晶体管的源极相连；备用开关晶体管的漏极与移位寄存器处理电路的开关晶体管的漏极之间设置第二预留金属线；备用开关晶体管用于在移位寄存器处理电路的开关晶体管异常时，通过第一预留金属线与第二预留金属线替代移位寄存器处理电路中发生异常的开关晶体管。
[0035]本发明实施例提供的上述移位寄存器，如图1所示(图1仅示意性表示了移位寄存器的部分电路结构)，包括移位寄存器处理电路，移位寄存器处理电路包括多个开关晶体管01，移位寄存器还包括:至少一组备用开关晶体管02 ;备用开关晶体管02的栅极与移位寄存器处理电路的开关晶体管01的栅极之间设置第一预留金属线03 ;备用开关晶体管02的源极与移位寄存器处理电路的开关晶体管01的源极相连；备用开关晶体管02的漏极与移位寄存器处理电路的开关晶体管02的漏极之间设置第二预留金属线04 ;备用开关晶体管02用于在移位寄存器处理电路的开关晶体管01异常时，通过第一预留金属线03和第二预留金属线04替代移位寄存器处理电路中发生异常的开关晶体管01。这样通过在移位寄存器中设置备用开关晶体管，在移位寄存器处理电路中的开关晶体管因工艺问题出现异常时，通过第一预留金属线将备用开关晶体管的栅极与移位寄存器处理电路中发生异常的开关晶体管的栅极连接，通过第二预留金属线将备用开关晶体管的漏极与移位寄存器处理电路中发生异常的开关晶体管的漏极连接，从而可以实现备用开关晶体管替代发生异常的开关晶体管，进而可以修复功能异常的移位寄存器，降低显示面板因工艺原因导致的显示不良的不良率，从而提尚了相应广品的生广良率。
[0036]在具体实施时，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，移位寄存器处理电路的开关晶体管与备用开关晶体管同步形成，即移位寄存器处理电路的开关晶体管的栅极、源漏极与备用开关晶体管的栅极、源漏极同步形成。具体地，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，移位寄存器处理电路的开关晶体管与备用开关晶体管可以在显示面板的制作工艺中同步形成，因此无需增加额外的制作工艺，有助于在显示面板原有的制作工艺中增加备用开关晶体管的制作，从而可以利用备用开关晶体管代替移位寄存器处理电路中因工艺问题而损坏发生异常的开关晶体管，修复移位寄存器因工艺问题造成的功能异常，进而降低显示面板因工艺原因导致的显示不良的不良率，从而提高了相应产品的生产良率。
[0037]在具体实施时，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，如图1所示，第一预留金属线03与备用开关晶体管02的源极和漏极同层设置。具体地，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，第一预留金属线可以与备用开关晶体管的源极和漏极同层设置，即可以将第一预留金属线设置在源漏极金属层，与备用开关晶体管的源极和漏极采用同一步构图工艺形成，这样有利于简化显示面板的制作工艺，降低显示面板的生产成本，当然第一预留金属线也可以设置在显示面板中其他的金属层，在此不作限定。
[0038]在具体实施时，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，如图1所示，第二预留金属线04与备用开关晶体管01的栅极同层设置。具体地，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，第二预留金属线可以与备用开关晶体管的栅极同层设置，即可以将第二预留金属线设置在栅极金属层，与备用开关晶体管的栅极采用同一步构图工艺形成，这样有利于简化显示面板的制作工艺，降低显示面板的生产成本，当然第二预留金属线也可以设置在显示面板中其他的金属层，在此不作限定。
