[0119](3)通过一次构图工艺在第二有源层214上形成第二栅绝缘层230，如图5c所示；
[0120](4)通过一次构图工艺在第二栅绝缘层230上形成第二薄膜晶体管的第二栅极211的图形，如图5d所示；
[0121](5)通过一次构图工艺在第二薄膜晶体管的第二栅极211上形成第二介质层250的图形，以及贯穿第二介质层250和第二栅绝缘层230的第四过孔260，如图5e所示；
[0122](6)通过一次构图工艺在第二介质层250上形成第二薄膜晶体管的第二源极212和第二漏极213的图形，第二薄膜晶体管的第二源极212和第二漏极213分别通过第四过孔260与第二有源层214电性连接，如图5f所示；
[0123](7)通过一次构图工艺在第二薄膜晶体管的第二源极212和第二漏极213上形成平坦化层220的图形，以及贯穿平坦化层220且与第二薄膜晶体管的第二漏极213—一对应的第二过孔221，如图5g所示。
[0124]在具体实施时，在步骤(4)中还包括:对第二薄膜晶体管中的第二有源层与第二源极和第二漏极电性相连的部分进行掺杂，以提高第二有源层与第二源极和第二漏极的导电性能。
[0125]步骤3、将形成有第一薄膜晶体管的第一基板与形成有第二薄膜晶体管的第二基板进行封装，使第一基板至少有一个第一薄膜晶体管通过至少贯穿第一基板的第一过孔与第二基板上的第二薄膜晶体管电性连接，具体包括:
[0126](I)在形成有平坦化层220的图形的第二基板200上形成与第二过孔221—一对应且与第二薄膜晶体管的第二漏极213电性连接的凸点300，如图6所示；
[0127](2)采用邦定工艺使第一薄膜晶体管110中的第二源极112通过贯穿第一缓冲层140的过孔以及贯穿第一基板100的第一过孔120与凸点300电性连接，如图2b所示。
[0128]在具体实施时，可以先进行步骤I的工艺制作过程，再进行步骤2的工艺制作过程；也可以先进行步骤2的工艺制作过程，再进行步骤I的工艺制作过程；当然也可以分别同时进行步骤I和步骤2的工艺制作过程。
[0129]在具体实施时，可以通过改变步骤I中的工艺制作过程的顺序以制作得到所需的不同结构的第一薄膜晶体管，可以通过改变步骤2中的工艺制作过程的顺序以制作得到所需的不同结构的第二薄膜晶体管，在此不作详述。
[0130]需要说明的是，在本发明实施例提供的上述制作方法中，构图工艺可只包括光刻工艺，或，可以包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺;光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。在具体实施时，可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
[0131]本发明实施例提供的上述阵列基板、其制作方法及显示面板，通过将一部分薄膜晶体管即第一薄膜晶体管制作在第一基板上，将另一部分薄膜晶体管即第二薄膜晶体管制作在第二基板上，且第二薄膜晶体管位于与第一基板的各遮光区域对应区域中，并通过贯穿第一基板的第一过孔使第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管电性连接，与现有的阵列基板中将属于同一像素区域中的多个薄膜晶体管均设置于一个基板上相比，本发明实施例提供的上述阵列基板，通过叠层方式可以使第一基板中用于设置薄膜晶体管的遮光区域的面积减小，从而可以在较小的像素区域中设置较多的薄膜晶体管，进而提高显示的分辨率;并且，还可以提高阵列基板的开口率。
[0132]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括:第一基板，所述第一基板包括多个像素区域，各所述像素区域具有开口区域和遮光区域，所述遮光区域内至少设置有一个第一薄膜晶体管;其特征在于，所述阵列基板还包括: 位于所述第一基板下方的第二基板;所述第二基板在与所述第一基板的各所述遮光区域对应区域中设置有至少一个第二薄膜晶体管； 所述第一基板上至少有一个所述第一薄膜晶体管通过至少贯穿所述第一基板的第一过孔与所述第二基板上的第二薄膜晶体管电性连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括:位于所述第一基板与所述第二薄膜晶体管之间，且位于电性连接的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间的凸占.V ， 所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管通过对应的凸点采用邦定方式电性连接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括:位于所述凸点与所述第二薄膜晶体管之间的平坦化层； 所述凸点至少通过贯穿所述平坦化层的第二过孔与所述第二薄膜晶体管电性连接。