000dPa·s以上、250000dPa·s以上、 300000dPa·s以上或350000dPa·s以上、特别优选为400000dPa·s以上。这样一来，容易 利用下拉法、特别是溢出下拉法将玻璃基板成形，因此容易制作板厚小的玻璃基板，并且即 使不研磨表面，也能够降低板厚偏差，其结果是，能够使玻璃基板的制造成本低廉化。进一 步，在玻璃基板的制造工序时，容易防止产生失透结晶、玻璃基板的生产率降低的情况。此 处，"液相温度下的粘度"能够利用铂球提拉法进行测定。需要说明的是，液相温度下的粘度 是成形性的指标，液相温度下的粘度越高，成形性越提高。
[0064] 1025dPa·s下的温度优选为1580°C以下、1550°C以下、1520°C以下、1500°C以下或 1480°C以下、特别优选为1300~1470°C。若l(f5dPa·s下的温度变高，则熔融性降低，玻 璃基板的制造成本高涨。此处，" 102'5dPa·s下的温度"能够利用铂球提拉法进行测定。需 要说明的是，102'5dPa·s下的温度相当于熔融温度，该温度越低，熔融性越提高。
[0065] 本发明的支承玻璃基板优选利用下拉法、特别是溢出下拉法成形而成。溢出下拉 法是从耐热性的槽状结构物的两侧使熔融玻璃溢出，在槽状结构物的下顶端使溢出的熔融 玻璃合流，边向下方拉伸成形来制造玻璃基板的方法。溢出下拉法中，应成为玻璃基板的表 面的面不接触槽状耐火物，以自由表面的状态成形。因此，容易制作板厚小的玻璃基板，并 且即使不研磨表面，也能降低板厚偏差，其结果是，能够使玻璃基板的制造成本低廉化。需 要说明的是，槽状结构物的结构、材质若能够实现所期望的的尺寸、表面精度则没有特别限 定。另外，在进行向下方的拉伸成形时，施加力的方法也没有特别限定。例如，可以采用使 具有充分大的宽度的耐热性辊在接触玻璃的状态下旋转进行拉伸的方法，也可以采用使多 个成对的耐热性辊仅接触玻璃的端面附近进行拉伸的方法。
[0066] 作为玻璃基板的成形方法，除溢出下拉法以外，还可以采用例如狭缝下拉法、再拉 法、浮法等。
[0067] 本发明的玻璃基板优选大致圆板状或晶片状，其直径优选为100mm以上且500mm 以下、特别优选为150mm以上且450mm以下。这样一来，容易适用于半导体封装件的制造工 序。按照需要，还可以加工成其以外的形状、例如矩形等形状。
[0068] 在本发明的支承玻璃基板中，板厚优选低于2. 0mm、1. 5mm以下、1. 2mm以下、1. 1mm 以下或1. 0mm以下、特别优选为0. 9mm以下。板厚越薄，搬送体的质量越轻，因此处理性提 高。另一方面，若板厚过薄，则支承玻璃基板自身的强度降低，难以发挥作为支承基板的功 能。因此，板厚优选为〇· 1臟以上、〇· 2臟以上、0· 3臟以上、0· 4mm以上、0· 5臟以上或0· 6臟 以上、特别优选超过〇. 7mm。
[0069] 在本发明的支承玻璃基板中，板厚偏差优选为30μπι以下、20μπι以下、10μπι以 下、5μηι以下、4μηι以下、3μηι以下、2μηι以下或Ιμπι以下、特别优选低于0. 1~1μm。另 外，算术平均粗糙度Ra优选为100nm以下、50nm以下、20nm以下、10nm以下、5nm以下、2nm 以下或lnm以下、特别优选为0. 5nm以下。表面精度越高，越容易提高加工处理的精度。特 别是能够提高布线精度，因此能够实现高密度的布线。另外，支承玻璃基板的强度提高，支 承玻璃基板和搬送体难以破损。进一步能够增加支承玻璃基板的再利用次数。需要说明的 是，"算术平均粗糙度Ra"能够通过触针式表面粗糙度计或原子力显微镜（AFM)进行测定。
[0070] 本发明的支承玻璃基板优选在利用溢出下拉法成形后，对表面进行研磨而成。这 样一来，容易将板厚偏差限制为2μπι以下或1μπι以下、特别是低于1μπι。
[0071] 从制造效率的观点出发，本发明的支承玻璃基板优选未进行化学强化处理，从机 械强度的观点出发，优选进行了化学强化处理。也就是说，从制造效率的观点出发，优选在 表面不具有压缩应力层，从机械强度的观点出发，优选在表面具有压缩应力层。
[0072] 本发明的搬送体的特征在于，是至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻 璃基板的搬送体，支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。此处，本发明的搬送体的技术特征 (适宜的构成、效果）与本发明的支承玻璃基板的技术特征重复。因此，在本说明书中，对于 该重复部分省略详细记载。