[0039]在具体实施时，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，如图1所示，还可以包括:跳接线05 ;跳接线05与第三金属层同层设置；第三金属层为除备用开关晶体管的栅极金属层和源漏极金属层之外的金属层。具体地，本发明实施例提供的上述移位寄存器中，为了防止因增加备用开关晶体管而增加的走线与移位寄存器处理电路中原有的金属走线之间发生短路，可以采用第三金属层制作跳接线，在新增走线与原有走线相交叉的区域通过跳接线实现相应的连接，例如图1所示，交叉区域M则通过跳接线05实现了跳线连接，从而可以防止新增走线与原有走线相互交叉而导致的短路问题，具体地，第三金属层可以为显示面板中原有的金属层，例如透明电极金属层，这样利用显示面板中原有金属层制作跳接线，可以简化制作工艺，降低生产成本。
[0040]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种本发明实施例提供的上述移位寄存器的修复方法，如图2所示，可以具体包括以下步骤:
[0041]S101、切断移位寄存器处理电路中发生异常的开关晶体管的源极与对应信号线的连接，或漏极与对应信号线的连接；
[0042]S102、通过第一预留金属线连接移位寄存器处理电路中发生异常的开关晶体管的栅极和备用开关晶体管的栅极；
[0043]S103、通过第二预留金属线连接移位寄存器处理电路中发生异常的开关晶体管的漏极和备用开关晶体管的漏极。
[0044]本发明实施例提供的上述移位寄存器的修复方法中，在移位寄存器处理电路中的开关晶体管因工艺问题出现异常时，可以切断发生异常的开关晶体管的源极或漏极与对应信号线的连接，使其停止工作，进而通过第一预留金属线将对应的异常的开关晶体管的栅极和备用开关晶体管的栅极连接；通过第二预留金属线将发生异常的开关晶体管的漏极和备用开关晶体管的漏极连接，从而实现了用备用开关晶体管替代发生异常的开关晶体管，修复了功能异常的移位寄存器，使发生功能异常的移位寄存器恢复正常工作，从而降低显示面板因工艺原因导致的显示不良的不良率，从而提高了相应产品的生产良率。
[0045]在具体实施时，本发明实施例提供的上述移位寄存器的修复方法中，一组备用开关晶体管中可以包括多个开关晶体管，移位寄存器的修复方法，还可以包括:切断备用开关晶体管组中未用于修复的开关晶体管的源极与用于修复的开关晶体管的源极的连接。具体地，本发明实施例提供的上述移位寄存器的修复方法中，当一组备用开关晶体管中包括多个开关晶体管时，除了用于修复的开关晶体管，未用于修复的开关晶体管的源极与用于修复的开关晶体管的源极的连接需要被切断，防止多余的开关晶体管影响移位寄存器处理电路的正常工作。
[0046]在具体实施时，本发明实施例提供的上述移位寄存器的修复方法中，可以采用激光进行切断和/或连接的动作。具体地，本发明实施例提供的上述移位寄存器的修复方法中，可以采用激光对发生异常的开关晶体管的源极或漏极与对应信号线的连接进行切断，同样可以采用激光将第一、第二预留金属线与备用开关晶体管的栅极和漏极分别进行对应连接，从而实现备用开关晶体管替代发生异常的开关晶体管，当然也可以采用其他可以实现的方式进行切断和连接的动作，在此不作限定。
[0047]下面以两个具体实施例，对本发明实施例提供的移位寄存器及修复方法进行具体的说明:
[0048]实施例一:
[0049]如图3所示，以图中的开关晶体管Tl发生源漏极桥连为例进行说明，即开关晶体管Tl由于发生源漏极桥连而损坏，导致功能异常无法正常工作，因此需要备用开关晶体管组中的开关晶体管T2进行替代，具体地，可以将图3中的I表示的位置采用激光切断，切断发生异常的开关晶体管Tl的漏极与信号线的连接，使其停止工作；采用激光通过图3中2表示的位置的预留金属线进行焊接，使开关晶体管T2的栅极与开关晶体管Tl的栅极连接；采用激光通过图3中3表示的位置的预留金属线进行焊接，使开关晶体管T2的漏极与开关晶体管Tl的漏极连接；且采用激光将图3中4和5表示的位置采用激光切断，以保证未用于修复的开关晶体管不会影响移位寄存器处理电路的正常工作，至此备用开关晶体管组中用于修复的开关晶体管T2可以实现代替发生异常的开关晶体管Tl，修复移位寄存器，使移位寄存器正常工作。需要说明的是上述实施例中采用激光切断和焊接的动作不分先后顺序，可以根据实际需要自行选择切断和焊接的顺序。
[0050]实施例二:
[0051]如图4所示，以图中的开关晶体管T3发生开放性