镀层121，如图4B所示。
[0079]图5是示出图2的分离金属层的步骤120的截面图。
[0080]如图2和图5所示，根据本发明的实施例的分离金属层的步骤S120可将形成有内镀层的一对金属层从基板层分离。
[0081]也就是说，如图5所示，在根据实施例的分离金属层的步骤S120中，可将形成有内镀层的一对金属层13从基板层分离，从而能够通过一个工艺形成形成有内镀层121的两个金属层13。因此，通过使制造工艺简化能够实现大规模生产。
[0082]此外，在根据本发明的实施例的分离金属层的步骤S120中，参照图3，由于粘附强度通过预定因素而劣化的粘附层12堆叠在基板层11的两个表面上并且金属层粘附在每个粘附层12上，因此在粘附层12的粘附强度通过对粘附层12施加预定因素而劣化之后，可分离金属层13。
[0083]在这种情况下，削弱粘附层12的粘附强度的预定因素可以是紫外光或热。也就是说，通过使用与当照射紫外光时产生气体的材料混合的粘附剂形成粘附层12，在粘附层12的最优条件通过照射紫外光而改变的情况下，可使粘附强度劣化。此外，通过使用与由于预定热而膨胀的材料混合的可膨胀粘附剂形成粘附层12，当将要分离粘附层12时，如果施加预定热，则在粘附层12内部发生膨胀。结果，在粘附表面变得不平坦的同时，粘附性质劣化。
[0084]图6是示出图2的形成绝缘层的步骤S130的截面图。
[0085]在根据本发明的实施例的形成绝缘层的步骤S130中，如图2和图6所示，在去除了第一阻镀剂的金属层以及内镀层上形成绝缘层。
[0086]更具体地讲，在形成绝缘层的步骤S130中，于在步骤S120中形成的金属层13和在步骤S110中形成的内镀层121的区域之中的去除了第一阻镀剂的金属层区域中插入并堆叠绝缘层110，以使形成在每个金属层13上的内镀层121从绝缘层110的顶表面和底表面嵌入。
[0087]因此，如图6所示，在进行形成绝缘层的步骤S130之后，内镀层121可包括从绝缘层110的底表面嵌入的第一内镀层121-1和从绝缘层110的顶表面嵌入的第二内镀层121-2，通过这样，可形成线圈图案嵌在绝缘层110内部的构成。
[0088]最后，通过以下的根据本发明的实施例的制造方法，线圈图案的内镀层121可嵌在绝缘层110内，与在绝缘层的顶表面和底表面上形成线圈图案的镀层的线圈单元相比，可使总厚度最小化。因此，能够实现包括镀层的薄膜电感器的小型化和纤薄化。
[0089]同时，嵌入到绝缘层110的顶表面和底表面的每个表面内部的第一内镀层121-1和第二内镀层121-2中的至少一个在步骤S110中可以由多个镀层(未示出)形成。在形成多个层的线圈图案的内镀层的情况下，可调节并形成线圈图案的截面区域，通过这样，能够改善设计薄膜电感器的特性(诸如阻抗)的自由度。
[0090]此外，在步骤S130中的绝缘层110可以由半固化片(PPG)和树脂的混合物形成，或者由一种类型的树脂形成，但不限于此。其可以是任何物质，只要该物质能够通过使嵌入到其中的镀层121绝缘而起到保护作用即可。
[0091]因此，对于绝缘层110，可允许各种应用，诸如可由从丙烯酸脂聚合物、酚醛树脂聚合物和聚酰胺聚合物的组中选择的至少一种或至少两种物质的混合物形成。
[0092]此外，如图6所示，虽然根据本发明的实施例的绝缘层110可按照单绝缘层结构来形成，但不限于此，可采用不同物质的双绝缘层结构。在这种情况下，将第一内镀层121-1嵌在其底表面上的绝缘层和将第二内镀层121-2嵌在其顶表面上的绝缘层可以由两种不同的物质形成。
[0093]像以上一样，如果采用了具有不同物质的双绝缘层结构的绝缘层，则与单绝缘层结构相比，能够容易地调节厚度，并可容易地调节线圈图案与磁性物质之间的绝缘距离以及线圈的距离。因此，可自由地设计并形成薄膜电感器的电感特性。
[0094]同时，在进行形成绝缘层的步骤S130之后，可形成通孔以使每个线圈图案与外电路图案电连接。然后可通过使用诸如除胶渣和化学铜的工艺镀覆来形成导电过孔(未示出)。此时，虽然通过机械方法、激光工艺或光刻工艺加工通孔，但不限于此。
[0095]图7A和图7B是示出图2的形成生长导电层的步骤S140的截面图。