[0073] 本发明的搬送体优选在加工基板与支承玻璃基板之间具有粘接层。粘接层优选为 树脂，例如优选为热固性树脂、光固化性树脂（特别是紫外线固化树脂）等。另外，优选在 半导体封装件的制造工序中使用的各种药液、或对于干式蚀刻时所使用的气体、等离子体 具有耐性的物质。另外，优选具有耐受半导体封装件的制造工序中的热处理的耐热性。由 此，在半导体封装件的制造工序中粘接层难以熔解，能够提高加工处理的精度。
[0074] 本发明的搬送体优选进一步在加工基板与支承玻璃基板之间，更具体来说在加工 基板与粘接层之间，具有剥离层。这样一来，对加工基板进行规定的加工处理后，容易将加 工基板从支承玻璃基板剥离。从生产率的观点出发，加工基板的剥离优选通过激光等照射 光来进行。
[0075] 剥离层由通过激光等照射光发生"层内剥离"或"界面剥离"的材料构成。也就是 说由若照射一定强度的光，则原子或分子中的原子间或分子间的结合力消失或减少，发生 消蚀（ablation)等，发生剥离的材料构成。需要说明的是，有如下情况：通过照射光的照 射，剥离层中所含成分变成气体而放出以至分离的情况、和剥离层吸收光而变成气体、其蒸 气被放出以至分离的情况。
[0076] 在本发明的搬送体中，支承玻璃基板优选大于加工基板。由此，在对加工基板和支 承玻璃基板进行支承时，即使在二者的中心位置分开一点时，加工基板的缘部也难以从支 承玻璃基板突出。
[0077] 本发明的半导体封装件的制造方法的特征在于，具有得到至少具备加工基板和用 于支承加工基板的支承玻璃基板的搬送体的工序、搬送搬送体的工序、和对加工基板进行 加工处理的工序，并且支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。此处，本发明的半导体封装件 的制造方法的技术特征（适宜的构成、效果）与本发明的支承玻璃基板和搬送体的技术特 征重复。因此，本说明书中，对于该重复部分，省略详细的记载。
[0078] 本发明的半导体封装件的制造方法中，加工处理优选为对加工基板的一个表面进 行布线的处理、或者在加工基板的一个表面形成焊接凸点的处理。本发明的半导体封装件 的制造方法中，在这些处理时加工基板难以发生尺寸变化，因此能够适当地进行这些工序。
[0079] 作为加工处理，除上述以外，可以是对加工基板的一个表面（通常是与支承玻璃 基板相反侧的表面）进行机械研磨的处理、对加工基板的一个表面（通常是与支承玻璃基 板相反侧的表面）进行干式蚀刻的处理、对加工基板的另一表面（通常是与支承玻璃基板 相反侧的表面）进行湿式蚀刻的处理中的任一种。需要说明的是，本发明的半导体封装件 的制造方法中，加工基板难以发生翘曲，并且能够较高地维持搬送体的刚性。其结果是，能 够适当进行上述加工处理。
[0080] 本发明的半导体封装件的特征在于，通过上述的半导体封装件的制造方法来制 作。此处，本发明的半导体封装件的技术特征（适宜的构成、效果）与本发明的支承玻璃基 板、搬送体和半导体封装件的制造方法的技术特征重复。因此，本说明书中，对于该重复部 分省略详细记载。
[0081] 本发明的电子设备是具备半导体封装件的电子设备，其特征在于，半导体封装件 为上述的半导体封装件。此处，本发明的电子设备的技术特征（适宜的构成、效果）与本发 明的支承玻璃基板、搬送体、半导体封装件的制造方法、半导体封装件的技术特征重复。因 此，本说明书中，对于该重复部分省略详细记载。
[0082] 边参照附图，边进一步说明本发明。
[0083] 图1是表示本发明的搬送体1的一例的示意立体图。图1中，搬送体1具备支承 玻璃基板10和加工基板（半导体基板）11。为了防止加工基板11的尺寸变化，支承玻璃基 板10贴附于加工基板11。在支承玻璃基板10与加工基板11之间，配置有剥离层12和粘 接层13。剥离层12与支承玻璃基板10接触，粘接层13与加工基板11接触。
[0084] 由图1可以明确，搬送体1按照支承玻璃基板10、剥离层12、粘接层13、加工基板 11的顺序层叠配置。支承玻璃基板10的形状根据加工基板11而决定，但图1中，支承玻 璃基板10和加工基板11的形状均为大致圆板形状。剥离层12除了非晶质硅（a-Si)以 外，还可以使用硅氧化物、硅氧化合物、氮化硅、氮化铝、氮化钛等。剥离层12通过等离子体 CVD、利用溶胶-凝胶法的旋涂等而形成。粘接