤103:在阵列电路层上的每一像素区域内形成阳极导电层。
[0079]可以理解的是，本发明实施例所提供的制造方法可以用于上述任意一种阵列基板的制造，从而可以根据其所具有的结果具有相应的可选制作过程，本发明对此不做限制。
[0080]作为一种若干个晶体管的有源区的具体形式示例，上述步骤101:在单晶硅基板内形成若干个晶体管的有源区，可以具体包括附图中未示出的下述步骤:
[0081]步骤1la:在单晶硅基板上形成掩膜图形；掩膜图形覆盖若干个晶体管的有源区之外的区域；
[0082]步骤1lb:在掩膜图形的遮挡下对单晶硅基板进行离子注入，形成位于单晶硅基板内的若干个晶体管的有源区；
[0083]步骤1lc:去除掩膜图形。
[0084]作为一种具体的示例，图9是本发明一个实施例中第一周边区域内的有源区的示意图。参见图9，在局部的第一周边区域A2内，单晶硅基板11上设有六个晶体管的有源区11a。可以理解的是，任一晶体管的有源区Ila可以如图9所示地占据单晶硅基板11的一定面积，并在单晶硅基板11的厚度方向上具有如图5所示地具有一定深度。而在有源区Ila之内，视晶体管类型的不同掺杂有至少一种N型或P型的离子。可以理解的是，上述步骤1la可以在图9所示的有源区Ila之外形成位于单晶硅基板11上的掩膜图形，该掩膜图形举例来说可以是采用光刻工艺形成的一层光刻胶，而该层光刻胶中设置的多处开口将单晶硅基板11上用于形成有源区Ila的区域都暴露出来。基于此，步骤1lb可以通过离子注入工艺在这些区域内制作每一晶体管的有源区11a，而步骤1lc可以通过剥离光刻胶的方式来去除上述掩膜图形。
[0085]由此，经过上述流程之后已形成的单晶硅基板11的结构如图10所示。在图10中，单晶硅基板11上已经按照图1A所示的方式设定好了中央显示区域Al、第一周边区域A2和第二周边区域A3 ;其中的中央显示区域Al内包括多个像素区域PO。而且，若干晶体管的形成区域也已经预先设定，每个晶体管的有源区Ila也经过步骤101而形成，可以在此基础上进行其他结构的制作。
[0086]作为一种阵列电路层的具体形式示例，上述步骤102:在单晶硅基板上形成阵列电路层，可以具体包括附图中未示出的下述步骤:
[0087]步骤102a:在单晶硅基板上形成第一绝缘层；
[0088]步骤102b:在第一绝缘层上形成第一金属层；第一金属层包括若干个晶体管的栅电极的图形；
[0089]步骤102c:在第一金属层和第一绝缘层上形成第二绝缘层；第二绝缘层覆盖第一金属层和第一绝缘层；
[0090]步骤102d:在第一绝缘层和第二绝缘层中形成多个第一过孔；
[0091]步骤102e:在多个第一过孔内和第二绝缘层上形成第二金属层；第二金属层包括若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形；若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形通过多个第一过孔与单晶硅基板内的有源区接触。
[0092]作为一种可选的步骤流程，上述步骤102可以还包括未在附图中示出的下述步骤:
[0093]步骤102f:在第二金属层和第二绝缘层上形成平坦化层；其中，平坦化层覆盖第二金属层和第二绝缘层；在每一像素区域内，平坦化层中形成有用于将第二金属层中至少一个晶体管的源电极或漏电极连接至阳极导电层的第二过孔。
[0094]作为一种具体的示例，图11至图16是上述阵列电路层在制作过程中的结构示意图，具体来说:
[0095]图11示出了在上述步骤102a之后已形成的结构。参见图11，步骤102a在图10所示的结构上形成了一层第一绝缘层21。举例来说，该第一绝缘层21可以包括在下的一层氧化娃(S1x)和在上的一层氮化娃(SiNx)，并可由两次沉积工艺形成。
[0096]图12示出了在上述步骤102b之后已形成的结构。参见图12，步骤102b在图11所示的结构上形成了包括栅电极的图形的第一金属层22。可以理解的是，栅电极的图形的形成区域与有源区Ila的形成区域相互对应。具体地，该第一金属层22可以通过构图工艺形成，比如先沉积一层金属，再以光刻胶的图形作为掩膜对该层金属进行刻蚀，以形成上述第一金属层22中的图形。
[0097]图13示出了在上述步骤102c之后已形成的结构。参见图13，步骤102c在图12所示的结构上形成了一层第二绝缘层23。举例来说，该第一绝缘层23可以包括在下的一层氧化娃(S1x)和在上的一层氮化娃(SiNx)，并可由两次沉积工艺形成。
[0098]图14示出了在上述步骤102d之后已形成的结构。参见图14，步骤102d在图13所示的在第一绝缘层21和第二绝缘层23中形成多个第一过孔H1，具体可以通过刻蚀等方式形成。可以理解的是，第一过孔Hl形成后，部分的有源区Ila暴露出来，从而可以形成其与源电极和漏电极的连接。
[0099]图15示出了在上述步骤102e之后已形成的结构。参见图15，步骤102e在图14所示的多个第一过孔Hl内和第二绝缘层23上形成第二金属层24，具体可以通过沉积金属的构图工艺实现。其中，第二金属层24包括若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形，而且该源电极的图形和漏电极的图形通过多个第一过孔Hl与单晶硅基板11内的有源区Ila接触。由此，上述若干个晶体管的基本结构均已成型。
[0100]图16示出了在上述步骤102f之后已形成的结构。参见图16，步骤102f在图15所示的第二金属层24和第二绝缘层23上形成平坦化层25，以使阵列电路层12的上表面平整。其中，平坦化层25覆盖第二金属层24和第二绝缘层23，并在每一像素区域PO内形成有用于将第二金属层24中至少一个晶体管的源电极或漏电极连接至阳极导电层13的第二过孔H2。当然，平坦化层25的形成过程与第二过孔H2的形成过程均可以参照现有技术进行，在此不再赘述。
[0101]可以看出，在图16的基础上以构图工艺形成图5中示出的阳极金属层13，就可以形成如图7所示的阵列基板的结构。此后在此基础上制作图7所示的像素定义层31、有机发光层32和阴极导电层33，就可以形成如图7所示的显示装置的结构。当然，对应于其他