[0434] ?中间层的金属附着量
[0435] 镍附着量及钴附着量是将样品利用浓度20质量％的硝酸溶解，并使用SII公司制 造的ICP发射光谱分析装置（型号：SPS3100)利用ICP发光分析进行测量，锌、铬附着量是 通过将样品利用浓度7质量％的盐酸溶解，使用VARIAN公司制造的原子吸光分光光度计 (型号：AA240FS)利用原子吸光法进行定量分析而测量。另外，所述镍、钴、锌、铬附着量的 测量是利用以下方式进行。首先，从附载体的铜箔剥离极薄铜层后，只溶解极薄铜层的中间 层侧的表面附近（在极薄铜层的厚度为1. 4 μπι以上的情况下，只溶解距极薄铜层的中间层 侧的表面〇. 5 μπι厚度，在极薄铜层的厚度未达1. 4 μπι的情况下，只溶解从极薄铜层的中间 层侧的表面起到极薄铜层厚度的20% )，测量极薄铜层的中间层侧的表面的附着量。另外， 在剥离极薄铜层后，只溶解载体的中间层侧的表面附近（距表面〇. 5 μπι厚度），测量载体的 中间层侧的表面的附着量。并且，将对极薄铜层的中间层侧的表面的附着量和载体的中间 层侧的表面的附着量总计所得的值设为中间层的金属附着量。
[0436] ?蚀刻性
[0437] 将附载体的铜箔贴附到BT树脂基板、或FR-4基板并以220°C进行2小时加热压 接，其后以220°C进行4小时热处理。接着，将极薄铜层从铜箔载体剥离。接着，在基板上的 极薄铜层表面涂布感光性抗镀敷剂后，利用曝光、显影步骤形成50条L/S = 10 μπι/10 μπι 宽的抗镀敷剂图案，在以下的喷雾蚀刻条件下去除铜层的不需要部分。
[0438] (喷雾蚀刻条件）
[0439] 蚀刻液：氯化铁水溶液（波美度：40度）
[0440] 液温：6(TC
[0441] 喷雾压：2. OMPa
[0442] 继续蚀刻，测量电路顶宽成为4 μ m的时间，进而评估此时的电路底宽（底辺X的 长度）及蚀刻系数。在蚀刻成扇形时（产生塌边时），在假定电路垂直地蚀刻的情况下从铜 箔上表面引下垂线，将从垂线和树脂基板的交点起的塌边的长度的距离设为a的情况下， 蚀刻系数是表示该a和铜箔的厚度b的比：b/a，该数值越大，意味着倾斜角越大，越不残留 蚀刻残渣，塌边越小。在图5中表示电路图案的宽度方向的横截面的示意图，并表示使用该 示意图的蚀刻系数的计算方法的概略。该a是通过从电路上方进行SEM观察而测量，算出 蚀刻系数（EF = b/a)。另外，利用b= (Χ(μπι) - 4(μπι))/2进行计算。通过使用该蚀刻 系数，可以简单地判定蚀刻性是否良好。在本发明中，将蚀刻系数为2. 5以上设为蚀刻性 良好，将未达2. 5或无法算出（包括在底边部分，邻接的电路间短路的情况）判定为蚀刻异 常，评估每Idm2的蚀刻异常数。
[0443] ?铜以外的元素的被覆率
[0444] 对附载体的铜箔在载体/极薄铜层间进行剥离，将载体侧浸渍于硫化铵水溶液。 硫化铵具有使Cu变黑的性质，只有铜载体基材的没有被Ni镀层或Co镀层等由铜以外的金 属形成的金属镀层、或者铬酸盐处理层、有机物层等层覆盖的部分变黑。
[0445] ?硫化铵水溶液
[0446] 硫化按：5 ~20vo 1 %
[0447] 液温：20 ~30°C
[0448] 浸渍时间：30秒~2分钟
[0449] 其后，用扫描仪扫描载体剥离层侧，将其图像用"2灰阶化"加工成黑白。将图像的 白和黑的"阈值"设定为70(白：0、黑：255)，将白色部分的面积率定义为铜以外的元素的被 覆率。
[0450] ?水分产生量（将附载体的铜箔以30°C /分钟加热到500°C时所产生的水分量）
[0451] 在经氩气置换的手套箱内，将附载体的铜箔切取成Φ9~20mm的大小，从附载 体的铜箔的载体剥离极薄铜层。剥离后，将载体和极薄铜层同时导入到电子科学股份有 限公司制造的升温脱离气体分析装置（TDS1200)的腔室内。此时的腔室内的真空度为 2. OX KT7Pa以下，腔室内温度为30~60°C。接着，以30°C /分钟的速度升温到500°C，测 量此时所产生的水分量A(质量（g))。水分量是作为附载体的铜箔每Ig的水分产生量（质 量（g)) (ppm)使用下式算出。
[0452] 水分产生量（将附载体的铜箔以30°C /分钟加热到500°C时所产生的水分量） (ppm/g)=水分产生量A(质量（g))/所测量的附载体的铜箔的样品的质量（g) XlO6
[0453] ?鼓出的个数
[0454] 将附载体的铜箔在220°C的大气加热炉内加热4小时。加热后，利用光学显微镜 用目视数出每Idm2的鼓出的个数。另外，将附载体的铜箔在400°C的大气加热炉内加热10 分钟。加热后，利用光学显微镜用目视数出每Idm2的鼓出的个数。
[0455] 将所述试验条件及试验结果示于表1。
[0456]
[0457] (评估结果）
[0458] 实施例1~12将附载体的铜箔以30°C /分钟加热到500°C时所产生的水分量都 为160ppm/g以下，鼓出的产生及蚀刻产生率都被良好地抑制。
[0459] 另外，实施例1~12将附载体的铜箔以220°C加热4小时时所产生的鼓出都为20 个/dm2以下，水分的产生及蚀刻产生率都被良好地抑制。
[0460] 比较例1~3将附载体的铜箔以30°C /分钟加热到500°C时所产生的水分量都超 过160ppm/g，鼓出的产生都多，蚀刻产生率都不良。
[0461] 另外，比较例1~3将附载体的铜箔以220°C加热4小时时所产生的鼓出都超过 20个/dm2,水分的产生都多，蚀刻产生率都不良。
【主权项】
1. 一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层， 将所述附载体的铜箔以30°C /分钟加热到500°C时所产生的水分量为160ppm/g以下。2. 根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以30°C /分钟加热 到500°C时所产生的水分量为O~130ppm/g。3. 根据权利要求2所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以30°C /分钟加热 到500°C时所产生的水分量为O~110ppm/g。4. 根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220°C加热4小 时时所产生的鼓出为20个/dm2以下。5. 根据权利要求2或3所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220°C加热 4小时时所产生的鼓出为20个/dm2以下。6. 根据权利要求1至4中任一项所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以 220°C加热4小时时所产生的鼓出为0~15个/dm 2以下。7. 根据权利要求1至4中任一项所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以 220°C加热4小时时所产生的鼓出为0~12个/dm 2以下。8. 根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400°C加热10分 钟时所产生的鼓出为〇~60个/dm2以下。