[0096]如图2、图7A和图7B所示，形成生长导电层的步骤S140可包括:在位于绝缘层的顶表面和底表面上的一对金属层上形成第二阻镀剂，然后使金属层的区域中的包括形成有内镀层的一部分或整个区域的区域暴露(S141);在步骤S141的金属层的暴露的区域上形成生长导电层(S142);通过去除第二阻镀剂以及位于第二阻镀剂之下的金属层暴露绝缘层的预定区域(S143)。
[0097]更具体地讲，如图7A所示，根据本发明的实施例的形成生长导电层的步骤S140，第二阻镀剂16可形成在位于绝缘层110的顶表面和底表面的一对金属层13上，以暴露金属层13的区域中的形成有内镀层121的预定区域(S141)。
[0098]在本发明的实施例中，虽然金属层13的区域中的包括形成有内镀层的区域的区域A通过第二阻镀剂16暴露，但不限于此，因此，可使包括由内镀层121形成的整个区域的区域暴露。
[0099]此时，与步骤S111的第一阻镀剂14相似，可使用抗蚀干膜作为第二阻镀层16，但不限于此，可使用任何类型的抗蚀图案(例如，光致抗蚀剂)以形成生长导电层122 (将进一步描述)。
[0100]另外，如图7B所示，可通过使用金属层13作为电极的电镀，使用导电物质填充步骤S141的暴露的区域(未形成有第二阻镀剂的区域)来形成生长导电层122(S142)。
[0101]此外，如图7B所示，通过利用诸如曝光、显影等工艺去除第二阻镀剂16，通过诸如蚀刻的工艺去除位于第二阻镀剂16之下的金属层13，可暴露绝缘层110的预定区域(S143)。
[0102]按照根据本发明的形成生长导电层的步骤S140，可在内镀层121上形成生长导电层122。因此，如图7B所示，在绝缘层110的顶表面和底表面上可形成两种导体的结合，与传统的结合结构相比，这种结合能够改善绝缘层与导体的结合强度。因此，如本发明的实施例那样，在生长导电层122形成在内镀层121上的情况下，可防止绝缘层110与线圈图案120之间的图案分层。
[0103]另外，按照根据本发明的实施例的形成生长导电层的步骤S140，当在内镀层121上形成生长导电层122时，导体在绝缘层10的顶表面和底表面上彼此结合，镀覆的表面可形成得更宽，从而改善设计薄膜电感器的特性(诸如阻抗)的自由度。
[0104]同时，在根据本发明的实施例的形成生长导电层的步骤S140中，如图7A和图7B所示，根据通过第二阻镀剂16而暴露的区域A，生长导电层122的宽度W2可形成得比内镀层121的宽度W1小。这是因为，如上所述，如果生长导电层122的宽度W2大于或等于内镀层121的宽度W1，则当通过诸如各向异性镀覆的工艺形成外镀层123时，会在邻接的外镀层123之间发生短路。然而，本发明不限于此，因此，当通过诸如各向异性镀覆的工艺形成外镀层123时，生长导电层122的宽度W2可大于或等于内镀层121的宽度W1。
[0105]图8A至图8C是示出图2的形成外镀层的步骤S150和形成绝缘剂的步骤S160的截面图。
[0106]首先，如图2、图8A和图8B所示，根据本发明的实施例的形成外镀层的步骤S150可包括:在步骤S143的暴露的绝缘层的一部分或整个区域上形成第三阻镀剂，然后使生长导电层122暴露(S151);通过基于步骤S151的暴露的生长导电层进行镀覆和生长来形成外镀层(S152);去除第三阻镀剂(S153)。
[0107]更具体地讲，在根据本发明的实施例的形成外镀层的步骤S150中，可通过在在步骤S143中暴露的绝缘层110的区域上形成第三阻镀剂18而使生长导电层122暴露(S151)。
[0108]如图8A和图8B所示，为了外镀层123等的各向异性镀覆，在在步骤S143中暴露的绝缘层110的区域的一部分上形成第三阻镀剂18。然而，不限于此，如果通过像这样的单向镀覆形成外镀层123，则可在在步骤S143中暴露的绝缘层110的整个区域上形成第三阻镀剂18。
[0109]此时，如与步骤S111的第一阻镀剂14和步骤S141的第二阻镀剂16相似，对于第三阻镀剂18，可使用抗蚀干膜，但不限于此。可使用任何类型的抗蚀图案(例如，光致抗蚀剂等)以形成外镀层123 (将进一步描述)。
[0110]另外，如图8B所示，可通过执行使用生长导电层122作为基础电极的电镀并进行生长来形成外镀层