导线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型大体上涉及半导体领域，更具体地，涉及导线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件。
【背景技术】
[0002]在对功率集成电路封装件进行高压隔离测试时，常常存在着输入端和输出端短路的问题。造成这一问题的主要原因在于:在对功率集成电路封装仅进行高压测试时，在封装件的输入端和输出端间会产生电弧，电弧可进一步沿着封装体流经支撑件；由于目前常见的支撑件通常为整体弧形结构，爬电(creepage distance)距离较短，从而导致功率集成电路封装件的输入端和输出端短路。
[0003]举例而目，图1是一现有功率集成电路封装件的结构不意图。如图1所不，该现有功率集成电路封装件10，其包含的支撑件110分别位于功率集成电路封装件10的相对侧，且每一侧的支撑件110都为整体弧形结构，导致该支撑件110两端的爬电间距，即安全距离较短。在对该功率集成电路封装件10进行高压测试时，电弧会流经该支撑件，导致该功率集成电路封装件10的输入端和输出端短路。
[0004]功率集成电路封装输入端和输出端的短路会影响封装件内部的芯片，严重的可能直接损坏封装件内部的芯片，从而影响功率集成电路封装件的质量，进而影响产品良率。
[0005]因此，现有的功率集成电路封装结构需进一步改进，以避免其输入端和输出端的电弧通过支撑件产生爬电而造成输入端和输出端间的短路。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的之一在于提供一线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件，其可有效降低对功率集成电路封装件进行高压隔离测试的失败率，从而提高产品通过率。
[0007]根据本实用新型一实施例，一用于功率集成电路封装的导线框架，其包括:外框及多个导线框架单元，其中，多个导线框架单元中的每一者具有相对的第一侧与第二侧，及相对的第三侧与第四侧。每一导线框架单元包含:第一芯片承载座；第二芯片承载座；多个输入引脚，连接于第一芯片承载座与第一侧之间；多个输出引脚，连接于第二芯片承载座与第二侧之间；以及一对支撑件，分别位于导线框架单元的第三侧与第四侧；且每一支撑件包含间隔开一安全距离的第一支撑杆和第二支撑杆。
[0008]根据本实用新型的另一实施例，该用于功率集成电路封装的导线框架中的第一支撑杆和第二支撑杆间隔的安全距离不小于650um。根据本实用新型的另一实施例，该用于功率集成电路封装的导线框架中的第一支撑杆和第二支撑杆的形状为钩状。
[0009]本实用新型的一实施例还提供了一功率集成电路封装件，其具有相对的第一侧与第二侧，及相对的第三侧与第四侧。该功率集成电路封装件包括:控制芯片，其经配置以设置于第一芯片承载座上；该控制芯片用于接收输入信号；功率芯片，其经配置以设置于第二芯片承载座上；该功率芯片用于发送输出信号；多个输入引脚，延伸于所述第一芯片承载座与所述第一侧之间；多个输出引脚，延伸于所述第二芯片承载座与所述第二侧之间；一对支撑件，分别位于所述第三侧与第四侧，且每一支撑件包含间隔开一安全距离的第一支撑杆和第二支撑杆；以及封装壳体，其覆盖控制芯片、功率芯片以及一对支撑件。
[0010]根据本实用新型的另一实施例，该功率集成电路封装件所应用的电压小于10千伏。
[0011]与现有技术相比，本实用新型实施例提供的导线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件在高压隔离测试时，能有效防止其输入端与输出端间产生电弧爬电现象，提高测试的准确率和产品良率，进而降低生产成本。
【附图说明】
[0012]图1是一现有功率集成电路封装件的结构示意图。
[0013]图2是根据本实用新型一实施例的用于功率集成电路封装的导线框架的结构示意图。
[0014]图3是根据本实用新型一实施例的功率集成电路封装件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]为更好的理解本实用新型的精神，以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0016]图2是根据本实用新型一实施例的用于功率集成电路的导线框架20的结构示意图。
[0017]如图2所示，根据本实用新型一实施例的用于功率集成电路封装的导线框架20包括:外框200及多个导线框架单元220。简单起见，本示意图仅示例了其中一个导线框架单元220的结构。该导线框架单元220中具有相对的第一侧202与第二侧204，及相对的第三侧206与第四侧208 ;且包含:第一芯片承载座221、第二芯片承载座222、多个输入引脚223、多个输出引脚224，以及一对支撑件225。该多个输入引脚223连接于第一芯片承载座221与第一侧202之间。该多个输出引脚224连接于第二芯片承载座222与第二侧204之间。而该对支撑件225分别自相应外框220处延伸于导线框架单元220的第三侧206与第四侧208。为了避免在高压隔离测试时爬电距离较短产生短路，每一支撑件225设计为包含间隔开一安全距离的第一支撑杆226和第二支撑杆227。该第一支撑杆226和第二支撑杆227间隔的安全距离不小于650um，其可适用于应用电压不小于10千伏的功率集成电路封装。第一支撑杆226和第二支撑杆227的形状不限，本领域技术人员可根据需要将其设计为直条形或钩状等多种形状。
