技术总结
本发明属于半导体纳米材料制造类，特征在于：采用物理气相沉积(PVD)方法，以二硫化钨粉末为反应源，以二氧化硅/硅为衬底，在460‑470Pa气压下经900℃‑1000℃高温加热后冷却得到。本发明中，纯度为99％的二硫化钨粉末装入陶瓷舟中，被置于水平石英管炉的热区中心，300nm厚的二氧化硅/硅衬底置于顺着气流下方14‑17cm远的位置。排尽空气后，反应源在40分钟内从室温加热到900℃‑1000℃并维持30分钟到1小时，然后自然冷却至室温。利用该方法可以在衬底上得到单层的二硫化钨纳米薄膜，形貌可精确控制为正三角型。本发明简单易行，便于大规模生产，安全，环保无毒，制备的二硫化钨薄膜可有效地应用于光电、数据存储器件和机械加工产业。
技术研发人员：田幼华
受保护的技术使用者：燕园众欣纳米科技（北京）有限公司
文档号码：201611106199
技术研发日：2017.01.22
技术公布日：2017.05.31