9. 根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400°C加热10分 钟时所产生的鼓出为〇~30个/dm2以下。10. 根据权利要求4所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400°C加热10 分钟时所产生的鼓出为0~60个/dm2以下。11. 根据权利要求4所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400°C加热10 分钟时所产生的鼓出为0~30个/dm2以下。12. 根据权利要求7所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400°C加热10 分钟时所产生的鼓出为0~60个/dm2以下。13. -种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层， 将所述附载体的铜箔以220°C加热4小时时所产生的鼓出为20个/dm2以下。14. 根据权利要求13所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220°C加热4 小时时所产生的鼓出为0~15个/dm2以下。15. 根据权利要求13所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220°C加热4 小时时所产生的鼓出为0~12个/dm2以下。16. 根据权利要求13所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400°C加热10 分钟时所产生的鼓出为0~60个/dm 2以下。17. 根据权利要求2、3、9、14至15中任一项所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的 铜箔以400°C加热10分钟时所产生的鼓出为0~60个/dm 2以下。18. 根据权利要求15所述的附载体的铜箔，其中所述中间层在含有Cr的情况下，含有 5 y g/dm2以上100 y g/dm2以下的Cr，在含有Mo的情况下，含有50 y g/dm2以上1000 y g/dm2 以下的Mo,在含有Ni的情况下，含有100 y g/dm2以上40000 y g/dm 2以下的Ni，在含有Co 的情况下，含有100 U g/dm2以上40000 y g/dm 2以下的Co,在含有Zn的情况下，含有I y g/ dm2以上120 y g/dm2以下的Zn。19. 根据权利要求16所述的附载体的铜箔，其中所述防锈层及所述耐热层的至少一层 含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。20. -种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层， 将所述附载体的铜箔以400°C加热10分钟时所产生的鼓出为0~60个/dm2以下。21. -种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层， 将所述附载体的铜箔以400°C加热10分钟时所产生的鼓出为0~50个/dm2以下。22. -种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层， 将所述附载体的铜箔以400°C加热10分钟时所产生的鼓出为0~40个/dm2以下。23. -种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层， 将所述附载体的铜箔以400°C加热10分钟时所产生的鼓出为0~30个/dm2以下。24. 根据权利要求1至4、8至11、13至16、20至23中任一项所述的附载体的铜箔，其 中所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合 物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。25. 根据权利要求24所述的附载体的铜箔，其中所述中间层以25nm以上SOnm以下的 厚度含有有机物。26. 根据权利要求24所述的附载体的铜箔，其中所述有机物是由选自含氮有机化合 物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。27. 根据权利要求1至4、8至11、13至16、20至23中任一项所述的附载体的铜箔，其 中在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。28. 根据权利要求27所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由 耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。29. 根据权利要求28所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具有所述耐热 层。30. 根据权利要求28所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层或所述耐热层上具 有所述防锈层。31. 根据权利要求28所述的附载体的铜箔，其中在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理 层。32. 根据权利要求28所述的附载体的铜箔，其中在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷 偶联处理层。33. 根据权利要求1至4、8至11、13至16、20至23中任一项所述的附载体的铜箔，其 中在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组 成的群中的一种以上的层。34. 根据权利要求1至4、8至11、13至16、20至23中任一项所述的附载体的铜箔，其 中在所述极薄铜层上具备树脂层。35. 根据权利要求27所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。36. 根据权利要求28所述的附载体的铜箔，其中在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐 处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。37. 根据权利要求34所述的附载体的铜箔，其中所述树脂层含有介电质。38. -种印刷布线板，使用权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔而制造。39. -种覆铜层压板，使用权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔而制造。40. -种电子机器，使用权利要求38所述的印刷布线板而制造。