可选结构下的阵列基板或显示装置，均可以参照本发明实施例所示的制作流程进行，本发明对此不做限制。
[0102]在本发明的描述中需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0103]本发明的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
[0104]类似地，应当理解，为了精简本发明公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释呈反映如下意图:即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循【具体实施方式】的权利要求书由此明确地并入该【具体实施方式】，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
[0105]应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
[0106]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括单晶硅基板、阵列电路层和阳极导电层；其中， 所述单晶硅基板上设有中央显示区域、第一周边区域和第二周边区域；所述中央显示区域包括多个像素区域； 所述阵列电路层形成在所述单晶硅基板上，包括有源区形成在所述单晶硅基板内的若干个晶体管；所述阵列电路层在所述第一周边区域内形成扫描驱动电路、在所述第二周边区域内形成数据驱动电路、在每一所述像素区域内形成像素电路； 所述阳极导电层在每一所述像素区域内的所述阵列电路层上形成，用于分别在每一所述像素区域内输出有机发光层的驱动电流，并用于反射来自所述有机发光层的光线。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列电路层包括: 形成在所述单晶硅基板上的第一绝缘层； 形成在所述第一绝缘层上的第一金属层，所述第一金属层包括所述若干个晶体管的栅电极的图形； 覆盖所述第一金属层和所述第一绝缘层的第二绝缘层； 形成在所述第二绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层包括所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形； 位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的多个第一过孔；所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形通过所述多个第一过孔与所述单晶硅基板内的有源区接触。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列电路层还包括覆盖所述第二金属层和所述第二绝缘层的平坦化层； 在每一所述像素区域内，所述平坦化层中形成有用于将所述第二金属层中至少一个晶体管的源电极的图形或漏电极的图形连接至所述阳极导电层的第二过孔。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述多个像素区域由形成在所述中央显示区域内的多行扫描线与多列数据线交叉限定出来；所述扫描驱动电路与所述多行扫描线相连；所述数据驱动电路与所述多列数据线相连。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每一所述像素区域内的所述像素电路均各自连接一行扫描线和一列数据线；所述像素电路用于在所述扫描线上的信号的控制下根据来自所述数据线的数据电压生成流向阳极导电层的驱动电流。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括所述多行扫描线的图形，所述第二金属层包括所述多列数据线的图形； 或者，所述第二金属层包括所述多行扫描线的图形，所述第一金属层包括所述多列数据线的图形。7.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，任一所述晶体管的形成区域占所述阵列基板的面积均小于第一预定值。8.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述若干个晶体管均为P型晶体管。9.一种如权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在所述单晶硅基板内形成所述若干个晶体管的有源区； 在所述单晶硅基板上形成所述阵列电路层； 在所述阵列电路层上的每一所述像素区域内形成所述阳极导电层。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶硅基板内形成所述若干个晶体管的有源区，包括: 在所述单晶硅基板上形成掩膜图形；所述掩膜图形覆盖所述若干个晶体管的有源区之外的区域； 在所述掩膜图形的遮挡下对所述单晶硅基板进行离子注入，形成位于所述单晶硅基板内的所述若干个晶体管的有源区； 去除所述掩膜图形。11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶硅基板上形成所述阵列电路层，包括: 在所述单晶硅基板上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第一金属层；所述第一金属层包括所述若干个晶体管的栅电极的图形； 在所述第一金属层和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述第一金属层和所述第一绝缘层； 在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成多个第一过孔； 在所述多个第一过孔内和所述第二绝缘层上形成第二金属层；所述第二金属层包括所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形；所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形通过所述多个第一过孔与所述单晶硅基板内的有源区接触。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶硅基板上形成所述阵列电路层，还包括: 在所述第二金属层和所述第二绝缘层上形成平坦化层；其中，所述平坦化层覆盖所述第二金属层和所述第二绝缘层；在每一所述像素区域内，所述平坦化层中形成有用于将所述第二金属层中至少一个晶体管的源电极或漏电极连接至所述阳极导电层的第二过孔。13.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板。14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，还包括位于该阵列基板上并且一侧与所述阳极导电层相接触的有机发光层，以及与所述有机发光层的另一侧相接触的透明的阴极导电层。
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，其中的阵列基板包括单晶硅基板、阵列电路层和阳极导电层；单晶硅基板上设有中央显示区域、第一周边区域和第二周边区域；中央显示区域包括多个像素区域；阵列电路层形成在单晶硅基板上，包括有源区形成在单晶硅基板内的若干个晶体管；阵列电路层在第一周边区域内形成扫描驱动电路、在第二周边区域内形成数据驱动电路、在每一像素区域内形成像素电路；阳极导电层在每一像素区域内的阵列电路层上形成，用于分别在每一像素区域内输出有机发光层的驱动电流，并用于反射来自有机发光层的光线。本发明可以实现扫描驱动电路与数据驱动电路在基板上的整合制作，并有利于显示性能的提升。
【IPC分类】H01L27/32, H01L21/77
【公开号】CN105185816
【申请号】CN201510665742
【发明人】赖韦霖, 詹裕程, 黄建邦
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年10月15日