84的位置弯曲。因此，后工序巧一3]中，能够 得到金属锥4A、树脂层5和绝缘部6在弯曲部81~84弯曲的覆金属锥基板10A。 悦11] 运样，为了使层5A和金属锥4A具有柔软性，特别要求对层5A赋予优异的柔软性。 运时，第2树脂组合物中含有的树脂材料所使用的热塑性树脂和热固性树脂的重均分子量 例如优选为1. 0X1〇4~1. 0X10 5,更优选为3. 0X1〇4~8. 0X10 4。由此，对层5A赋予优异 的柔软性。另外，即便使层5A在要形成弯曲部81~84的位置弯曲，也在该位置抑制或者 防止层5A产生龟裂。其结果，确实地抑制或者防止该龟裂中层5A的一部分脱落、所谓的落 粉的产生。另外，确实地抑制或者防止层5A的破裂的产生。
[0212] 应予说明，热塑性树脂和热固性树脂的重均分子量可W使用凝胶渗透色谱（GPC) 等进行测定。
[0213] 并且，从该观点出发，上述热塑性树脂和热固性树脂的分子骨架优选为直链状。通 过分子骨架成为直链状，层5A发挥更优异的柔软性。因此，上述树脂材料含有热固性树脂 时，热固性树脂特别优选含有具有显著直链状分子骨架的苯氧基树脂。
[0214] 而且，将成为药片状的第1树脂组合物130收纳于上模110所具备的罐111内。 阳21引巧一引接下来，加热成型模具100,将罐111内的第1树脂组合物130加热烙融， 并将柱塞112插入罐111内。由此，对第1树脂组合物130进行加压。
[0216] 由此，成为烙融状态的第1树脂组合物130经由供给路113被移送到型腔121内。
[0217] 巧一引接下来，将柱塞112插入罐111内，从而W将收纳于型腔121内的金属锥 4A加热和加压的状态，将烙融的第1树脂组合物130W被覆层5A上的方式填充到型腔121 内。
[021引另外，运时，型腔121的内部的形状通过下模120的上表面125在其中屯、部侧具备 凹部，上模110的下表面115在其中屯、部侧具备凸部，与要形成的覆金属锥基板IOA的形 状对应。因此，第1树脂组合物130与要形成的绝缘部6的形状对应，即，W在形成弯曲部 81~84的位置弯曲的状态填充到型腔121内。
[0219] 而且，通过使烙融的第1树脂组合物130硬化而形成绝缘部6。由此，W绝缘部6 在弯曲部81~84弯曲的状态，形成具有均匀厚度的绝缘部6。 阳220] 另外，层5A显示热固性时，通过利用该加热和加压使层5A硬化而形成树脂层5。 层5A显示热塑性时，层5A烙融后，将层5A冷却进行再次固化而形成树脂层5。 阳221] 上述工序中的加热和加压的条件没有特别限定，例如，如下设定。 阳222]目P，加热溫度优选设定为80~200°C左右，更优选设定为170~190°C左右。 阳22引另外，加压的压力优选设定为2~IOMPa左右，更优选设定3~7MPa左右。
[0224] 并且，加热和加压的时间优选为1~60分钟左右，更优选为3~15分钟左右。 阳225] 通过将溫度、压力和时间设定为上述条件，在树脂层5与绝缘部6的界面附近，W 树脂层5中含有的填料分散在绝缘部6侧而使树脂层5与绝缘部6混在的状态，形成树脂 层5和绝缘部6。因此，能够提高树脂层5与绝缘部6的密合性。
[0226] 另外，第1树脂组合物130的烙融粘度在175°C优选为10~3000化'S左右，更优 选为30~2000化?S左右。由此，能够W更均匀的厚度形成绝缘部6。 阳227] 应予说明，175°C时的烙融粘度例如可W通过岛津制作所制的热流动评价装置 (流量测试仪）进行测定。
[022引另外，利用将柱塞112插入罐111内而产生的压力，金属锥4A优选推压到下模120 所具备的型腔121的底面。由此，防止烙融的第1树脂组合物130绕到金属锥4A的下表 面。其结果，确实地防止金属锥4A的下表面形成绝缘部6。因此，能够防止将金属锥4A图 案化而得到的配线4被绝缘部6覆盖。因此，能够防止包含半导体装置1的电子部件与配 线4的电连接受到阻碍。
[0229] 经由W上运样的工序，制造覆金属锥基板10A。
