、树脂层5和配线4弯曲而形成的弯曲部81~84的情况进行了说明。但是，本 发明的电路基板不限于运种情况，只要具有1个W上弯曲部即可，可W具有1~3个，也可 W具有5个W上。 阳％6] 另外，电子部件搭载基板50~54例如可W通过安装于电子设备所具备的其他结 构体而收纳在电子设备所具有的壳体内。另外，电子部件搭载基板50~54可W使绝缘部 6侧的表面朝向外侧，作为电子设备所具有的壳体的一部分而安装于构成壳体的其他部件 (其他结构体）。 阳％7] W上，针对图示的实施方式说明了本发明的覆金属锥基板、电路基板和电子部件 搭载基板，本发明不限于运些。
[0268]例如，构成本发明的覆金属锥基板、电路基板和电子部件搭载基板的各部可W置 换为能够发挥相同功能的任意的构成。另外，可W对本发明的覆金属锥基板、电路基板和电 子部件搭载基板附加任意的构成物。 阳269] 另外，本发明中，可朗尋上述第1~第5实施方式中示出的任意的2个W上的构成 组合。
[0270] 并且，本发明的电子部件搭载基板不限定于前述的实施方式。目P，本发明不限于将 作为电子部件的半导体装置搭载于电路基板的电子部件搭载基板。本发明可W适用于在电 路基板上搭载作为电子部件的热敏电阻运样的电阻、电容器、二极管功率M0SFET、绝缘栅双 极型晶体管（IGBT)运样的功率晶体管、反应堆、LED(发光二极管）、LD(激光二极管）、有机 化元件运样的发光元件W及马达等的电子部件搭载基板。 阳271][实施例] 阳272] W下，对本发明的具体的实施例进行说明。应予说明，本发明不限定于运些实施 例。 阳273] 1.覆金属锥基板的制造
[0274] 如下制造覆金属锥基板。
[0275] 1. 1第2树脂组合物（清漆）的制备 阳276] [1]首先，称量双酪F/双酪A苯氧基树脂（S菱化学制，4275,重均分子量 6.OX104,双酪F骨架与双酪A骨架的比率=75 :25)40.0质量份、双酪A型环氧树脂值IC制，850S，环氧基当量190)55. 0质量份、2 -苯基咪挫（四国化成制2P幻3. 0质量份、作为 硅烷偶联剂的丫一环氧丙氧基丙基=甲氧基硅烷（信越有机娃制邸M- 403) 2.0质量份。 将它们溶解于环己酬400质量份，混合而得到混合液。使用高速揽拌装置揽拌混合液，由此 得到含有树脂材料的清漆。 阳277] [2]接下来，称量氧化侣（日本轻金属制，平均粒径A3. 2ym，一次粒径B3. 6ym，平 均粒径A/-次粒径B= 0. 9的市售品化OtNo.Z401))800g。接下来，向收纳有纯水1300mL的塑料制容器内投入氧化侣得到氧化侣溶液。其后，使用具备直径50mm的叶片的分散器 (特殊机化工业社制，"R94077")，在转速SOOOrpmX揽拌时间15分钟的条件下，揽拌氧化 侣溶液。由此，对氧化侣进行水洗。
[0278] 其后，将氧化侣溶液静置15分钟，得到上清液。接下来，用滴管取50血的上清液， 过滤得到滤液。其后，测定滤液的抑。倾析除去上清液直到其抑值达到7.0。其后，进行 多次上述氧化侣的水洗。
[0279] [3]接下来，将如上所述进行了水洗的氧化侣放置20分钟。其后，倾析除去上清 液。其后，向该塑料制容器投入丙酬1000 mU得到氧化侣丙酬溶液。其后，使用上述分散器， 在转速80化pmX揽拌时间5分钟的条件下揽拌氧化侣丙酬溶液。 阳280] 而且，将氧化侣丙酬溶液放置12小时，得到上清液。其后，除去上清液。 阳281] [4]接下来，将除去上清液之后的氧化侣移至不诱钢盘。使用全排气型箱型干燥机 灯ABAI(《)公司制/'PHH- 200")，在干燥溫度40°CX干燥时间1小时的条件下干 燥氧化侣，得到洗净氧化侣（填料）。 阳2間其后，W200°CX24时间的条件干燥该洗净氧化侣后，在85°CX85%RH的条件下 放置。运样，使洗净氧化侣的含水率为0.18质量％。 阳283] 应予说明，该氧化侣的含水量由使用差示热天砰装置（TG-DTA)测定的25°C与 500°C下的质量之差算出。 