有机电致发光器件的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法包括：在衬底基板上形成共用层；在绿光区域对应的共用层之上形成绿光子空穴注入层，在红光区域对应的共用层之上形成红光子空穴注入层，在形成所述绿光子空穴注入层和所述红光子空穴注入层的过程之中加载电场或磁场。本发明提供的技术方案在绿光器件与红光器件的空穴注入层形成的过程之中，通过施加电场或者磁场改变空穴注入层的空穴注入特性，从而提高了绿光器件和红光器件的性能，使得绿光器件和红光器件的激子复合中心位于发光层中心，提高了有机电致发光器件的效率和寿命。另外，本发明提供的技术方案在给定的材料体系之下使得发光器件的性能达到最佳状态，提高了材料的利用率，降低了成本。
【专利说明】
有机电致发光器件的制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件的制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，0LED)具有自发光、低功耗、 可制作柔性、高对比度等优点。由于红光、绿光和蓝光的波长不同，导致现有的有机电致发 光器件的红光器件、绿光器件和蓝光器件对应的光学膜厚不同，因此红光器件、绿光器件和 蓝光器件对应的物理膜厚也不同，红光器件的膜厚最大，蓝光器件的膜厚最小。现有技术可 以通过调整空穴注入层的厚度对膜厚进行调整。有机电致发光器件的最佳膜厚由红绿蓝发 光材料决定，而且为了降低成本，现有的红绿蓝器件选用相同的空穴注入层材料。有机电致 发光器件的效率和寿命与激子复合中心的位置相关，现有的有机电致发光器件之中的绿光 器件与红光器件的激子复合中心位于发光层偏向电子注入层的一侧，降低了有机电致发光 器件的效率和寿命。
【发明内容】
[0003] 为解决上述问题，本发明提供一种有机电致发光器件的制备方法，用于解决现有 的有机电致发光器件之中的绿光器件与红光器件的激子复合中心位于发光层偏向电子的 一侧，降低了有机电致发光器件的效率和寿命的问题。
[0004]为此，本发明提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括：
[0005] 在衬底基板上形成共用层；
[0006] 在绿光区域对应的共用层之上形成绿光子空穴注入层，在红光区域对应的共用层 之上形成红光子空穴注入层，在形成所述绿光子空穴注入层和所述红光子空穴注入层的过 程之中施加电场或磁场。
[0007] 可选的，所述电场的电场方向平行于所述衬底基板。
[0008] 可选的，所述电场的电场强度范围包括500V/m至1000V/m。
[0009] 可选的，所述电场的电场强度范围包括600V/m至800V/m。
[00?0] 可选的，所述电场的电场强度为700V/m。
[0011] 可选的，所述磁场的磁场方向平行于所述衬底基板。
[0012] 可选的，所述磁场的磁场强度范围包括500A/m至1000A/m。
[0013] 可选的，所述磁场的磁场强度范围包括600A/m至800A/m。
[0014] 可选的，所述磁场的磁场强度为700A/m。
[0015]可选的，所述共用层的厚度范围包括40nm至80nm，所述绿光子空穴注入层的厚度 范围包括20nm至50nm，所述红光子空穴注入层的厚度范围包括60nm至100nm 〇
[0016] 可选的，所述共用层的厚度为60nm，所述绿光子空穴注入层的厚度为35nm，所述红 光子空穴注入层的厚度为80nm〇
[0017] 可选的，形成共用层的蒸镀速率为lA/s，形成绿光子空穴注入层的蒸镀速率为 0.5A/s，形成红光子空穴注入层的蒸镀速率为lA/s。
[0018] 本发明具有下述有益效果：
[0019] 本发明提供的有机电致发光器件的制备方法包括:在衬底基板上形成共用层;在 绿光区域对应的共用层之上形成绿光子空穴注入层，在红光区域对应的共用层之上形成红 光子空穴注入层，在形成所述绿光子空穴注入层和所述红光子空穴注入层的过程之中加载 电场或磁场。本发明提供的技术方案在绿光器件与红光器件的空穴注入层形成的过程之 中，通过施加电场或者磁场改变空穴注入层的空穴注入特性，从而提高了绿光器件和红光 器件的性能，使得绿光器件和红光器件的激子复合中心位于发光层中心，提高了有机电致 发光器件的效率和寿命。另外，本发明提供的技术方案没有增加工序，而且能够在给定的材 料体系之下使得红光器件、绿光器件以及蓝光器件的性能都达到最佳状态，从而可以实现 使用相同的空穴注入层材料形成有机电致发光器件，提高了材料的利用率，降低了成本。
【附图说明】
[0020] 图1为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的制备方法的流程图；
