1.一种二硫化钨纳米薄膜的制备方法。其特征在于，采用物理气相沉积(PVD)方法，以二硫化钨粉末为反应源在低真空(460-470Pa)的条件下经900℃-1000℃高温加热后冷却得到。
2.根据权利要求1所述的二硫化钨纳米薄膜的制备方法，其特征在于：二硫化钨粉末为反应源，二氧化硅/硅为衬底。
3.根据权利要求1所述的二硫化钨纳米薄膜的制备方法，其特征在于：反应系统为水平放置的石英管炉，二硫化钨粉末被置于水平石英管炉的热区中心，二氧化硅/硅衬底置于顺着气流下方14-17cm远的位置。
4.根据权利要求1所述的二硫化钨纳米薄膜的制备方法，其特征在于：反应源在40分钟内从室温加热到900℃-1000℃并维持30分钟到1小时，然后自然冷却至室温。
5.根据权利要求1所述的二硫化钨纳米薄膜的制备方法，其特征在于：整个过程中气压需要严格控制在460-470Pa，高纯氩气的流量为130-160sccm。