[0230] 另外，将该覆金属锥基板IOA所具备的金属锥4A图案化，形成配线4,该配线4具 有与半导体装置I所具备的连接端子12电连接的端子。由此，制造在基材8上形成有配线 4的电路基板10。应予说明，作为将金属锥4A形成图案的方法，没有特别限定，例如，可举出 如下方法。将与要形成的配线4的图案（形状）对应的抗蚀层形成在金属锥4A上。其后， 使用该抗蚀层作为掩模，利用湿式蚀刻法或者干式蚀刻法将从抗蚀层的开口部露出的金属 锥4A蚀刻。 阳231] 应予说明，在本实施方式中，对经由上述工序巧一1]~巧一3]而得到1个覆金 属锥基板IOA的情况进行了说明。但是，本发明不限于上述情况，例如，可W通过将经由上 述工序巧一1]~巧一3]得到的1个覆金属锥基板IOA沿其厚度方向裁断（切断），得到 多个覆金属锥基板10A。应予说明，该裁断可W在（I)~（III)的任一阶段执行：（1)上述工 序巧一3]之后，（II)将金属锥4A图案化而将多个配线4形成在基材8上后，或者（III) 分别与多个配线4对应地将多个半导体装置1搭载在电路基板10上后。该裁断优选在上 述（III)的阶段执行。由此，能够一并制造多个电子部件搭载基板50。使用如上所述的预 浸料得到覆金属锥基板时，适合于大量生产，但由于该覆金属锥基板使用层压法制造，所W 不适于个别生产。但是，通过成为覆金属锥基板IOA的构成，如上述那样，本发明的覆金属 锥基板的制造能够适用于个别生产和大量生产。 阳232] 上述构成的电子部件搭载基板50作为各种电子设备所具备的基板（一个部件） 被搭载。 阳233] <第2实施方式> 阳234] 接下来，对本发明的电子部件搭载基板的第2实施方式进行说明。
[0235]图4是表示本发明的电子部件搭载基板的第2实施方式的纵截面图。 阳236] W下，对于第2实施方式的电子部件搭载基板51，围绕与上述第1实施方式的电子 部件搭载基板50的不同点进行说明，对于相同的事项，省略其说明。 阳237] 图4所示的电子部件搭载基板51在与第1实施方式的电路基板10的构成不同的 构成的电路基板IOa的上表面搭载有半导体装置1，除此之外，与图1所示的电子部件搭载 基板50相同。 阳23引目P，第2实施方式的电子部件搭载基板51中，电路基板IOa在远离搭载半导体装 置1的位置的电路基板IOa的面方向右侧的方向具有邻接的2个弯曲部81、82。其中，弯 曲部81向配线4的上表面侧弯曲，弯曲部82向绝缘部8的下表面侧弯曲。由此，2个弯曲 部81、82向相互相反方向弯曲。并且，电路基板IOa在远离搭载半导体装置1的位置的电 路基板IOa的面方向左侧的方向具有邻接的2个弯曲部83、84。其中，弯曲部83向配线4 的上表面侧弯曲，弯曲部84向绝缘部6的下表面侧弯曲。由此，2个弯曲部83、84向相互相 反方向弯曲。通过电路基板IOa具备运样的弯曲部81~84,搭载于电路基板IOa的半导体 装置1被搭载于在基材8的厚度方向从电路基板IOa整体突出而形成的凹部96内。 阳239] 利用运样的第2实施方式的电子部件搭载基板51也能够得到与上述第1实施方 式相同的效果。 阳24〇] <第3实施方式> 阳241] 接下来，对本发明的电子部件搭载基板的第3实施方式进行说明。 阳242]图5是表示本发明的电子部件搭载基板的第3实施方式的纵截面图。 阳243] W下，对于第3实施方式的电子部件搭载基板52,围绕与上述第1实施方式的电子 部件搭载基板50的不同点进行说明，对于相同的事项，省略其说明。
[0244]图5所示的电子部件搭载基板52在与第1实施方式的电路基板10的构成不同的 构成的电路基板IOb的上表面搭载有半导体装置1，除此W外，与图1所示的电子部件搭载 基板50相同。
