技术总结
一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，尤其是采用可程式直流磁控溅射法并通过控制占空比和溅射功率来制备纯FCC和HCP相及其混合相的纳米晶钴薄膜。溅射电源采用可程式直流电源，溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的钴靶，衬底为单晶Si片(100)，在沉积之前，将Si片清洗，真空室的本底真空抽至3‑5x10‑4Pa以上，溅射室内通入高纯氩气，工作压强设置为1.5‑2Pa，衬底的温度保持为室温；占空比为50％，溅射功率150‑200W，制备纯HCP相薄膜；占空比为67％，溅射功率为150‑200W，制备FCC和HCP混合相钴薄膜；占空比为100％，溅射功率为150‑200W，制备纯FCC相薄膜。本发明操作简单，重复性好，实现效果良好。
技术研发人员：连建设;石文辉;韩双;李恒;刘方刚;李松;郝晋;孙朔
受保护的技术使用者：吉林大学
文档号码：201710013738
技术研发日：2017.01.09
技术公布日：2017.05.31