阳284][引接下来，使用分散器（特殊机化工业社制/'R94077")W转速1000巧mX揽拌 时间120分钟的条件在上述工序[1]中预先准备的含有树脂材料的清漆中混合洗净氧化侣 巧05.0质量份）。由此，得到氧化侣的树脂固体成分比为83.5重量％化0.0体积％)的第 2树脂组合物。 阳285] 1. 2在金属锥上的树脂层形成用层的成膜 阳286] 用逗号涂布机在宽度260mm、厚度35ym的卷状铜锥（日本电解制，YGP- 35)的 粗化面上涂布上述1. 1中得到的第2树脂组合物。接下来，将第2树脂组合物在IOCTC加热 干燥3分钟，在150°C加热干燥3分钟，在铜锥上形成厚度100ym的树脂层形成用层（层）。 由此，得到层叠体。 阳287] 应予说明，通过W上述条件干燥第2树脂组合物，层成为半硬化的状态。将层叠体 切成纵65mmX横IOOmm而制成金属锥。 阳28引 1. 3成为药片状的第1树脂组合物的制备 阳289] 配合二亚甲基酸型甲阶酪醒树脂（SumitomoBakelite制R- 25)30份、径甲基 型甲阶酪醒树脂（SumitomoBakelite制PR- 51723)7份、酪醒清漆型树脂（Sumitomo Bakelite制A- 1084)4份、氨氧化侣15份、玻璃纤维（日东纺织制）10份、般烧粘± 12 份、有机质填充材料、固化促进剂、脱模剂、颜料他22份而得到混合物。接下来，用加热漉对 混合物进行混炼而得到混炼物，冷却混炼物。其后，将混炼物粉碎得到的粉碎物片剂化，由 此得到成为药片状的第1树脂组合物。 阳290] 应予说明，作为甲阶型酪醒树脂，使用如下得到的二亚甲基酸型的甲阶型酪醒树 脂（固形）作为主成分。首先，将苯酪任）和甲醒（F)W摩尔比（F/P) = 1.7装入具备回 流冷凝器揽拌机、加热装置、真空脱水装置的反应蓋内。向该反应蓋添加相对于苯酪100重 量份为0. 5重量份的乙酸锋，得到混合物。接下来，将该混合物的抑调整为5. 5,进行3小 时回流反应。其后，在真空度lOOTorr、溫度100°C下进行2小时水蒸气蒸馈来除去未反应 苯酪。并且，在真空度lOOTorr、溫度115°C下反应1小时，由此得到二亚甲基酸型的甲阶型 酪醒树脂。该二亚甲基酸型的甲阶型酪醒树脂具有数均分子量800。 阳291] 1. 4在树脂层上形成绝缘部 阳292] 首先，在成型模具100所具备的型腔121W层为上侧的方式收纳形成有层的金属 锥。其后，在罐111内收纳成为药片状的第1树脂组合物。 阳293] 接下来，将罐111内的第1树脂组合物加热烙融，并将柱塞112插入罐111内。由 此，W第1树脂组合物被加热和加压的状态将烙融的第1树脂组合物填充到型腔内。由此， 向层上供给烙融的第1树脂组合物。 阳294] 而且，通过使烙融的第1树脂组合物和层硬化，在依次层叠有金属锥和树脂层的 层叠体上形成绝缘部。运样，得到在绝缘部6的上表面侧或者金属锥4A的下表面侧具有4 个金属锥、树脂层和绝缘部弯曲的弯曲部的实施例的覆金属锥基板（参照图8)。
[0295] 应予说明，使第1树脂组合物和层硬化时的条件如下设定。 阳296] ?加热溫度：175°C
[0297] ?加压时的压力：5.OMPa 阳29引 ?加热/加压时间：3分钟 阳巧9] 2.覆金属锥基板的评价 阳300] 对实施例的覆金属锥基板，沿其厚度方向将覆金属锥基板切断。使用显微镜W倍 率200倍观察所得到的切断面。 阳301] 将利用该显微镜观察得到的上述切断面的显微镜照片示于图9。 阳302] 由图9所示的显微镜照片可知，在实施例的覆金属锥基板的弯曲部，树脂层没有 断裂，覆金属锥基板由金属锥、树脂层和绝缘部运3层的层叠体构成。 阳303] 符号说明 阳304] i、r 半导体装置 阳305] 4、4' 配线
[0306] 4A 金属锥
[0307] 5 树脂层 阳30引 5A 树脂层形成用层 阳309] 6 绝缘部 阳:310] 8、8c 基材