[0245]目P，第3实施方式的电子部件搭载基板52中，电路基板1化在远离搭载半导体装 置1的位置的电路基板IOb的面方向右侧的方向具有邻接的2个弯曲部81、82。其中，弯 曲部81向配线4的上表面侧弯曲，弯曲部82向绝缘部6的下表面侧弯曲。由此，2个弯曲 部81、82在相互相反方向弯曲。并且，电路基板1化在远离搭载半导体装置1的位置的电 路基板IOb的面方向左侧的方向具有邻接的2个弯曲部83、84。其中，弯曲部83向配线4 的上表面侧弯曲，弯曲部84向绝缘部6的下表面侧弯曲。由此，2个弯曲部83、84向相互相 反方向弯曲。 阳246]应予说明，电子部件搭载基板52中，在各弯曲部81~84,配线4和树脂层5的上 表面和下表面运双方弯曲。另一方面，绝缘部6的上表面弯曲，但下表面不弯曲。由此，电 路基板IOb中，绝缘部6的下表面由平坦面构成。
[0247]因此，通过电路基板1化具备运样的弯曲部81~84,搭载于电路基板IOb的半导 体装置1被搭载于在基材8的厚度方向形成于电路基板IOb的凹部96内。
[0248]利用运样的第3实施方式的电子部件搭载基板52,也得到与上述第1实施方式相 同的效果。 阳249]<第4实施方式> 阳250]接下来，对本发明的电子部件搭载基板的第4实施方式进行说明。 阳巧1] 图6是表示本发明的电子部件搭载基板的第4实施方式的纵截面图。 阳252] W下，对于第4实施方式的电子部件搭载基板53,围绕与上述第1实施方式的电子 部件搭载基板50的不同点进行说明，对于相同的事项，省略其说明。 阳253]图6所示的电子部件搭载基板53在与第1实施方式的电路基板10的构成不同的 构成的电路基板IOc的上表面和下表面运双方分别搭载有半导体装置1，除此W外，与图1 所示的电子部件搭载基板50相同。 阳巧4]目P，第4实施方式的电子部件搭载基板53中，电路基板IOc具备基材8c和在该基 材8c的上表面和下表面分别设置的配线4,该基材8c具备树脂层5、覆盖树脂层5的下表 面的绝缘部6和覆盖该绝缘部6的下表面的树脂层5。而且，2个半导体装置1分别W在其 连接端子12与配线4电连接的状态，搭载于基材8c所具有的配线4。 阳巧5] 利用运样的第4实施方式的电子部件搭载基板53也能够得到与上述第1实施方 式相同的效果。 阳巧6] 应予说明，如下得到上述构成的电子部件搭载基板53。首先，准备在基材8c的上 表面和下表面运两方分别设有金属锥4A的覆金属锥基板（本发明的覆金属锥基板）。接下 来，将运双方的金属锥4A图案化而得到配线4。其后，在配线4搭载半导体装置1。 阳巧7] <第5实施方式> 阳巧引接下来，对本发明的电子部件搭载基板的第5实施方式进行说明。 阳259]图7是表示本发明的电子部件搭载基板的第5实施方式的纵截面图。
[0260] W下，对于第5实施方式的电子部件搭载基板54,围绕与上述第1实施方式的电子 部件搭载基板50的不同点进行说明，对于相同的事项，省略其说明。 阳％1]图7所示的电子部件搭载基板54在与第1实施方式的电路基板10的构成不同的 构成的电路基板IOd的上表面搭载有与第1实施方式的半导体装置1的构成不同的构成的 半导体装置1'，除此W外，与图1所示的电子部件搭载基板50相同。
[0262]目P，第5实施方式的电子部件搭载基板54中，电路基板IOd具备基材8和配线4'， 该配线4'在与搭载半导体装置1'的位置对应的位置具备开口部。而且，半导体装置1'具 有半导体元件17、将半导体元件17与配线4'电连接的焊线18和密封半导体元件17与焊 线18的模制部19。半导体元件17在配线4'的开口部接合于树脂层5上。并且，半导体元 件17所具备的端子与配线4'所具备的端子经由焊线18电连接。该状态下，它们W包含配 线4'的开口部的形式，在配线4'的上表面侧被模制部19密封。 阳％3] 利用运样的第5实施方式的电子部件搭载基板54也能够得到与上述第1实施方 式相同的效果。
[0264] 应予说明，图7中，在配线4'的开口部在绝缘部6上设有树脂层5。但是，树脂层 5并不局限于此，在配线4'的开口部也可W省略。运时，半导体元件17可W接合于绝缘部 6上。 阳2化]应予说明，上述第1~第5实施方式中，对于电路基板IOUOa~IOd具有4个通 过绝缘部6