1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的Pt层及R2O层。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Me为钙元素，锶元素，钡元素中的一种。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Pt层的厚度为5nm～20nm，所述R2O层的厚度为0.5nm～5nm。
4.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将Pt靶材及R2O靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；
在所述衬底表面溅镀Pt层，溅镀所述Pt层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；
在所述Pt层表面溅镀R2O层，溅镀所述R2O层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；及
剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
5.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、Pt层及R2O层。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为5nm～25nm。
7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将Pt靶材及R2O靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；
在所述衬底表面溅镀Pt层，溅镀所述Pt层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；
在所述Pt层表面溅镀R2O层，溅镀所述R2O层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃。
8.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的Pt层及R2O层。