[0018]在使用该导线框架20进行封装时，塑封后的修整处理首先需要对导线框架单元220第一侧202和第二侧204的连接支架240进行切割处理，使导线架单元220与连接支架240分离；随后进行成型处理；最后对第三侧206和第四侧208的第一支撑杆226和第二支撑杆227的外延部分进行切割。此处理工艺顺序的好处在于:当导线框架20被切割后，起支撑作用的第一支撑杆226和第二支撑杆227能有效避免导线架单元220掉落到机台上。
[0019]此外，由于支撑件225设计为分离的两个支撑杆而非但以整体，且两个支撑杆之间具有最小安全距离，当对半导体封装件30进行高压(如10KV)隔离测试时，将有效避免半导体封装件30输入端和输出端由于爬电现象引起的短路情况。根据本实用新型一实施例，安全距离大于650um时，半导体封装件30能支持600V-11KV的大范围电压输入。
[0020]图3是根据本实用新型一实施例的功率集成电路封装件30的结构示意图。
[0021]如图3所示，根据本实用新型一实施例的包含本实用新型实施例中一功率集成电路封装件30，其具有相对的第一侧202与第二侧204，及相对的第三侧206与第四侧208。该功率集成电路封装件30包括:控制芯片302、功率芯片304、多个输入引脚223、多个输出引脚224、一对支撑件225以及封装壳体(未示出)。该控制芯片302设置于芯片第一承载座221上且该控制芯片302用于接收输入信号。功率芯片304设置于第二芯片承载座222上且该功率芯片304用于发送输出信号。多个输入引脚223延伸于该第一芯片承载座221与第一侧202之间；多个输出引脚224延伸于第二芯片承载座222与第二侧204之间。一对支撑件225分别位于第三侧206与第四侧208，且每一支撑件225包含间隔开一安全距离的第一支撑杆226和第二支撑杆227。封装壳体(未示出)覆盖控制芯片302、功率芯片304、第一支撑杆226和第二支撑杆227 ;且该第一支撑杆226和第二支撑杆227间隔的安全距离不小于650um。
[0022]本实用新型的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本实用新型的教示及揭示而作种种不背离本实用新型精神的替换及修饰。因此，本实用新型的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本实用新型的替换及修饰，并为本专利申请权利要求书所涵盖。
【主权项】
1.一种用于功率集成电路封装的导线框架，其特征在于其包括: 外框；以及 多个导线框架单元，所述多个导线框架单元中的每一者具有相对的第一侧与第二侧，及相对的第三侧与第四侧；所述每一导线框架单元包含: 第一芯片承载座； 第二芯片承载座； 多个输入引脚，连接于所述第一芯片承载座与所述第一侧之间； 多个输出引脚，连接于所述第二芯片承载座与所述第二侧之间； 以及 一对支撑件，分别位于所述导线框架单元的所述第三侧与第四侧；且每一支撑件包含间隔开一安全距离的第一支撑杆和第二支撑杆。2.根据权利要求1所述的用于功率集成电路封装的导线框架，其特征在于所述第一支撑杆和所述第二支撑杆间隔的所述安全距离不小于650um。3.根据权利要求1所述的用于功率集成电路封装的导线框架，其特征在于所述第一支撑杆和第二支撑杆的形状为钩状。4.一种功率集成电路封装件，其特征在于所述功率集成电路封装件具有相对的第一侧与第二侧，及相对的第三侧与第四侧；所述功率集成电路封装件包括: 控制芯片，其经配置以设置于第一芯片承载座上；所述控制芯片用于接收输入信号； 功率芯片，其经配置以设置于第二芯片承载座上；所述功率芯片用于发送输出信号； 多个输入引脚，延伸于所述第一芯片承载座与所述第一侧之间； 多个输出引脚，延伸于所述第二芯片承载座与所述第二侧之间； 一对支撑件，分别位于所述第三侧与第四侧，且每一支撑件包含间隔开一安全距离的第一支撑杆和第二支撑杆；以及 封装壳体，其覆盖所述控制芯片、所述功率芯片以及所述对支撑件。5.根据权利要求4所述的功率集成电路封装件，其特征在于所述第一支撑杆和所述第二支撑杆间隔的所述安全距离不小于650um。6.根据权利要求4所述的功率集成电路封装件，其特征在于所述第一支撑杆和第二支撑杆的形状为钩状。7.根据权利要求4所述的功率集成电路封装件，其特征在于所述的功率集成电路封装件所应用的电压小于10千伏。
【专利摘要】本实用新型涉及导线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件。根据本实用新型一实施例，一功率集成电路封装件包括：设置于第一芯片承载座上的控制芯片，其用于接收输入信号；设置于第二芯片承载座上的功率芯片，其用于发送输出信号；延伸于第一芯片承载座与第一侧之间的多个输入引脚；延伸于第二芯片承载座与第二侧之间的多个输出引脚；分别位于第三侧与第四侧的一对支撑件，且每一支撑件包含间隔开一安全距离的两支撑杆；以及封装壳体，其覆盖控制芯片、功率芯片以及一对支撑件。该功率集成电路封装件在高压隔离测试时，能有效防止其输入端与输出端间产生电弧爬电现象，提高测试的准确率和产品良率，进而降低生产成本。
【IPC分类】H01L23/495, H01L25/16
【公开号】CN204857713
【申请号】CN201520570943
【发明人】吴津丞
【申请人】日月光封装测试(上海)有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月31日