专利名称：通过多能量离子处理聚合物部件的表面的方法
技术领域：
本发明提供通过多电荷和多能量离子处理聚合物部件的方法，所述离子属于氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)构成的名单。做为例子，本发明应用于电子学领域，其中寻求例如消除静电荷沉积，所述静电荷沉积可引起置于聚合物基材上的电子元件的破坏，或者用于机动车辆领域，特别是为了抑制灰尘在机动车辆设备面板上的沉积。
背景技术：
大部分市售聚合物不传导电流。它们的表面电阻率在IO15至1017Ω/ □之间。然而，由于多种原因，可能需要导电性，这些原因包括-抗静电效应例如，为了避免灰尘沉积、塑料袋粘附。持续几周或几个月的表面电阻率降低会是足够的。-静电荷的耗散这通过耗散材料和导体实现，它们防止放电并将高速移动导致的电荷耗散掉。-电磁屏蔽需要具有很低的体积电阻率(<lohm. cm)的材料。必须符合标准以限制来自所制造的产品的电磁辐射。可以通过多种途径获得导电性-非永久性的添加剂，例如脂肪胺酯或季胺。纳入到聚合物基体中的这些物质迁移至表面并与空气中的湿气反应。它们通过在表面形成潮湿膜而将表面电阻率降低至约1014Ω / 口。-永久性降低表面电阻率和体积电阻率的填料。特别是，它们为碳黑、碳纤维、石墨、不锈钢纤维、铝屑、碳纳米管。当仅仅需要表面抗静电或静电荷耗散电性能时，这些填料过度提高聚合物制造成本。-本身导电的聚合物。它们既昂贵又对使用条件敏感。热和湿气快速地使它们的电性能劣化。附着是聚合物的显著现象，它表现为少量纸、灰尘的附着。该附着源于非常高的表面电阻率诱导的静电力以及位于聚合物表面的分子的极性所产生的范德华力的贡献。除了粘着问题，聚合物部件经常需要在或大或小的侵蚀性的化学介质中、在环境湿度中、在环境氧气中、在非常低或者相反非常高的温度等等条件下工作，这可通过氧化导致它们的电绝缘性的提高。某些聚合物用防护UV、氧化的化学试剂填充。这些化学试剂向外侧的排出具有加速表面氧化的作用，这又强化了聚合物的绝缘性。
发明内容
本发明旨在降低上述缺点，特别是显著降低实心聚合物部件的表面电阻率，同时保持其本体弹性性能并防止使用对健康有害的化学试剂。
因而，本发明提供用氦离子处理实心聚合物部件的至少一个表面的方法，其特征在于将多能量离子X+和X2+同时植入，其中比率RX小于或等于100，例如小于20，其中RX=X+/X2+，其中X属于氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)构成的名单，X+和X2+以原子百分比表示。做为例子，发明人已能够证明，与其中仅仅植入He+或He2+离子的已知处理相比，He+和He2+离子的同时存在能够非常显著地改善聚合物的表面抗静电性能。他们已能够证明，对于小于或等于100、例如小于或等于20的RHe，获得显著改善。应当指出，本发明可降低实心聚合物部件的表面电阻率和/或消除灰尘附着，甚至通过去除高度极化的化学基团例如0H、C00H而降低表面极化。这些官能团可诱导范德华力，它具有将环境中的化学分子结合至聚合物表面的作用。本发明还可提高聚合物的化学稳定性，例如通过形成渗透屏障。这可以减慢环境氧在聚合物中的传播，和/或延缓聚合物中所含的化学防护剂的向外扩散，和/或抑制聚合物中所含的毒性试剂向外的析出。有利地，本发明可以用于省略化学试剂或填料的添加并将它们用物理方法代替，所述物理方法适用于任何类型的聚合物并且在材料和能量的消耗方面成本较低。在本发明范围内，术语“实心”指的是通过材料块的机械或物理变形，例如通过挤出、模塑或者适合将聚合物块变形的任何其它技术，所生产的聚合物部件。这样的变形使得可以获得多种形状的实心部件，例如三维部件，基本上二维的部件例如板或异型条，基本上一维的部件例如线。在可以有利地通过本发明的方法处理的聚合物产品中，可以提及例如电子元件的聚合物载体，其用于避免可破坏电子元件的静电击穿，或者机动车辆设备面板，其用于避免灰尘沉积。此外，实心聚合物部件可以是另一材料制成的部件的一部分，例如它可以安装至另一材料制成的部件。