3)基板构成。导体层例如由金、铜、银、镍等导体形成。这些导体可以单独使用或者组合使用。
[0136]另外，导体层包括端子15。
[0137]端子15在绝缘基板的表面、在面方向上隔开间隔地形成、形成为与上述的凸块13对应的图案。此外，虽未图示，端子15借助于导体层与电力供给部电连接。
[0138]接着，如图2的(h)所示，将凸块13与端子15电连接，在基底基板16上倒装安装发光二极管元件20。
[0139]在倒装安装中，以使凸块13与端子15在厚度方向上邻接的方式将发光二极管元件20载置在基底基板16上之后，通过例如加热或者超声波等使凸块13回流(ref low)。由此，凸块13与端子15在厚度方向上接触。
[0140]然后，根据需要，如图2的(h)的虚线的箭头所示，将脱模基材18从荧光体层17剥离。
[0141]由此，可以得到具备基底基板16、倒装安装在基底基板16上的发光二极管元件20的发光二极管装置21。
[0142]而且，在使用上述的发光二极管元件20的上述的发光二极管装置21的制造方法中，由于准备形成为片状的荧光体层17，因此能够确实地形成均匀的荧光体层17。因此，能够在荧光体层17实现均匀的波长转换。其结果，上述的发光二极管装置21能够发出均匀的白色光。
[0143]另外，在上述的发光二极管装置21的制造方法中，由于预先准备形成为片状的荧光体层17，因此能够以短时间、并且简便地形成荧光体层17。因此，能够抑制制造成本的上升。
[0144]进而，在上述的发光二极管装置21的制造方法中，由于以被覆光半导体层3的方式形成含有光反射成分的密封树脂层14，因此由光半导体层3发出的光在被其他构件吸收之前会被密封树脂层14的光反射成分反射。因此，能够提高光的输出效率。
[0145]再者，在上述的发光二极管装置21中，由于荧光体层17形成在光半导体层3的上表面，因此能够借助于荧光体层17将光半导体层3的热量向上侧散热。因此，能够防止光半导体层3的发光效率的降低。
[0146]另外，在上述的发光二极管装置21的制造方法中，由于将发光二极管元件20倒装安装在基底基板16上，因此能够实现亮度的提高而实现输出效率的进一步提高。
[0147]此外，在图2的(h)的虚线的箭头的实施方式中，在基底基板16上进行倒装安装之后，将脱模基材18从荧光体层17剥离，但对脱模基材18的剥离的时期并不限定于此。例如也可以在以下时期将脱模基材18从荧光体层17剥离:如参照图2的(a)，在准备荧光体层17之后；另外，如参照图2的(b)，在形成光半导体层3之后；另外，如参照图2的(c)，在形成电极部4之后；另外，如参照图2的(d)，在形成密封树脂层14之后；另外，如参照图2的(e)，在除去密封树脂层14的上侧部之后；另外，如参照图2的(f)，在分割密封树脂层14和荧光体层17之后。
[0148]实施例
[0149]以下示出实施例来进一步具体说明本发明，但本发明并不限定于实施例。
[0150]实施例1
[0151]准备形成为片状的厚度75μπι的荧光体层(参照图2的(a))。
[0152]即，将26质量份由Y3Al5012:Ce构成的荧光体颗粒(球形状、平均粒径8μπι)、以及74质量份有机硅树脂(加成反应型有机硅树脂，运动粘度(25°C)20mm2/s，WACKER ASAHIKASEISILICONE C0.，LTD.制造)配混，均匀搅拌，从而制备荧光体组合物。
[0153]接着，将所制备的荧光体组合物涂布于由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的厚度50μ??的脱模基材的表面，形成片状的荧光体皮膜。然后，将所形成的荧光体皮膜在100°c下干燥，形成上述的图案的片状的荧光体层。
[0154]接着，在荧光体层的上表面形成光半导体层(参照图2的(b))。
[0155]S卩，通过外延生长法在荧光体层上按上述的图案依次形成:由GaN构成的厚度30nm的缓冲层、由掺杂有Si的N型GaN(n-GaN:Si，以下同样表示)构成的厚度5μπι的N型半导体层、由InGaN构成的厚度120nm的发光层、以及由p-GaN:Mg构成的厚度50nm的Ρ型半导体层。此夕卜，缓冲层和N型半导体层在形成N型半导体层之后通过蚀刻而蚀刻成上述的相同图案，另夕卜，发光层和P型半导体层在形成P型半导体层之后通过蚀刻而蚀刻成上述的相同图案。