[0021] 图2为实施例一形成绿光子空穴注入层和红光子空穴注入层的示意图；
[0022] 图3为实施例一提供的有机电致发光器件的示意图。
【具体实施方式】
[0023] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提 供的有机电致发光器件的制备方法进行详细描述。
[0024] 实施例一
[0025]图1为本发明实施例一提供的一种有机电致发光器件的制备方法的流程图。如图1 所示，所述有机电致发光器件的制备方法包括：
[0026]步骤1001、在衬底基板上形成共用层。
[0027]图2为实施例一形成绿光子空穴注入层和红光子空穴注入层的示意图。如图2所 示，在衬底基板100上形成阳极200,在所述阳极200上形成缓冲层300,在所述缓冲层300上 形成共通层400。需要解释的是，在实际工艺过程之中衬底基板确实是倒置的，图2也是按照 实际工艺求出的，但是本实施例对工艺过程进行描述时以基板正常放置的情况进行描述。 对于蓝光区域来说，所述共通层400即为蓝光空穴注入层，此时蓝光器件的激子复合中心位 于发光层中心靠近空穴一侧，器件具有最佳的效率和寿命。
[0028] 步骤1002、在绿光区域对应的共用层之上形成绿光子空穴注入层，在红光区域对 应的共用层之上形成红光子空穴注入层，在形成所述绿光子空穴注入层和所述红光子空穴 注入层的过程之中施加电场或磁场。
[0029]本实施例中，施加磁场和电场具有相同的效果，因此下面的描述均以电场为例。施 加平行于衬底基板100的电场，可选的，所述电场的电场强度范围包括500V/m至1000V/m。优 选的，所述电场的电场强度范围包括600V/m至800V/m。更优选的，所述电场的电场强度为 700V/m。在绿光区域对应的共用层400之上形成绿光子空穴注入层401，同时在红光区域对 应的共用层400之上形成红光子空穴注入层402。因此，本实施例提供的绿光空穴注入层由 绿光子空穴注入层401和共用层400构成，红光空穴注入层由红光子空穴注入层402和共用 层400构成。
[0030] 空穴注入层是由有机材料从蒸发源蒸镀到共用层400形成的，这个过程可以看作 是分子厚度的超薄膜一层一层累积的结果。在这个过程之中，有机材料形态容易受到电场 或者磁场的影响，进而改变空穴注入层的电学特性一一迀移率和能级等。这样可以调节红 光器件和绿光器件之中载流子(电子和空穴）的浓度和迀移率，从而改善有机发光器件的性 能，使得绿光器件和红光器件的激子复合中心位于发光层中心，提高了有机电致发光器件 的效率和寿命。另外，本实施例提供的技术方案没有增加工序，而且能够在给定的材料体系 之下使得红光器件、绿光器件以及蓝光器件的性能都达到最佳状态，从而可以实现使用相 同的空穴注入层材料形成有机电致发光器件，提高了材料的利用率，降低了成本。
[0031] 表 1
[0032]
[0033] 表1为有机发光器件的性能在电场作用前后的对比。如表1所示，在形成过程之中 没有电场作用时，绿光器件的发光效率为80cd/A，发光寿命由100%变为97%的时间为40h。 在形成过程之中有电场作用时，绿光器件的发光效率为87cd/A，发光寿命由100%变为97% 的时间为56h。在形成过程之中没有电场作用时，红光器件的发光效率为27cd/A，发光寿命 由100 %变为97 %的时间为102h。在形成过程之中有电场作用时，绿光器件的发光效率为 32cd/A，发光寿命由100%变为97%的时间为150h。可以看出，施加电场之后绿光器件和红 光器件的效率和寿命得到较大提升。
[0034] 本实施例中，形成共用层400的蒸镀速率为lA/s，形成绿光子空穴注入层的蒸镀速 率为0.5A/S，形成红光子空穴注入层的蒸镀速率为lA/s。可选的，所述共用层的厚度范围包 括40nm至80nm，所述绿光子空穴注入层的厚度范围包括20nm至50nm，所述红光子空穴注入 层的厚度范围包括60nm至100nm。优选的，所述共用层的厚度为60nm，所述绿光子空穴注入 层的厚度为35nm，所述红光子空穴注入层的厚度为80nm〇
[0035] 图3为实施例一提供的有机电致发光器件的示意图。如图3所示，在空穴注入层上 形成空穴传输层500,在所述空穴传输层500上形成发光层，所述发光层包括蓝色发光层 601、绿色发光层602以及红色发光层603,在所述发光层上形成电子传输层700,在所述电子 传输层700上形成电子注入层800,所述电子注入层800上形成阴极900。本实施例提供的有 机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极与所述阴极之间的功能层。当所述阳 极与所述阴极之间施加电压时，在外界电压的驱动下，由阳极注入的空穴与由阴极注入的 电子进入到所述功能层的复合区复合形成激子，所述激子辐射跃迀发射光子从而形成电致 发光。本实施例提供的技术方案在绿光器件与红光器件的空穴注入层形成的过程之中，通 过施加电场或者磁场改变空穴注入层的空穴注入特性，使得绿光器件和红光器件的激子复 合中心位于发光层中心，而且蓝光器件的激子复合中心位于发光层中心靠近空穴一侧，从 而提高了有机电致发光器件的效率和寿命。