做为例子，在聚合物中，可以提及有利地根据本发明处理的下列材料-聚碳酸酯(PC)-聚乙烯(PE)-聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)-聚甲基丙烯酸酯(PMMA)-聚丙烯(PP)-聚酰胺(PA)。根据一种实施方案，该多能量、多电荷离子通过电子回旋加速器共振离子源(ECR源)同时产生。由于本发明的方法，可以处理大得多的深度，这代表了高的化学稳定性，表现为表面电学性能(抗静电、静电荷耗散)的非常长时间的保持。已证明处理时间就工业要求而言不长。此外，该方法是低能量、低成本的，并且可以在没有任何环境影响的情况下用于工业领域中。聚合物部件的处理通过同时植入多能量、多电荷离子进行。这些离子特别是使用单一提取电压提取电子回旋加速器共振离子源(ECR源)的等离子室中形成的单电荷离子和多电荷离子而获得的。通过所述源产生的每种离子具有与其电荷状态成比例的能量。由此得出具有最高的电荷状态因而具有最高的能量的离子以最大的深度植入聚合物部件中。用ECR源的植入是快速且廉价的，因为它不需要离子源的高提取电压。实际上，为了提高离子的植入能量，在经济上优选的是提高其电荷状态而不是提高其提取电压。应当指出，常规的源，例如尤其是通过等离子体浸没或细丝植入器植入离子的源，不能获得适于同时植入多能量离子X+和X2+的离子束，其中比率RX小于或等于100。相反，使用这样的源，它通常大于或等于1000。发明人已能够证明，该方法可以用于在不改变聚合物部件的本体弹性性能的情况下对聚合物部件进行表面处理。根据本发明的一种实施方案，该源是电子回旋加速器共振源，它产生在小于50°C的温度下植入部件中的多能量离子，并且植入束的离子的植入以受到源的提取电压控制的深度同时进行。不希望受限于特别的科学理论，可以认为在本发明的方法中，当离子通过时，它们激发了聚合物的电子，导致共价键断裂，该共价键立即重组以通过称为交联的机理得到主要由碳原子构成的高密度的共价化学键。较轻的元素例如氢和氧在脱气过程中从聚合物排出。向富碳共价键的该稠化作用具有如下效应提高表面电导率，并减少甚至去除做为范德华力来源的表面极性基团，该范德华力是附着的来源。离子越轻，交联过程越有效。因而氦是优选的有利抛射体,因为-它与共价键的电子的速度相比非常快，因而它在激发这些电子方面非常有效，所述电子因而没有时间改变它们的轨道，-它穿透微米级的大深度，-它没有危险性，-作为稀有气体，它不影响聚合物的化学组成。可以考虑容易使用的、没有任何健康风险的其它类型的离子，例如氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、lS(A;r)、氪(Kr)、氣(Xe)。根据本发明方法的不同的优选实施方案，它们可以彼此结合。一种优选的实施方案在于例如将下列所述组合-比率RHe大于或等于1，其中RHe=He+/He2+，其中He+和He2+以原子百分比表示；-可植入多能量离子He+和He2+的源的提取电压在10至400kV之间，例如大于或等于20kV和/或小于或等于IOOkV ；-多能量离子He+和He2+的剂量在5X IO14至IO18离子/cm2之间，例如大于或等于IO15离子/cm2和/或小于或等于5 X IO17离子/cm2,甚至大于或等于5 X IO15离子/cm2和/或小于或等于IO17离子/cm2 ；-在预先步骤中，确定实心聚合物部件表面的特征性能的演化随着多能量离子He+和He2+剂量的变化，例如做为待处理部件的代表的聚合物材料的聚合物的表面电阻率，以确定离子剂量的范围，在该范围内所选择的特征性能的变化是有利的，并且以不同的方式在形成所述离子剂量范围的三个相继的离子剂量区域中演化，在第一区域中的演化是基本上线性的，并且在小于一个月的期间是可逆的，在第二区域中的演化是基本上线性的，并且在超过一个月的期间是稳定的，最后在第三区域中的演化是恒定的，并且在超过一个月的期间是稳定的，并且其中选择第三离子剂量区域中的多能量离子He+和He2+的剂量以处理实心聚合物部件；术语可逆的演化(第一区域)指的是电阻率降低然后再次升高至其原始值。该现象是由于自由基在植入后的耐久性，它与环境空气中的氧复合，从而导致表面电阻率的提闻。-调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得待处理的聚合物部件表面的表面处理速度在O. 5cm2/s至1000cm2/s之间,例如大于或等于lcm2/s和/或小于或等于IOOcm2/s ；-调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得植入的氦剂量在
