专利名称：纳米级抗艾滋病病毒微球的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种医治艾滋病的药物和助热剂，特别涉及纳米级抗艾滋病病毒微球。
背景技术：
2000年6月29日，在联合国公开发表的报告中这样写道“全球艾滋病病毒感染者已达3400多万人。另据最保守的估计，世界最少还另有5000多万人不知道自己已经感染了艾滋病。国内、外专家、学者多年来从事基因学、细胞学、病毒学、免疫学、中医中药等多项研究，现有的治疗和药物有自体干细胞基因治疗、新基因疫苗治疗鸡尾酒疗法、蛋白脢抑制剂(protease inhibitors)等。到目前为止还没有很好的方法。因为艾滋病是一种特殊的疾病，病毒具有动态特质，每天的复制速度奇快无比，这是一种非常活跃、具毁灭性的病毒。艾滋病毒都隐藏在淋巴组织，实际上艾滋病病毒不是一种病毒而是一堆病毒，它们有各种各样的病毒类型，目前艾滋病治疗最大的困难就是病毒产生耐药性，使药物失效，导致约75％的治疗失败。世界上数以千万计的人们渴盼有效的艾滋病预防与治疗的药物，这必将是一个巨大的市场。
发明内容
本发明的目的旨在克服现有技术的不足而提供一种对艾滋病毒治疗效果好、毒副作用小、使用简便的纳米级抗艾滋病病毒微球。
本发明的目的是这样实现的一种纳米级抗艾滋病病毒微球，该微球是用纳米级Fe3O4(A)或纳米级高分子材料(B)经表面修饰改性成为纳米级抗艾滋病病毒微球后靶向进入或标记艾滋病病毒，或用纳米级Fe3O4(A)或纳米级高分子材料(B)经表面修饰改性与特异性蛋白或特异性多肽联接成为纳米级抗艾滋病病毒微球后靶向进入或标记艾滋病病毒。
——所述的表面修饰改性是用酰基氨基酸在纳米颗粒表面形成化学吸附的双层吸附，条件是酰基氨基酸A或B＝3.4-3.7∶1(体积比)，PH5.5-8.5。
——所述的微球在外加磁场、射频或内生场作用下能产热达37-60℃。
——所述的外加磁场的频率在1千赫-100千赫；射频和内生场的频率在3-30000兆赫；饱和磁化强度在100-300Gs。
——所述的特异性蛋白可为H-钙调蛋白结合蛋白或PSA蛋白；特异性多肽可为转化生长因子(TGF)、胞壁酰二肽(MDP)、谷胱甘肽(GSH)或牛乳酶解物(GFL)。
——所述的微球配制成0.005％-10％的水溶液或脂类溶液。
——所述的纳米级高分子材料最好是高比热的。
使用本发明的药物后，可利用核磁共振、组织热像图、CT、B超、C超、传感器和X光机等进行检测，进一步明确诊断爱滋病病毒侵犯组织、器官的部位和程度。本发明的药物治疗效果好、毒副作用小、使用简便，是一种有显著进步和突出效果的抗艾滋病药物。
具体实施例方式
以纳米级Fe3O4为例取10个纳米Fe3O4和35个纳米酰基赖氨酸，在PH6.5条件下充分混匀进行化学吸附形成抗艾滋病病毒微球，取微球配制成0.1％的水溶液通过静脉注射纳米级抗艾滋病病毒微球，标记体内血液中游离的艾滋病病毒及已经侵入淋巴细胞和其它组织细胞的艾滋病病毒，外加磁场的频率为50千赫，使纳米级氧化铁在磁场下产生运动，产热达43℃，达到杀死艾滋病病毒的目的，从而治疗艾滋病。同时利用核磁共振、组织热像固、CT、B超、C超、传感器和X光机进一步明确诊断治愈的部位和程度。本发明的药物微球还可用于诊断和治疗其它病毒、细菌、支原体、衣原体和寄行虫。
权利要求
1.一种纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是用纳米级Fe3O4(A)或纳米级高分子材料(B)经表面修饰改性成为纳米级抗艾滋病病毒微球后靶向进入或标记艾滋病病毒。
2.一种纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是用纳米级Fe3O4(A)或纳米级高分子材料(B)经表面修饰改性与特异性蛋白或特异性多肽联接成为纳米级抗艾滋病病毒微球后靶向进入或标记艾滋病病毒。
3.根据权利要求1和2所述的纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是表面修饰改性是用酰基氨基酸在纳米颗粒表面形成化学吸附的双层吸附，条件是酰基氨基酸A或B＝3.4-3.7∶1(体积比)，PH5.5-8.5。
4.根据权利要求1和2所述的纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是该微球在外加磁场、射频或内生场作用下能产热达37-60℃。
5.根据权利要求4所述的纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是外加磁场的频率在1千赫-100千赫；射频和内生场的频率在3-30000兆赫；饱和磁化强度在100-300Gs。
6.根据权利要求2所述的纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是特异性蛋白可为H-钙调蛋白结合蛋白或PSA蛋白；特异性多肽可为转化生长因子(TGF)、胞壁酰二肽(MDP)、谷胱甘肽(GSH)或牛乳酶解物(GFL)。
7.根据权利要求1和2所述的纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是该微球配制成0.005％-10％的水溶液或脂类溶液。
8.根据权利要求1所述的纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是纳米级高分子材料最好是高比热的。
全文摘要
本发明提供一种纳米级抗艾滋病病毒微球，其特征是用纳米级Fe
文档编号A61P31/00GK1425370SQ0311352
公开日2003年6月25日 申请日期2003年1月7日 优先权日2003年1月7日
发明者张 诚, 张奉学, 牛维, 钦华, 王治国 申请人:张 诚