专利名称：芯片用干膜去膜剂及制备方法
技术领域：
本发明涉及一种干膜去膜剂及制备方法，尤其是一种既可快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料腐蚀的芯片用干膜去膜剂及制备方法。
背景技术：
干膜或称干膜光致抗蚀剂，主要用于制造印制电路板(PCB)，现已广泛用于半导体集成电路芯片和发光二极管芯片制造行业中。干膜的应用流程一般包括压膜、曝光、显影、电镀和去膜等工艺步骤，其中的去膜工艺需要使用干膜去膜剂。对于干膜去膜剂不仅需要具有良好的干膜去除能力，而且还要防止腐蚀芯片的金属材料、介质及衬底材料等。目前商 品化的干膜去膜剂都是以强碱性的有机溶液为主，如含K0H、Na0H的水溶液体系。因其碱性太强，尽管保证了去除干膜的能力，但却极易腐蚀金属材料、介质和衬底材料，导致芯片光电性能受损甚至报废，严重限制了生产良率的提高。
发明内容
本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种既可快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料腐蚀的芯片用干膜去膜剂。本发明的技术解决方案是一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下吡咯烷酮20飞0%、酰胺10 70%、亚砜10% 50%、二氧六环或二氧五环5% 30%。所述各组分的质量百分比优选为吡咯烷酮20 40%、酰胺10 30%、亚砜10% 30%、二氧六环或二氧五环5°/Γ20%。所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2-吡咯烷酮。所述酰胺是甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。一种上述芯片用干膜去膜剂的制备方法，其特征在于按如下步骤进行开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的吡咯烷酮、酰胺、亚砜、二氧六环或二氧五环，所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。本发明是由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。
具体实施例方式实施例I :
各组分及质量百分比如下甲基吡咯烷酮20%、甲酰胺60%、甲基亚砜10%、二氧六环
10%。制备方法是按如下步骤进行开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的甲基吡咯烷酮、甲酰胺、甲基亚砜、二氧六环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例2:
各组分及质量百分比如下乙基吡咯烷酮60%、乙酰胺10%、乙基亚砜20%、二氧六环
10%。制备方法是按如下步骤进行开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的乙基吡咯烷酮、乙酰胺、乙基亚砜、二氧六环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例3: 各组分及质量百分比如下羟乙基吡咯烷酮40%、丙酰胺30%、二甲基亚砜10%、二氧五环 20%。制备方法是按如下步骤进行开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的羟乙基吡咯烷酮、丙酰胺、二甲基亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例4:
各组分及质量百分比如下2_吡咯烷酮30%、苯甲酰胺40%、二乙基亚砜20%、二氧五环
10%。制备方法是按如下步骤进行开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的2-吡咯烷酮、苯甲酰胺、二乙基亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。实施例5:
各组分及质量百分比如下甲基吡咯烷酮40%、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺10%、环丁亚砜30%、二氧五环20%。制备方法是按如下步骤进行开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺、环丁亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。采用本发明实施例f 5，在加热槽(如石英、不锈钢等材质)内加热至5(T90°C，有无超声波辅助均可的条件下，将覆有干膜的芯片浸泡其中5 30分钟，可以完全去除厚度为5^120微米的干膜，且对金属材料、介质和衬底材料等无腐蚀。
权利要求
1.一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下吡咯烷酮20 60%、酰胺10 70%、亚砜10% 50%、二氧六环或二氧五环5°/T30%。
2.根据权利要求I所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于所述各组分的质量百分比如下吡咯烷酮20 40%、酰胺10 30%、亚砜10% 30%、二氧六环或二氧五环5% 20%。
3.根据权利要求I或2所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2-吡咯烷酮。
4.根据权利要求3所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于所述酰胺是甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。
5.根据权利要求4所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。
6.一种如权利要求I所述芯片用干膜去膜剂的制备方法，其特征在于按如下步骤进行开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的吡咯烷酮、酰胺、亚砜、二氧六环或二氧五环，所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。
全文摘要
本发明公开一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亚砜10%~50%、二氧六环或二氧五环5%~30%。不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。
文档编号G03F7/42GK102968002SQ20121045188
公开日2013年3月13日 申请日期2012年11月13日 优先权日2012年11月13日
发明者廖勇勤 申请人:大连三达维芯半导体材料有限公司