5X IO14至IO18离子/cm2之间，例如大于或等于5 X IO15离子/cm2和/或小于或等于IO17离子 /cm2 ;-调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得氦在经处理的聚合物部件表面上的渗入深度在O. 05至3 μ m之间，例如大于或等于O. I μ m和/或小于或等于2 μ m ；-调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得处理过程中聚合物部件的表面温度小于或等于100°c，例如小于或等于50°C ；-聚合物部件为例如异型条，并且所述部件在处理设备中以例如5m/min至IOOm/min的速度行进；例如，该聚合物部件为纵向行进的异型条；-通过由多个离子源产生的多个多能量He+和He2+离子束，将氦从待处理的部件的表面起植入；例如，离子源沿着待处理的部件的移动方向设置；优选地，将这些源间隔开以使得两个离子束之间的距离足以允许部件在各个相继的离子植入之间冷却；所述源产生的离子束的直径适于待处理的轨迹的宽度。例如，通过将束的直径降至5mm，可以在源和处理室之间安置非常有效的差示真空系统，这可以在10_2mbar下处理聚合物，而源提取系统的真空为10 6mbar ；-部件的聚合物选自聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯。该列举不是穷举。也可以考虑其它常规可交联类型的聚合物。本发明还涉及部件，其中氦植入的厚度大于或等于50nm，例如大于或等于200nm，并且其表面电阻率P小于或等于IO14 Ω/ □，例如小于或等于IO9 Ω/ □，甚至小于或等于105Ω / 口。对于表面率的测量，参见IEC标准60093。本发明还提供上述处理方法用于处理实心聚合物部件的用途，所述实心聚合物部件选自电子元件的聚合物载体、油箱部件。
下面通过非限制性的实施方案的实例、特别是通过参照
本发明，其中图I示出根据本发明的氦植入在聚碳酸酯中的分布的实例；图2示出描述材料的静电性能的不同标准的尺度；图3示出对于多种氦剂量，根据本发明处理的聚碳酸酯样品表面的表面电阻率随时间的变化。表面电阻率根据IEC标准60093使用电极测量，所述电极由被内径为D的环围绕的直径为d的盘构成，其中D大于d ；
图4示出对于三种离子He、N和Ar，根据多种剂量，根据本发明处理的聚碳酸酯样品表面的表面电阻率随时间的变化。表面电阻率根据IEC标准60093测量；并且图5示出对于多种氮剂量但是根据两种束移动速度，根据本发明处理的聚碳酸酯样品表面的表面电阻率随时间的变化。表面电阻率根据IEC标准60093测量。
具体实施例方式图I示出根据本发明在聚碳酸酯中氦随着深度的植入分布。曲线101对应于He+的分布，曲线102对应于He2+的分布。可以估计，对于IOeV/’Λ的平均电离能，对于IOOkeV的能量，He2+覆盖约800nm的平均距离。对于4eV/ ▲的平均电离能，对于50keV的能量，He+覆盖约500nm的平均距离。离子的电离能与其交联能力相关。当(He+Afe2+)小于或等于100时，可以估计最大处理厚度为IOOOnm即I微米量级。这些估计与通过电子显微镜的观察一致，它已证明了对于在40kV提取的束以及5 X IO15离子/cm2的剂量和(He+/He2+) =10，观察到约750nm至850nm的交联层。图2示出描述材料的静电性能的电阻率值，根据标准DOD HDBK 263。对于大于IO14 Ω/ □的表面电阻率值(区域I)，聚合物具有绝缘性能，对于IO14Ω/ □至IO9 Ω/ □范围内的表面电阻率值(区域A)，具有抗静电性能。对于105Ω/ □至109Ω/ □范围内的表面电阻率值(区域D)，表现出静电荷耗散性能，对于小于105Ω/ □的值(区域C)，表现出导电性倉泛。