4的上方，第二源极212和第二漏极213均位于第二栅极211的上方;第一薄膜晶体管110的第一漏极113通过贯穿第一缓冲层140的过孔和贯穿第一基板100的第一过孔120与第二薄膜晶体管210的第二漏极213电性连接。
[0077]实施例六:
[0078]当第二薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的漏极电性连接时，如图2f所示，在第二薄膜晶体管210中，第二栅极211位于第二有源层214的上方，第二源极212和第二漏极213均位于第二有源层214的下方;在第一薄膜晶体管110中，第一栅极111位于第一有源层114的上方，第一源极112和第一漏极113均位于第一有源层114的下方;第一薄膜晶体管110的第一漏极113通过贯穿第一缓冲层140的过孔和贯穿第一基板100的第一过孔120与第二薄膜晶体管210的第二栅极211电性连接。
[0079]实施例七:
[0080]当第二薄膜晶体管的源极或漏极与第一薄膜晶体管电性连接时，如图2a至图2e所示(图2a至图2e只给出了第二薄膜晶体管210的第二漏极213与第一薄膜晶体管110电性连接的实现方式)，在第二薄膜晶体管210中，第二栅极211位于第二有源层214的上方，第二源极212和第二漏极213均位于第二栅极211的上方;第一薄膜晶体管110至少通过贯穿第一基板100的第一过孔120与第二薄膜晶体管210的第二漏极213电性连接。
[0081]进一步地，为了降低制作工艺，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，位于第一基板上的所有第一薄膜晶体管的结构均相同，这样可以使制作第一薄膜晶体管的工艺统一。
[0082]进一步地，为了降低制作工艺，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，位于第二基板上的所有第二薄膜晶体管的结构均相同，这样可以使制作第二薄膜晶体管的工艺统一。
[0083]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括:本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。该显示面板解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。该显示面板可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示面板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
[0084]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述任一种阵列基板的制作方法，如图3所示，可以包括以下步骤:
[0085]S301、在第一基板上形成第一过孔和第一薄膜晶体管的图形，在第二基板上形成第二薄膜晶体管的图形；
[0086]S302、将形成有第一薄膜晶体管的第一基板与形成有第二薄膜晶体管的第二基板进行封装，使第一基板至少有一个第一薄膜晶体管通过至少贯穿第一基板的第一过孔与第二基板上的第二薄膜晶体管电性连接。
[0087]需要说明的是，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第一基板上形成第一过孔和第一薄膜晶体管的图形，与在第二基板上形成第二薄膜晶体管的图形可以分别同时进行工艺制作;或者，
[0088]可以先在第一基板上形成第一过孔和第一薄膜晶体管的图形，然后在第二基板上形成第二薄膜晶体管的图形;或者，
[0089]也可以先在第二基板上形成第二薄膜晶体管的图形，然后在第一基板上形成第一过孔和第一薄膜晶体管的图形，在此不作限定。
[0090]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第一基板上形成第一过孔和第一薄膜晶体管的图形，具体可以为:
[0091]在第一基板的各遮光区域内形成至少一个凹槽；
[0092]在形成有凹槽的第一基板上形成第一薄膜晶体管的图形；
[0093]采用减薄工艺减薄第一基板的厚度，直至凹槽形成贯穿第一基板的第一过孔。这样在第一基板上形成不贯穿第一基板的凹槽，可以直接在形成有凹槽的第一基板上制作第一薄膜晶体管，可以简化工艺，降低成本。
[0094]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第一基板的各遮光区域内形成至少一个凹槽之前，还包括:在第一基板上形成第一缓冲层。
[0095]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第二基板形成第二薄膜晶体管之前，还包括:在第二基板上形成第二缓冲层。
[0096]由于在第二薄膜晶体管的制作过程中各膜层会存在段差，从而使形成第二薄膜晶体管后的第二基板的上表面不平坦。因此，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第二基板上形成第二薄膜晶体管的图形之后，将形成有第一薄膜晶体管的第一基板与形成有第二薄膜晶体管的第二基板进行封装之前，还可以包括:
[0097]在形成有第二薄膜晶体管的图形的第二基板上形成平坦化层的图形，其中平坦化层中具有贯穿平坦化层的、且与将要与第一薄膜晶体管电性连接的第二薄膜晶体管一一对应的第二过孔。
[0098]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，将形成有第一薄膜晶体管的第一基板与形成有第二薄膜晶体管的第二基板进行封装，具体可以包括:
[0099]在第一基板背离第一薄膜晶体管的一侧，形成与各第一过孔一一对应且与第一薄膜晶体管电性连接的凸点，采用邦定工艺使第二薄膜晶体管与凸点电性连接。
[0100]或者，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，将形成有第一薄膜晶体管的第一基板与形成有第二薄膜晶体管的第二基板进行封装，具体可以包括:
[0101]在形成有平坦化层的图形的第二基板上形成与第二过孔一一对应且与第二薄膜晶体管电性连接的凸点，采用邦定工艺使第一薄膜晶体管与凸点电性连接。
[0102]进一步地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在阵列基板上一般还包括分别在第一基板和第二基板上制作介质层等其它结构和膜层，由于这些结构和膜层的设置均与现有技术相同，在此不作赘述。
[0103]下面以制作图2b所示的阵列基板为例，对上述阵列基板的制作方法进行详细说明。需要说明的是，本实施例是为了更好的解释本发明，但不限制本发明。
[0104]具体地，图2b所示的阵列基板的制作过程可以包括以下步骤:
[0105]步骤1、在第一基板上形成第一过孔和第一薄膜晶体管的图形，具体包括:
[0106](I)通过一次构图工艺在第一基板100上形成第一缓冲层140的图形，并且在第一基板100的各遮光区域内形成贯穿第一缓冲层140的过孔以及在第一基板100上且与各过孔对应区域形成凹槽160，如图4a所示；
[0107](2)通过一次构图工艺在第一缓冲层140上形成第一薄膜晶体管的第一源极112的图形，如图4b所示；
[0108](3)通过一次构图工艺在第一薄膜晶体管的第一源极112上形成第一薄膜晶体管的第一有源层114的图形，使第一有源层114与第一薄膜晶体管的第一源极112电性连接，如图4c所示；
[0109](4)在第一有源层114上形成第一栅绝缘层130。如图4d所示；
[0110](5)通过一次构图工艺在第一栅绝缘层130上形成第一薄膜晶体管的第一栅极111的图形，如图4e所示；
[0111](6)在第一薄膜晶体管的第一栅极111上形成第一介质层150的图形，以及贯穿第一介质层150和贯穿第一栅绝缘层130的第三过孔170，如图4f所示；
[0112](7)在第一介质层150上形成第一薄膜晶体管的第一漏极113的图形，使第一薄膜晶体管的第一漏极113通过第三过孔170与第一有源层114电性连接，如图4g所示；
[0113](8)采用减薄工艺减薄第一基板100的厚度，直至凹槽形成贯穿第一基板100的第一过孔120 ；如图4h所示。
[0114]在具体实施时，在步骤(5)中还包括:对第一薄膜晶体管中的第一有源层与第一源极和第一漏极电性相连的部分进行掺杂，以提高第一有源层与第一源极和第一漏极的导电性能。
[0115]在具体实施时，步骤(8)也可以处于步骤(2)之后，步骤(3)之前。
[0116]步骤2、在第二基板上形成第二薄膜晶体管的图形，具体包括:
[0117](I)在第二基板200上形成第二缓冲层240，如图5a所示；
[0118](2)通过一次构图工艺在第二缓冲层240上形成第二薄膜晶体管的第二有源层214的图形，如图5b所示；