41. 一种层压体，使用权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔而制造。42.-种层压体，含有权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔和树脂，所述附载 体的铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。43. -种层压体，将一片权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔从所述载体侧 或所述极薄铜层侧层压在另一片权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔的所述载 体侧或所述极薄铜层侧而成。44.根据权利要求43所述的层压体，将所述一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所 述极薄铜层侧表面和所述另一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面 根据需要经由粘合剂直接层压而构成。45.根据权利要求43所述的层压体，其中所述一片附载体的铜箔的所述载体或所述极 薄铜层和所述另一片附载体的铜箔的所述载体或所述极薄铜层連接。46. -种印刷布线板的制造方法，使用权利要求41至45中任一项所述的层压体。47.根据权利要求43至45中任一项所述的层压体，其中所述层压体的端面的一部分或 全部被树脂覆盖。48. -种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤： 在权利要求43至45中任一项所述的层压体至少设置1次树脂层和电路这两层；及 在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述层压体的附载体的铜箔剥离所述 极薄铜层或所述载体。49. 一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤： 在权利要求47所述的层压体至少设置1次树脂层和电路这两层；及 在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述层压体的附载体的铜箔剥离所述 极薄铜层或所述载体。50. -种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤： 准备权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔和绝缘基板； 将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压； 将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，经过剥离所述附载体的铜箔的铜箔载体 的步骤而形成覆铜层压板， 其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成电路。51. -种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤： 在权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔的所述极薄铜层侧或所述载体侧表 面形成电路； 以埋没所述电路的方式在所述附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧形 成树脂层； 在所述树脂层上形成电路； 在所述树脂层上形成电路后，剥离所述载体或所述极薄铜层；及 剥离所述载体或所述极薄铜层后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所 述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的埋没在所述树脂层中的电路露出。52.根据权利要求51所述的印刷布线板的制造方法，其中所述在树脂层上形成电路的 步骤是将另外的附载体的铜箔从极薄铜层侧或载体侧贴合在所述树脂层上，使用贴合在所 述树脂层的附载体的铜箔而形成所述电路的步骤。53.根据权利要求52所述的印刷布线板的制造方法，其中所述贴合在树脂层上的另外 的附载体的铜箔是权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔。54.根据权利要求51所述的印刷布线板的制造方法，其中所述在树脂层上形成电路的 步骤可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法进行。55.根据权利要求51所述的印刷布线板的制造方法，其中所述要在表面形成电路的附 载体的铜箔在该附载体的铜箔的载体侧的表面或极薄铜层侧的表面具有基板。56. -种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤： 将权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体 侧表面和树脂基板进行层压； 在所述附载体的铜箔的和与树脂基板层压的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所述 载体侧表面至少设置1次树脂层和电路这两层；及 至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述附载体的铜箔剥离所述载体或所述 极薄铜层。57. -种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤： 将权利要求1至37中任一项所述的附载体的铜箔的所述载体侧表面和树脂基板进行 层压； 在所述附载体的铜箔的和与树脂基板层压的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面至少设 置1次树脂层和电路这两层；及 至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述附载体的铜箔剥离所述载体。
【专利摘要】本发明公开了附载体的铜箔、印刷布线板、层压体、电子机器及印刷布线板的制造方法。具体地，本发明提供一种具有良好电路形成性的附载体的铜箔。本发明的附载体的铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层，将附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为160ppm/g以下。
【IPC分类】B32B15/01, H05K3/28, H05K1/09, B32B15/20
【公开号】CN104943270
【申请号】CN201510147943
【发明人】宫本宣明, 本多美里, 石井雅史
【申请人】Jx日矿日石金属株式会社
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年3月31日