图3 示出对于 IO15 (曲线 1)、2· 5X IO15 (曲线 2)、5X IO15 离子 /cm2 (曲线 3)、2. 5 X IO16离子/cm2 (曲线4)的不同的氦剂量，在Ηθ+/Ηθ2+=10条件下，聚碳酸酯的表面电阻率随着时间的实验变化；提取电压为约40kV。电阻率测量根据IEC标准60093进行。使用的电阻率测量技术不能测量大于IO15 Ω/ □的电阻率，其相应于区域N ;它在IO15 Ω/ □饱和。横坐标对应于处理样品和测量其表面电阻率之间的时间。纵坐标对应于表面电阻率的测量，以Ω/□表示。对于小于或等于IO15离子/cm2的剂量可以观察到一个第一区域，其中表面电阻率在小于一个月内降低约3个数量级(从I. 5X 1016Ω/ □至5 X IO12 Ω/ □)，然后恢复其约I. 5Χ1016Ω/ □的原始值(曲线I)。在该区域中，抗静电性能是短暂的，仍然存在的自由基与环境空气中的氧复合。在第二区域中，可以看到电阻率随着剂量降低在2. 5 X IO15离子/cm2,5 X IO15离子/cm2,2. 5 X IO16离子/cm2的范围，表面电阻率从IO11 Ω / 口降至5 X IO9 Ω / 口，直到它达到估计为约I. 5 X IO8 Ω / 口的饱和平台。抗静电性能(曲线2和3)得到强化而变成能够耗散静电荷(曲线4)。对于这些剂量，电阻率在超过140天内保持恒定。对于2. 5 X IO16离子/cm2的剂量，达到第三区域，其中电阻率的变化根据剂量在估计为约IO8 Ω/ □的值饱和，并在超过140天内保持恒定。图4示出对于三种离子He (曲线I)、N (曲线2)和Ar (曲线3)，对于IO15离子/cm2、5X IO15 离子 /cm2 和 2. 5X IO16 离子 /cm2 的不同剂量，在(He+/He2+) =10、(N+/N2+) =2 和(Ar+/Ar2+)=1.8条件下，聚碳酸酯(PC)的表面电阻率随着时间的实验变化。束直径为15_，电流为O. 225mA ;提取电压为约35kV。横坐标表示每单位表面积的离子剂量，以IO15离子/cm2表示。纵坐标表示表面电阻率，以Ω / □表示。电阻率测量根据IEC标准60093进行。对于相同的剂量，最重的离子在降低表面电阻率方面最有效；用氮处理的PC具有比用氦处理的PC低至少10倍的表面电阻率，用氩处理的PC具有比用氦处理的PC低至少10倍的表面电阻率。发明人建议使用更重的离子例如氙，以进一步降低聚碳酸酯的表面电阻率。图5示出对于相同类型的离子但是在两种不同的束移动速度下(80mm/s的移动速度(曲线l)，40mm/s的移动速度(曲线2))，对于IO15离子/cm2、5X1015离子/cm2和2. 5X IO16离子/cm2的不同剂量，在(ΝΥΝ2+)=〗条件下，聚碳酸酯的表面电阻率随着时间的实验变化。束直径为15_，电流为O. 150mA ;提取电压为约35kV。横坐标表示每单位表面积的离子剂量，以IO15离子/cm2表示。纵坐标表示面积电阻率，以Ω/□表示。电导率测量根据IEC标准60093进行。从这些曲线可以看出，将速度降低至二分之一具有将PC的表面电阻率降低至十分之一的效果。不希望受制于任何特定的科学理论，可以认为通过降低束的速度，PC的表面电阻率提高。该温度显著提高自由基彼此之间的复合，同时促进形成无定形碳的致密的导电膜。加热也具有将离子轰击引起的断裂/交联机理所产生的残余气体排出的作用。发明人从该实验得出，对于用具有已知直径和功率的束处理过的任何聚合物，存在一个最小束移动速度，该速度导致聚合物表面电阻率的最大降低，同时没有在所产生的热的作用下使聚合物降解的风险。聚合物的热降解由明显的脱气以及随后用于ECR源的提取系统中的压力的提高来表明。该压力的提高证明其自身处于电击穿。提取系统起到从ECR 源的等离子体提取离子以形成束的作用。它由两个电极构成，第一个接地，第二个在小于5X 10_6mbar、优选小于2X 10_6mbar的真空条件下达到几十kV的高压。超过这些压力则产生电弧。这发生在聚合物发生热降解时。因此应当非常早地检测这些压力升高，通过逐渐降低束移动速度并监视提取系统中的压力变化来进行。为了确定该束移动速度，发明人推荐一种测试步骤，其在于逐渐降低束的速度，同时保持其它特征-束特征直径，功率即强度，以及提取电压；-动力学特征移动幅度，前进速率。当通过位于提取系统和处理室两者中的量具测量的压力上升在几秒甚至更短的时间内突升10_5mbar时，聚合物在热的作用下发生热降解。测试必须立即停止，仅保留在之前的测试中的移动速度。在几秒甚至更短的时间内突升l(T5mbar构成聚合物热降解的标