[0156]接着，在光半导体层的上表面通过图案化法以与光半导体层连接的方式形成电极部(参照图2的(c))。
[0157]S卩，在P型半导体层上形成由ΙΤ0构成的厚度50nm的透明电极，接着，在透明电极上形成由金构成的厚度50nm的阳极电极。同时，在N型半导体层上形成由金构成的厚度50nm的阴极电极。
[0158]接着，在阳极电极和阴极电极上分别形成由金构成的凸块。
[0159]详细而言，调整阳极电极上的凸块的厚度和阴极电极上的凸块的厚度，以使这些凸块的上表面在沿面方向投影时为相同的高度。
[0160]接着，在荧光体层上以被覆光半导体层和电极部的方式形成密封树脂层(参照图2的⑷)。
[0161]具体而言，首先，将100质量份热固性有机硅树脂、以及20质量份球状且平均粒径300nm的氧化钛(Ti02:金红石的四方晶系)颗粒混合均匀，从而制备糊状的密封树脂组合物。接着，将所制备的密封树脂组合物涂布在含有光半导体层和电极部的荧光体层上，形成半固化状态(B阶(stage)状态)的密封皮膜。然后，通过加热使密封皮膜固化。
[0162]由此，利用密封树脂层将光半导体层和电极部密封(参照图2的(e))。
[0163]此外，将密封树脂层的上表面形成为比凸块的上表面靠上侧30ym(L)的位置。
[0164]然后，通过研磨加工将密封树脂层的上侧部(厚度30μπι)除去以露出电极部的上表面(参照图2的(f))。此外，将密封树脂层的上侧部除去，以使电极部的上表面及其周围的密封树脂层的上表面为一个面。
[0165]由此，将具备荧光体层、被密封树脂层密封的各光半导体层、侧面被密封树脂层被覆并且凸块的上表面从密封树脂层露出的各电极部的多个发光二极管元件形成为一体。
[0166]然后，将各发光二极管元件间的荧光体层和密封树脂层分割而切成多个发光二极管元件(参照图2的(f)的点划线)。即，将发光二极管元件单片化。
[0167]然后，将发光二极管元件翻过来。接着，准备在由蓝宝石(A1203)构成的绝缘基板的表面层叠包括由铜、镍和金构成的端子的导体层而得到的、厚度1mm的基底基板，将发光二极管元件与基底基板相向配置(参照图2的(g))。
[0168]然后，通过加热使凸块回流，使凸块与端子接触，将它们直接电连接，将发光二极管元件倒装安装在基底基板上(参照图2的(g))。然后，将脱模基材从荧光体层剥离(参照图2的(g)虚线的箭头)。
[0169]由此，制造具备基底基板、安装在基底基板上的发光二极管元件的发光二极管装置。
[0170]此外，虽然作为本发明的例示实施方式给出了上述说明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员清楚的本发明的变形例包括在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种发光二极管元件，其特征在于，其具备: 形成为片状的荧光体层;和 形成在所述荧光体层的厚度方向中一方向侧的面的光半导体层;和以与所述光半导体层连接的方式形成在所述光半导体层的所述厚度方向中一方向侧的面的电极部;和 被覆所述光半导体层和所述电极部、并且露出所述电极部的所述厚度方向中一方向侧的面的、含有光反射成分的密封树脂层。
【专利摘要】提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。
【IPC分类】H01L33/50, H01L33/60, H01L33/52
【公开号】CN105470372
【申请号】CN201510937597
【发明人】新堀悠纪, 大薮恭也, 佐藤慧, 伊藤久贵
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2012年3月28日
【公告号】CN102723410A, CN102723410B, EP2506322A2, EP2506322A3, US8680557, US20120248485