[0311] 81~84 弯曲部 阳312] IOUOa~IOd 电路基板 阳313] IOA 覆金属锥基板
[0314] 11、19 模制部 阳31引 12 连接端子
[0316] 17 半导体元件 阳317] 18 焊线 阳別引 50~54 电子部件搭载基板
[0319] 95 凸部 阳320] 96 凹部 阳321] 100 成型模具 阳322] 110 上模 阳32引 111 罐 阳324] 112 柱塞 阳325] 113 供给路 阳326] 115 下表面 阳327] 120 下模 阳32引 121 型腔 阳329] 125 上表面
[0330] 130 绝缘部形成用树脂组合物 阳331] t4、ts、te 厚度
【主权项】
1. 一种覆金属箱基板，其特征在于，是用于形成电路基板的覆金属箱基板，该电路基板 电连接地搭载电子部件，所述覆金属箱基板具有： 金属箱， 形成于所述金属箱的一个表面的树脂层， 形成于所述树脂层的与所述金属箱相反的表面的绝缘部，和 所述金属箱、所述树脂层和所述绝缘部向所述金属箱侧或者所述绝缘部侧弯曲的至少 一个弯曲部； 所述绝缘部由含有第1热固性树脂的第1树脂组合物的硬化物构成， 所述树脂层由含有树脂材料的第2树脂组合物的硬化物或者固化物构成。2. 根据权利要求1所述的覆金属箱基板，其中，所述至少一个弯曲部包含具有邻接的2 个弯曲部的多个弯曲部， 所述多个弯曲部位于远离要搭载所述电子部件的位置的方向， 所述邻接的2个弯曲部中的一个向所述金属箱侧弯曲， 所述邻接的2个弯曲部中的另一个向所述绝缘部侧弯曲。3. 根据权利要求1所述的覆金属箱基板，其中，所述树脂材料含有第2热固性树脂。4. 根据权利要求3所述的覆金属箱基板，其中，所述第2热固性树脂含有环氧树脂。5. 根据权利要求1所述的覆金属箱基板，其中，所述树脂材料含有重均分子量为 1. 0X104~1. 0X10 5的树脂成分。6. 根据权利要求1所述的覆金属箱基板，其中，所述第2树脂组合物进一步含有填料。7. 根据权利要求6所述的覆金属箱基板，其中，所述填料是主要由氧化铝构成的粒状 体。8. 根据权利要求6所述的覆金属箱基板，其中，所述填料分散在所述树脂层的所述绝 缘部侧。9. 根据权利要求1所述的覆金属箱基板，其中，所述第1热固性树脂含有酚醛树脂。10. 根据权利要求1所述的覆金属箱基板，其中，所述第1树脂组合物与所述第2树脂 组合物相互不同。11. 一种电路基板，其特征在于，是使用权利要求1~10中任1项所述的覆金属箱基板 形成的， 具有对所述金属箱进行图案化而形成的、具备电连接所述电子部件的端子的电路。12. -种电子部件搭载基板，其特征在于，具备权利要求11所述的电路基板、和与所述 端子电连接而搭载于所述电路基板的所述电子部件。
【专利摘要】本发明提供覆金属箔基板、使用该基板制造的电路基板及在该电路基板搭载有电子部件的电子部件搭载基板，该覆金属箔基板能不需大型装置、不费时间和精力地制造出不对其他结构体的整体形状造成制约、可搭载于其他结构体的电路基板。本发明的覆金属箔基板(10A)用于形成搭载电子部件的电路基板，具备金属箔(4A)、形成于金属箔(4A)的一个面的树脂层(5)和形成于树脂层(5)的上述金属箔的背面的绝缘部(6)。覆金属箔基板(10A)具有金属箔(4A)、树脂层(5)和绝缘部(6)向金属箔(4A)侧或绝缘部(6)侧弯曲的至少一个弯曲部(81)～(84)。树脂层(5)由含有树脂材料的第2树脂组合物的硬化物或固化物构成，绝缘部(6)由含有热固性树脂的第1树脂组合物的硬化物构成。
【IPC分类】H01L23/498, H05K1/03, H01L21/48
【公开号】CN105323957
【申请号】CN201510319232
【发明人】冈坂周, 小宫谷寿郎, 小泉浩二, 马场孝幸
【申请人】住友电木株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年6月11日
【公告号】US20150366054