O几种表征方法可以强调本发明的优点。在下面的实例中，用通过ECR源同时产生的多能量He+和He2+离子进行通过氦离子He+和He2+的植入对实心聚合物部件的至少一个表面的处理。被处理的聚合物特别是聚丙烯(PP)以及聚甲基丙烯酸酯(PMMA)。使用扔到处理样品上的小片纸进行的涉及抗静电性能的对比测试可以表明它出现在大于5 X IO15离子/cm2的情况下。对于这些剂量，当这些样品翻转时，纸片脱离并落下，这在小于5 X IO15离子/cm2的剂量下没有发生。对于聚丙烯，对于IO15离子/cm2和5 X IO15离子/cm2的剂量，可以根据IEC标准60093测得IO14 Ω / 口的表面电阻率。对于2 X IO16离子/cm2的剂量，可以测得5 X IO11 Ω / 口的电阻率，相当于出现这些抗静电性能。在一种实施方案中，估计从大于5X IO15离子/cm2的剂量起聚合物的表面抗静电性能显著改善，对于由9mA He+离子和ImA He2+离子构成的氦束,这代表了约15cm2/s的处理速度。
根据待处理部件的要求和形状，可以将氦离子的同时植入进行到不同的深度。这些深度特别取决于植入束的离子的植入能量；例如，对于聚合物，它们可以为O. Ιμπι至约3μπι。对于需要非粘性性能的应用，例如小于I微米的厚度就已足够，例如进一步降低处理时长。在一种实施方案中，选择植入He+和He2+离子的条件，通过将部件保持在小于50°C的处理温度下而使得聚合物部件保留其本体弹性性能。对于具有4_直径的束尤其可获得该结果，其提供60微安的总电流，具有40kV的提取电压，以40mm/s的速度在100_的移动幅度上移动。该束具有20W/cm2的每单位面积功率。当使用相同的提取电压和相同的每单位面积功率，以及更高强度的束同时保留本体弹性性能时，可以得出一个经验法则，它在于以一个比率提闻移动幅度、提闻移动速度并提闻束的直径，所述比率对应于目标电流除以 60μΑ的商的平方根。做为一个实例,对于6毫安的电流(即100乘以60微安),该束应当具有40mm的直径以将每单位面积功率保持在20W/cm2。在这些条件下，速度可以乘以因子10，移动幅度可以乘以因子10，得到40cm/s的速度和Im的移动幅度。通过次数也可以乘以相同的因子，以在最后得到以离子/cm2表示的相同的处理剂量。在连续运行时，置于传动带路径上的微加速器的数目例如也可以乘以相同的因子。也可以看出，通过根据本发明的处理，其它表面性能也得到非常显著的改善；以获得了使用其它技术没有得到的性能。本发明不限于这些类型的实施方案，并且应当以非限制性的方式解释，包括处理任何类型的聚合物。类似地，本发明的方法不限于使用ECR源，即使可能认为其它源将不太有利，本发明的方法可以使用单离子源或者使用其它多离子源实施，只要配置这些源以便可以同时植入选自氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)的多能量离子。
权利要求
1.用离子处理实心聚合物部件的至少一个表面的方法，其特征在于它包含用多能量离子X+和X2+构成的离子束的离子轰击，其中X是选自氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的离子的原子符号，其中RX=X+/X2+小于或等于100，例如小于20，X+和X2+以原子百分比表示，其中在预先步骤中确定束的移动速度，在该步骤中确定不导致聚合物热降解的束的最小移动速度，所述热降解由压力提高l(T5mbar表明。
2.根据以上权利要求的处理方法，其特征在于离子X+和X2+通过电子回旋加速器共振离子源(ECR)同时产生。
3.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于比率RX大于或等于I。
