入线5和触控电极引入线6。栅极引入线5和触控电极引入线6同层设置，且每根触控电极引入线6对应于一根栅极电极引入线5，栅极引入线5设置于靠近闸集成电路2的一侧，触控电极引入线6设置于靠近数据集成电路3的一侧。在本实施例中，栅极引入线5可以设置于数据线4的一侧，还可以设置于相邻两条数据线4之间。与栅极引入线5具有相同的设计，触控电极引入线6可以设置于数据线4的一侧，还可以设置于相邻两条数据线4之间。该种设计方式在显示领域称为Dual Gate(双栅)设计，通过采用双栅设计可以减少显示基板中数据线的条数，可以有效减少数据线IC接头的数量，实现降低成本的效果。
[0052]在本实施例中，栅极引入线5为将栅极线I引入闸集成电路2的走线，每根栅极引入线5控制一根栅极线I的开启和关闭，当栅极线I开启时，显示基板处于亮屏状态，可实现显示功能；当栅极线I关闭时，显示基板处于暗屏状态。
[0053]参见图3，栅极引入线5连接栅极线I与闸集成电路2，栅极引入线5从闸集成电路2一侧沿数据线4方向延伸至与栅极线I相连接处。
[0054]参见图3，触控电极引入线6与数据集成电路3相连。触控电极引入线6从数据集成电路3—侧沿数据线4方向延伸至栅极引入线5与栅极线I相连接处下方，使得触控电极引入线6与栅极引入线5之间相互绝缘，例如间隔预设距离，该预设距离可以为I厘米、0.5厘米等，本实施例不对该预设距离作具体的限定。触控电极引入线6设置于栅极引入线I下方的空间有利于实现窄边框。
[0055]参见图1，显示基板还包括第一过孔7。在本实施例中，栅极线I与栅极引入线5通过该第一过孔7相连，并通过栅极引入线5连接到闸集成电路2的内部，从而实现栅极线I开关功能，完成显不基板的正常显不。
[0056]参见图1，显示基板还包括第二过孔8，触控电极引入线6通过第二过孔8与触控子电极相连。触控子电极通过触控电极引入线6连接到数据集成电路3内部，实现触控功能。
[0057]上述图1仅示出了显示基板中的一个结构单元，实际应用中显示基板包括多个如图1所示的结构单元，对于其他结构单元的连接关系与上述图1中所述的结构单元相同，本实施例不再一一进行说明。
[0058]参见图3，随着显示基板中栅极线I从上到下排列，用于连接栅极线I与栅极引入线5的第一过孔7的位置可呈台阶式逐级下降，还可呈台阶式逐级上升。实际上第二过孔7与第一过孔6具有相同模式，可呈台阶式逐级下降，还可呈台阶式逐级上升。
[0059]本实用新型实施例提供的阵列基板，通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
[0060]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本实用新型的可选实施例，在此不再一一赘述。
[0061]本实用新型实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括显示基板，该显示基板如上述图1至图3所示的任一显示基板。在实际应用中，该显示装置可以为智能手机、平板电脑、智能电视、台式电脑、数码相框机导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0062]本实用新型实施例提供的显示装置，通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
[0063]在显示领域，显示基板有底栅结构和顶栅结构，不同结构的显示基板的制备方法是不同的。针对这两种不同结构的显示基板在制备时，下面将分别进行介绍。
[0064]本实用新型实施例提供的一种底栅结构的显示基板的制备方法，参见图4，具体所形成的膜层结构可参见图5，图5所示的剖面图为沿图1中AA’切割得到的，本实用新型实施例提供的方法流程包括:
[0065]步骤401、在衬底基板上形成栅极金属层。
[0066]4011、使用标准方法清洗衬底基板。
[0067]4012、采用sputter(派射)设备在衬底基板40上沉积栅极金属层薄膜。
[0068]其中，栅极金属层薄膜可以为由Al、Cr、W、T1、Ta、Mo、Cu等金属或Al、Cr、W、T1、Ta、Mo、Cu等至少两种金属构成的金属薄膜，还可以为由多个金属层薄膜构成的复合层薄膜，且该栅极金属层薄膜的厚度范围为200?lOOOnm。
[0069]4013、采用构图工艺在衬底基板40上形成栅极金属层。
[0070]通过光刻工艺在衬底基板40上定义出栅极金属层的图形，对该衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成栅极金属层，该栅极金属层包括栅极线1、栅极41。[0071 ]步骤402、在完成步骤401的衬底基板上形成栅极绝缘层42。
[0072]米用PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n，等离子体增强化学气相沉积法)设备在栅极金属层图形41上沉积一层栅极绝缘薄膜，该薄膜可以为Si02、Si3N4、S1xNy等构成的单层薄膜或多层薄膜，且该薄膜的厚度为5nm?300nm，通过构图工艺形成包括第一过孔7的栅极绝缘层42。
[0073]步骤403、在完成步骤402的衬底基板上形成有源层43。
[0074]采用sputter设备在步骤402得到的衬底基板40上沉积一层氧化物有源层，该有源层可以为1620、2]10、211(^、]^20等单元或多元氧化物半导体材料，该有源层的厚度为5111]1?250nm。通过光刻工艺在基板上定义出有源层的图形，对衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成有源层43。
[0075]步骤404、在完成步骤403的衬底基板上形成源漏极金属层。
[0076]其中，源漏极金属层包括数据线(图中未示出)、栅极引入线5、触控电极引入线6、源极49和漏极50。源漏极金属层的制作过程如下:
[0077]4041、在衬底基板上沉积源漏极金属薄膜。
[0078]4042、在源漏极金属薄膜上涂覆一层光刻胶。
[0079]4043、采用掩膜版对涂覆光刻胶的衬底基板表面进行曝光处理。
[0080]4044、对曝光处理后衬底基板表面进行显影处理。
[0081]4045、对显影处理后的衬底基板表面进行刻蚀处理，得到源漏极金属层，其中栅极引入线5通过第一过孔7和栅极线I相连接。
[0082]步骤405、在完成步骤404的衬底基板上形成钝化层45。
[0083]采用PECVD设备在步骤404中得到的衬底基板上形成钝化材料薄膜层，通过光刻工艺定义出包括第三过孔10的图形，经过干刻，剥离光刻胶，在衬底基板上形成钝化层45。
[0084]步骤406、在完成步骤405的衬底基板上形成像素驱动层46。
[0085]在步骤405得到的衬底基板上形成一层IT0(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)薄膜，通过构图工艺得到像素驱动层46，像素驱动层46通过第三过孔10与漏极50相连接。
[0086]步骤407、在完成步骤406的衬底基板上形成平坦层47。
[0087]采用PECVD设备在衬底基板40上沉积无机材料薄膜层，光刻定义出包括第二过孔8的图形，经过干刻，剥离光刻胶，得到平坦层47，其中第二过孔8依次穿过平坦层47和钝化层45到达触控电极引入线6。
[0088]步骤408、在完成步骤407的衬底基板上形成触控电极层48。
[0089]在步骤407得到的衬底基板上形成一层IT0(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)薄膜，通过构图工艺得到触控电极层48，触控电极层48包括多个触控子电极9，且触控子电极9通过过孔8和触控电极引入线6相连接。
[0090]经过上述制备方法所制备的显示基板中，栅极金属层包括栅极线，源漏极金属层包括数据线、栅极引入线和触控电极引入线，触控电极层图