、密度变化范围广等特点，它的结构是低密度且稳定性较好的网络结构，具有较高的孔隙率，有利于光的散射。
[0054]将炭气凝胶加入聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液中得到混合液，将该混合液旋涂在玻璃基底上，然后烘干得到炭气凝胶层。其中，加入的炭气凝胶的质量为聚3，4_二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液质量的I?20%。
[0055]优选地，聚3，4_二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液为市售普通商品。
[0056]优选地，聚3，4_二氧乙烯噻吩与所述聚苯磺酸盐的质量比为2:1?6:1。
[0057]优选地，聚3，4_ 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液中聚3，4_ 二氧乙烯噻吩的质量分数为I %?5 %。
[0058]优选地，炭气凝胶的粒径为10?lOOnm。
[0059]优选地，炭气凝胶层的厚度为10?30μηι。
[0060]优选地，旋涂条件为转速2000?6000rpm，时间10?60s。
[0061 ] 优选地，烘干条件为温度50?200°C，时间15?40min。
[0062]氧化锌层通过电子束蒸镀的方法设置在炭气凝胶层上，电子束蒸镀的条件为能量密度 10 ?10W/ Cm20
[0063]由于氧化锌(ZnO)属于纳米结构，晶体尺寸较大，对光有强烈的散射作用，使原本发射到阳极两侧的光通过散射回到器件底部，减少了光的损失，并且，氧化锌折射率低于阳极，避免了光从阳极发射到玻璃基底过程中发生的全反射现象，从而提高器件的出光效率。
[0064]优选地，氧化锌的粒径为50?200nm。
[0065]优选地，氧化锌层的厚度为20?200nm。
[0066]优选地，电子束蒸镀的条件为能量密度25?70W/cm2。
[0067]阳极通过磁控溅射的方法设置在玻璃基底的另一面。
[0068]优选地，阳极的材质为透明导电薄膜，选自铟锡氧化物(ΙΤ0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO)。更优选地，阳极的材质为ΙΤ0。
[0069 ] 优选地，阳极的厚度为80?300nm。更优选地，阳极的厚度为120nm。
[0070]优选地，磁控溅射的条件为加速电压350?400V，磁场100?180G，功率密度20?35ff/cm2o
[0071]本发明在玻璃基底和阳极之间依次制备炭气凝胶层与氧化锌层作为光取出层，光从阳极射出会先抵达氧化锌层，由于氧化锌的低折射率以及对光的强烈散射作用，可使原本发射到阳极两侧的光通过散射回到器件底部，并且避免了全反射现象，光可以有效地穿过氧化锌层，到达炭气凝胶层。炭气凝胶层具有较高的孔隙率和低折射率，而本发明采用折射率高于1.8的光学玻璃作为基底，因此减少了在炭气凝胶层与玻璃基底之间光的全发射的发生，从而提高器件的出光效率。
[0072]在阳极上，通过热阻蒸镀的方法依次设置空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，热阻蒸镀条件为压强5 X 10—5?2 X 10—3Pa，速度0.1?lnm/s。
[0073]优选地，热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的条件为压强8 X 10—5?5 X 10—4Pa，速度0.2?0.3nm/s。
[0074]优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。更优选地，空穴注入层的材质为MoO3。
[0075]优选地，空穴注入层的厚度为20?80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为50nmo
[0076]优选地，空穴传输层的材质为I，1-二二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC) ,4,47，4〃-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，Y -二苯基-N，Y -二(1-萘基)-1，V -联苯-4，47 -二胺(NPB)。更优选地，空穴传输层的材质为NPB。
[0077]优选地，空穴传输层的厚度为20?60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为40nmo
[0078]优选地，发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，I，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(0(:1^)、9，10-二(0-萘基)蒽00~)、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)。更优选地，发光层的材质为BCzVBi。
[0079]优选地，发光层的厚度为5?40nm。更优选地，发光层的厚度为25nm。
[0080]电子传输层的材质为具有较高的电子迀移率，能有效传导电子的有机分子材料。[0081 ] 优选地，电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、I，2，4_三唑衍生物或I，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0082]更优选地，12,4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更优选地，电子传输层的材质为TPBi。
[0083]优选地，电子传输层的厚度为40?250nm。更优选地，电子传输层的厚度为80nmo
[0084]优选地，电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF)。更优选地，电子注入层的材质为LiF。
[0085]优选地，电子注入层的厚度为0.5?10nm。更优选地，电子注入层的厚度为Inm0
[0086]在电子注入层上热阻蒸镀制备阴极，热阻蒸镀条件为压强5X10—5?2X 10—3Pa,速度I?1nm/s。
[0087]优选地，热阻蒸镀阴极时的条件为压强5X 10—4Pa，速度2?5nm/s。
[0088]优选地，阴极的材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。更优选地，阴极的材质为招O
[0089]优选地，阴极的厚度为80?250nm。更优选地，阴极的厚度为150nmo
[0090]本发明具有如下有益效果:
[0091](I)本发明在玻璃基底和阳极之间依次制备炭气凝胶层与氧化锌层作为光取出层，光从阳极射出会先抵达氧化锌层，由于氧化锌的低折射率以及对光的强烈散射作用，可使原本发射到阳极两侧的光通过散射回到器件底部，并且避免了全反射现象，光可以有效地穿过氧化锌层，到达炭气凝胶层。
[0092](2)炭气凝胶层具有较高的孔隙率和低折射率，而本发明采用折射率高于1.8的光学玻璃作为基底，因此减少了在炭气凝胶层与玻璃基底之间光的全发射的发生，从而提高器件的出光效率。
[0093](3)本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。
【附图说明】
[0094]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0095]图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
[0096]图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与现有有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
【具体实施方式】
[0097]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0098]实施例1
[0099]—种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0100](I)将N-LASF44玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
[0101](2)在高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)中，将粒径为20nm的炭气凝胶按照质量分数15 %加入PEDOT: PSS水溶液中，得到混合液，以3000rpm的转速将混合液旋涂20s设置在清洁的玻璃基底上，之后在100 °C下烘干30min，得到厚度为25μπι的炭气凝胶层，其中，PH)0T:PSS水溶液中PEDOT的质量分数为3.5%，PED0T与PSS的质量比为3:1;
[0102]将粒径为80nm的ZnO通过电子束蒸镀设置在炭气凝胶层上，得到厚度为10nm的氧化锌层，其中，电子束蒸镀的条件为能量密度25W/cm2;
[0103](3)通过磁控溅射ITO制备阳极，厚度为120nm，条件为加速电压400V，磁场100G，功率密度20W/cm2;
[0104](4)然后在压强为5 X 10—4Pa的条件下，以0.2nm/s的蒸镀速率在阳极上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，以5nm/s的蒸镀速率在电子注入层表面热阻蒸镀制备阴极，得到有机电致发光器件。
[0105]具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为50nm;空穴传输层的材质为NPB，厚度为40nm;发光层的材质为BCzVBi，厚度为25nm;电子传输层的材质为TPBi，厚度为80nm;电子注入层的材质为LiF，厚度为Inm;阴极的材质为招，厚度为150nmo
[0106]以上步骤完成后，得到一种有机电