[0036]本实施例提供的有机电致发光器件的制备方法包括:在衬底基板上形成共用层； 在绿光区域对应的共用层之上形成绿光子空穴注入层，在红光区域对应的共用层之上形成 红光子空穴注入层，在形成所述绿光子空穴注入层和所述红光子空穴注入层的过程之中加 载电场或磁场。本实施例提供的技术方案在绿光器件与红光器件的空穴注入层形成的过程 之中，通过施加电场或者磁场改变空穴注入层的空穴注入特性，从而提高了绿光器件和红 光器件的性能，使得绿光器件和红光器件的激子复合中心位于发光层中心，提高了有机电 致发光器件的效率和寿命。另外，本实施例提供的技术方案没有增加工序，而且能够在给定 的材料体系之下使得红光器件、绿光器件以及蓝光器件的性能都达到最佳状态，从而可以 实现使用相同的空穴注入层材料形成有机电致发光器件，提高了材料的利用率，降低了成 本。
[0037]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施 方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精 神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底基板上形成共用层； 在绿光区域对应的共用层之上形成绿光子空穴注入层，在红光区域对应的共用层之上 形成红光子空穴注入层，在形成所述绿光子空穴注入层和所述红光子空穴注入层的过程之 中施加电场或磁场。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电场的电场 方向平行于所述衬底基板。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电场的电场 强度范围包括500V/m至I OOOV/m。4. 根据权利要求3所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电场的电场 强度范围包括600V/m至800V/m。5. 根据权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电场的电场 强度为700V/m。6. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述磁场的磁场 方向平行于所述衬底基板。7. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述磁场的磁场 强度范围包括500A/m至1 ΟΟΟΑ/m。8. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述磁场的磁场 强度范围包括600A/m至800A/m。9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述磁场的磁场 强度为700A/m。10. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述共用层的 厚度范围包括40nm至80nm，所述绿光子空穴注入层的厚度范围包括20nm至50nm，所述红光 子空穴注入层的厚度范围包括60nm至I OOnm 〇11. 根据权利要求10所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述共用层的 厚度为60nm，所述绿光子空穴注入层的厚度为35nm，所述红光子空穴注入层的厚度为80nm〇12. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，形成共用层的 蒸镀速率为lA/s，形成绿光子空穴注入层的蒸镀速率为0.5A/s，形成红光子空穴注入层的 蒸镀速率为lA/s。
【文档编号】H01L51/56GK105932178SQ201610323709
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年5月16日
【发明人】高志扬, 邵贤杰, 吕京
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司