电子元件组合及其制造方法
【专利摘要】一种电子元件组合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面开设凹槽，该凹槽内涂布粘着剂以将第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件与第二元件之间未经粘着剂胶合的区域直接接触。一种电子元件组合的制造方法，包括以下步骤：提供一第一元件及一第二元件；在第二元件上表面开设凹槽；将粘着剂涂布于该凹槽内；将第一元件接合于第二元件的上表面，粘着剂将第一元件粘接于第二元件。该第一元件可与第二元件牢固接合，该电子元件组合厚度超薄且其金属接触面具有导电性能，可抗电磁干扰并提高其电磁耐受性。
【专利说明】电子元件组合及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电子元件组合及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 3C产品追求超薄的趋势下，电子元件之间的结合方式由传统的焊接、铆合等方式 演进到胶合的方式，但由于全面胶合的方式结合，会在电子元件之间形成绝缘层，阻绝原本 的电导通形态，造成电磁干扰与电磁耐受性降低。
【发明内容】
[0003] 鉴于以上内容，有必要提供一种可以降低电磁干扰并提高电磁耐受性的电子元件 组合。
[0004] -种电子元件组合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面开设凹 槽，该凹槽内涂布粘着剂以将第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件与第二元件之 间未经粘着剂胶合的区域直接接触。
[0005] -种电子元件组合的制造方法，包括以下步骤： 提供一第一元件及一第二元件； 在第二元件上表面开设凹槽； 将粘着剂涂布于该凹槽内； 将第一元件接合于第二元件的上表面，粘着剂将第一元件粘接于第二元件。
[0006] 相较现有技术，该第一元件可与第二元件牢固接合，该电子元件组合厚度超薄且 其金属接触面具有导电性能，可抗电磁干扰并提高其电磁耐受性。
【专利附图】
【附图说明】
[0007] 下面参照附图结合【具体实施方式】对本发明作进一步的描述。
[0008] 图1为本发明电子元件组合的较佳实施方式的立体分解图。
[0009] 图2为本发明电子元件组合的第二元件的立体图，其中该第二元件的凹槽内涂布 纳米粘着剂。
[0010] 图3为图1的组装图。
[0011] 图4为图3沿IV -IV线的剖视图。
[0012] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种电子元件组合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面开设凹槽， 该凹槽内涂布粘着剂以将第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件与第二元件之间未 经粘着剂胶合的区域直接接触。
2. 如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该凹槽包括一长槽及开设于长槽 两侧的溢胶槽。
3. 如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该粘着剂为纳米粘着剂。
4. 如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该第一元件及第二元件均为金属 薄片。
5. 如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该凹槽深度为200 μ m。
6. -种电子元件组合的制造方法，包括以下步骤： 提供一第一元件及一第二元件； 在第二元件上表面开设凹槽； 将粘着剂涂布于该凹槽内； 将第一元件接合于第二元件的上表面，粘着剂将第一元件粘接于第二元件。
7. 如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该凹槽可运用化学能 或热能进行开设。
8. 如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该凹槽包括一长槽及 开设于长槽两侧的溢胶槽。
9. 如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该凹槽深度为为 200 μ m。
10. 如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该粘着剂为纳米粘着 剂。
【文档编号】H05K9/00GK104254234SQ201310258839
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年6月26日 优先权日:2013年6月26日
【发明者】林文进, 王文杰, 陈钦洲 申请人:鸿富锦精密工业(武汉)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司