4.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于能够实现多能量离子X+和X2+植入的源的提取电压在10至400kV之间，例如大于或等于20kV和/或小于或等于100kV。
5.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于多能量离子X+和X2+的剂量在5 X IO14至IO18离子/cm2之间，例如大于或等于IO15离子/cm2和/或小于或等于5 X IO17离子/cm2，甚至大于或等于5 X IO15离子/cm2和/或小于或等于IO17离子/cm2。
6.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于在预先步骤中确定实心聚合物部件表面的特征性能的演化随着多能量离子X+和X2+剂量的变化，例如做为待处理部件的代表的聚合物材料的表面电阻率P，以确定离子剂量的范围，在该范围内所选择的特征性能的变化的有利的，并且以不同的方式在形成所述离子剂量范围的三个相继的离子剂量区域中变化，在第一区域中的演化是基本上线性的，并且在小于一个月的期间是可逆的，在第二区域中的演化是基本上线性的，并且在超过一个月的期间是稳定的，最后在第三区域的演化是恒定的，并且在超过一个月的期间是稳定的，并且其中选择第三离子剂量区域中的多能量离子X+和X2+的剂量以处理实心聚合物部件。
7.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得待处理的聚合物部件表面的表面处理速度在O. 5cm2/s至1000cm2/s之间,例如大于或等于lcm2/s和/或小于或等于100cm2/s。
8.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得植入的离子剂量在5 X IO14至IO18离子/cm2之间，例如大于或等于5X IO15离子/cm2和/或小于或等于IO17离子/cm2。
9.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得离子在经处理的聚合物部件的表面上的渗入深度在O. 05至3 μ m之间，例如大于或等于O. I μ m和/或小于或等于2 μ m。
10.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得处理过程中聚合物部件的表面温度小于或等于100°c，例如小于或等于50°c。
11.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于待处理的聚合物部件为电子部件，例如挤出的条，并且所述部件在处理设备中以例如5m/min至100m/min的速度行进。
12.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于通过由多个离子源产生的多个多能量X+和X2+离子束，将离子从待处理的聚合物部件的表面起植入。
13.根据以上权利要求中任一项的处理方法，其特征在于部件的聚合物类型选自聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)。
14.根据权利要求I至13中任一项的处理方法用于处理聚合物实心部件的用途，所述聚合物实心部件选自电子元件的载体和机动车辆设备面板。
全文摘要
处理实心聚合物部件的至少一个表面的方法，其中将多能量离子X+和X2+同时植入，其中X是选自氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的原子符号，并且其中比率RX(RX=X+/X2+)小于或等于100，例如小于20，X+和X2+以原子百分比表示。这导致以这种方式处理的部件的表面电阻率的非常显著的降低。出现抗静电性能或者静电荷耗散性能。例如，离子X+和X2+由ECR源提供。
文档编号A61M15/00GK102985590SQ201180033768
公开日2013年3月20日 申请日期2011年7月1日 优先权日2010年7月8日
发明者D·比萨尔多, F·盖尔纳莱克 申请人:奎尔技术工程公司