0044]第一下水平段223
[0045]第三引线框23
[0046]第二上水平段231
[0047]第二中间连接段232
[0048]第二下水平段233
[0049]第一芯片24
[0050]第二芯片25[0051 ]锡膏 26
[0052]塑封料27。
【具体实施方式】
[0053]以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
[0054]参见图2、图3，本实用新型一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，它包括第一引线框21、第二引线框22、第三引线框23、第一芯片24和第二芯片25，所述第二引线框22和第三引线框23呈Z形，所述Z形的第二引线框22包括第一上水平段221、第一中间连接段222和第一下水平段223，所述Z形的第三引线框23包括第二上水平段231、第二中间连接段232和第二下水平段233，所述第一芯片24夹设在第一引线框21与第一上水平段221之间，所述第一芯片24背面配置于所述第一引线框21上，所述第一芯片24的背面和正面分别通过锡膏26与第一引线框21和第一上水平段221电性连接，所述第二芯片25夹设在第一上水平段221与第二上水平段231之间，所述第二芯片25正面配置于所述第一上水平段221上，所述第二芯片25的正面和背面分别通过锡膏26与第一上水平段221和第二上水平段231电性连接，所述第一引线框21、第二引线框22和第三引线框23外包封有塑封料27，所述第一引线框21下表面、第一下水平段223下表面和第二下水平段233下表面齐平，所述第一引线框21下表面、第一下水平段223下表面、第二下水平段233下表面以及第二上水平段231上表面均暴露在塑封料27之外。
[0055]所述第一引线框21、第二引线框22和第三引线框23均为整体框架，其材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10 -6/°C的导电材质。
[0056]所述第一芯片24和第二芯片25为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。
[0057]其工艺方法如下:
[0058]步骤一、参见图4(a)，提供第一引线框，第一引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质；
[0059]步骤二、参见图4(b)，在第一引线框基岛区域通过网板印刷的方式涂覆锡膏，目的是为实现后续第一芯片植入后与基岛接合，通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置；
[0060]步骤三、参见图4(c)，在步骤二中第一引线框基岛区域涂覆的锡膏上植入第一芯片，第一芯片的背面通过锡膏与第一引线框电性连接；
[0061]步骤四、参见图4(d)，提供第二引线框，所述第二引线框为Z形，所述Z形的第二引线框包括第一上水平段、第一中间连接段和第一下水平段，第二引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C -25*10'-6/°C的导电材质；
[0062]步骤五、参见图4(e)，在第二引线框的第一上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏，通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置；
[0063]步骤六、参加图4(f)，将第二引线框的第一上水平段压合在第一引线框上表面的第一芯片上，使第一芯片正面与第二引线框通过第一上水平段下表面的锡膏形成电性连接，压合后第一弓I线框和第二弓I线框形成整体框架；
[0064]步骤七、参加图4(g)，将步骤六形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊。压板的材质要求不容易发生形变且具有良好的热传导性能，其热膨胀系数CTE与第一引线框和第二引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C;
[0065]步骤八、参见图4(h)，完成回流焊后，在第二引线框的第一上水平段的上表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；
[0066]步骤九、参见图4(i)，在步骤八中第二引线框的第一上水平段上表面涂覆的锡膏上植入第二芯片，第二芯片的正面通过锡膏与第一上水平段电性连接；
[0067]步骤十、参见图4(j)，提供第三引线框，所述第三引线框为Z形，所述Z形的第三引线框包括第二上水平段、第二中间连接段和第二下水平段，第三引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C -25*10'-6/°C的导电材质；
[0068]步骤十一、参见图4(k)，在第三引线框的第二上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏，通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置；
[0069]步骤十二、参见图4(1)，将第三引线框的第二上水平段压合在第二引线框的第一上水平段上表面的第二芯片上，使第二芯片背面与第三引线框通过第二上水平段下表面的锡膏形成电性连接，压合后第一引线框、第二引线框和第三引线框形成整体框架；
[0070]步骤十三、参见图4(m)，将步骤十二形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊。压板的材质要求不容易发生形变且具有良好的热传导性能，其热膨胀系数CTE与第一引线框和第二引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C;
[0071]步骤十四、参见图4(n)，将步骤十三经过回流焊后的整体框架采用塑封料进行塑封，塑封后第三引线框的第二上水平段的上表面暴露在塑封料之外；
[0072]步骤十五、参见图4(0)，将步骤十四完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业，使原本阵列式塑封体，切割或是冲切独立开来，制得框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构。
[0073]上述步骤中，步骤六与步骤七第一引线框压合第二引线框形成整体框架并使用压板进行回流焊，可以在步骤九第二引线框植入第二芯片后进行实施。
[0074]上述步骤中，步骤二、步骤五和步骤十一可通过不同机台同时进行。
[0075]除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于:它包括第一引线框(21)、第二引线框(22)、第三引线框(23)、第一芯片(24)和第二芯片(25)，所述第二引线框(22)和第三引线框(23)呈Z形，所述Z形的第二引线框(22)包括第一上水平段(221)、第一中间连接段(222)和第一下水平段(223)，所述Z形的第三引线框(23)包括第二上水平段(231)、第二中间连接段(232)和第二下水平段(233)，所述第一芯片(24)夹设在第一引线框(21)与第一上水平段(221)之间，所述第一芯片(24)背面配置于所述第一引线框(21)上，所述第一芯片(24)的背面和正面分别通过锡膏(26)与第一引线框(21)和第一上水平段(221)电性连接，所述第二芯片(25)夹设在第一上水平段(221)与第二上水平段(231)之间，所述第二芯片(25)正面配置于所述第一上水平段(221)上，所述第二芯片(25)的正面和背面分别通过锡膏(26)与第一上水平段(221)和第二上水平段(231)电性连接，所述第一引线框(21)、第二引线框(22)和第三引线框(23)外包封有塑封料(27)，所述第一引线框(21)下表面、第一下水平段(223)下表面和第二下水平段(233)下表面齐平，所述第一引线框(21)下表面、第一下水平段(223)下表面、第二下水平段(233)下表面以及第二上水平段(231)上表面均暴露在塑封料之外。2.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于:所述第一引线框、第二引线框和第三引线框的材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质。3.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于:所述第一芯片和第二芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。4.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于:所述第一芯片(24)也可正面配置于所述第一引线框(21)上，此时所述第二芯片(25)背面配置于所述第一上水平段(221)上。
【专利摘要】本实用新型涉及一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，它包括第一引线框（21）、第二引线框（22）、第三引线框（23）、第一芯片（24）和第二芯片（25），所述第一芯片（24）夹设在第一引线框（21）与第二引线框（22）之间，所述第一芯片（24）背面配置于所述第一引线框（21）上，所述第二芯片（25）夹设在第二引线框（22）与第三引线框（23）之间，所述第二芯片（25）正面配置于所述第一上水平段（221）上，所述第一引线框（21）、第一下水平段（223）和第二下水平段（233）的下表面齐平。本实用新型的有益效果是：具有较低的封装电阻和封装电感，具有较好的散热性，整条产品一体成型，生产效率高。
【IPC分类】H01L23/49, H01L23/495, H01L25/07, H01L21/60, H01L23/367, H01L23/488
【公开号】CN205355045
【申请号】CN201521097405
【发明人】刘恺, 梁志忠, 张波, 王亚琴
【申请人】江苏长电科技股份有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月24日