4.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管电性连接时，在所述第一薄膜晶体管中，栅极位于源极和漏极的下方;或， 当所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管电性连接时，在所述第一薄膜晶体管中，源极位于栅极的下方，漏极与源极同层设置或位于栅极的上方;或， 当第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管电性连接时，在第一薄膜晶体管中，漏极位于栅极的下方，源极与所述漏极同层设置或位于所述栅极的上方。5.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，当所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管电性连接时，在所述第二薄膜晶体管中，栅极位于源极和漏极的上方;或， 当所述第二薄膜晶体管的源极或漏极与所述第一薄膜晶体管电性连接时，在所述第二薄膜晶体管中，源极和漏极均位于栅极的上方。6.—种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。7.—种如权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在所述第一基板上形成第一过孔和所述第一薄膜晶体管的图形，在所述第二基板上形成所述第二薄膜晶体管的图形； 将形成有所述第一薄膜晶体管的第一基板与形成有所述第二薄膜晶体管的第二基板进行封装，使所述第一基板至少有一个第一薄膜晶体管通过至少贯穿所述第一基板的第一过孔与所述第二基板上的第二薄膜晶体管电性连接。8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第一基板上形成第一过孔和所述第一薄膜晶体管的图形，具体为: 在所述第一基板的各所述遮光区域内形成至少一个凹槽； 在形成有所述凹槽的第一基板上形成所述第一薄膜晶体管的图形； 采用减薄工艺减薄所述第一基板的厚度，直至所述凹槽形成贯穿所述第一基板的第一过孑L。9.如权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，在所述第二基板上形成所述第二薄膜晶体管的图形之后，将形成有所述第一薄膜晶体管的第一基板与形成有所述第二薄膜晶体管的第二基板进行封装之前，还包括: 在形成有所述第二薄膜晶体管的图形的第二基板上形成平坦化层的图形，其中所述平坦化层中具有贯穿所述平坦化层的、且与将要与所述第一薄膜晶体管电性连接的所述第二薄膜晶体管一一对应的第二过孔。10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，将形成有所述第一薄膜晶体管的第一基板与形成有所述第二薄膜晶体管的第二基板进行封装，具体包括: 在所述第一基板背离所述第一薄膜晶体管的一侧，形成与各所述第一过孔一一对应且与所述第一薄膜晶体管电性连接的凸点，采用邦定工艺使所述第二薄膜晶体管与所述凸点电性连接;或， 在形成有所述平坦化层的图形的第二基板上形成与所述第二过孔一一对应且与所述第二薄膜晶体管电性连接的凸点，采用邦定工艺使所述第一薄膜晶体管与所述凸点电性连接。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，通过将一部分薄膜晶体管即第一薄膜晶体管制作在第一基板上，将另一部分薄膜晶体管即第二薄膜晶体管制作在第二基板上，且第二薄膜晶体管位于与第一基板的各遮光区域对应区域中，并通过至少贯穿第一基板的第一过孔使第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管电性连接，与现有的阵列基板中将属于同一像素区域中的多个薄膜晶体管均设置于一个基板上相比，本发明实施例提供的上述阵列基板，通过叠层方式可以使第一基板中用于设置薄膜晶体管的遮光区域的面积减小，从而可以在较小的像素区域中设置较多的薄膜晶体管，进而提高显示的分辨率；并且，还可以提高阵列基板的开口率。
【IPC分类】H01L27/12
【公开号】CN105633099
【申请号】CN201610059810
【发明人】李良坚, 高山镇
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年1月28日